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[发明专利]漂移区具有横向浓度梯度的LDMOS管及其制造方法-CN201210437584.X有效
发明人：杨文清;赵施华;邢军军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-06 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种漂移区具有横向浓度梯度的LDMOS管，该LDMOS管的场极板分为耗尽区和连接区两部分，耗尽区与栅相连，且掺杂类型与栅相反；连接区靠近漏，并与漏极相连，且掺杂类型与栅相同。本发明还公开了上述LDMOS管的制造方法。本发明通过将场极板分为掺杂类型不同的耗尽区和连接区两部分，并和栅一起构成NPN（或PNP）结构，使栅、漏之间的电压差能连续分布在场极板的耗尽区内，从而减少了场极板与漂移区尤其是漏之间的电压差，消除了由场极板引起的热载流子效应。
漂移具有横向浓度梯度 ldmos 及其制造方法

[发明专利]LDMOS晶体管及制造方法-CN201210162451.6有效
发明人：杨文清;邢军军;赵施华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS晶体管，其结构是在P外延上部形成有一P阱及一N阱，所述P阱上部形成有一N+区作为源极，并形成有一P+区作为P阱接地极，所述N阱上部形成有一N+区作为漏极；所述作为源极的N+区与作为P阱接地极的P+区相邻接；所述作为源极的N+区及作为P阱接地极的P+区的下方的P阱中形成有一低阻P+区，所述低阻P+区同所述作为P阱接地极的P+区相连接，所述作为P阱接地极的P+区及所述低阻P+区的P掺杂浓度比所述P阱的P掺杂浓度高。本发明还公开了一种LDMOS晶体管的制造方法。本发明，能防止LDMOS晶体管因寄生的NPN管触发而被烧毁。
ldmos 晶体管制造方法

[发明专利]功率MOS管的结构及其制造方法-CN201310613289.X在审
发明人：杨文清;赵施华;邢军军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率MOS管的结构，其采用平面的漂移区隔离源、漏，漏或漏和源相对于沟道和漂移区被抬高。本发明还公开了上述结构的功率MOS管的制造方法。本发明的功率MOS管，采用不带场氧隔离的结构，降低了功率MOS管的导通电阻；同时，通过形成沟道及漂移区和漏或漏和源的高度差，使漏或漏和源抬高，提高了功率MOS管的击穿电压，降低了功率MOS管源、漏间的漏电。
功率 mos 结构及其制造方法

[发明专利]半导体芯片第一层金属阻挡层的制造方法-CN201210302580.0无效
发明人：徐伟;田蕊;赵施华;廖炳隆 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：发明公开了一种半导体芯片第一层金属阻挡层的制造方法，包括：在硅衬底填充介质的沟槽中填充钨；淀积钛层；淀积氮化钛层；快速热退火淀积铝铜层；再次淀积钛层；再次淀积氮化钛层。本发明的半导体芯片金属阻挡层的制造方法能避免半导体芯片金属阻挡层中的钛层、氮化钛层与铝铜层产生“起皮”现象。
半导体芯片一层金属阻挡制造方法

[发明专利]LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及制备方法-CN201210088429.1有效
发明人：杨文清;邢军军;赵施华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构，其场氧化层与场极板接触部分的的上翘点不在鸟嘴位置，而是横向延伸至场氧化层内。本发明还公开了该场氧化层隔离结构的制备方法，在场氧化层生长后，栅极氧化层生长前，进行以下步骤：1)用硬掩膜覆盖非场极板区域；2)炉管成长氧化层；3)同向刻蚀，在有源区和场氧区同时向下和侧向刻去厚度为牺牲氧化层厚度的氧化层；4)刻蚀除去硬掩膜。本发明通过改变场氧化层的结构，使场极板的水平部分向场氧化层内伸展，增强了场极板对鸟嘴区电场的抑制作用，同时分离了场极板和有源区在鸟嘴附近的大曲率点，使两强电场间的相互作用减小，从而降低了鸟嘴区的电场强度，提高了器件的耐压能力。
ldmos 晶体管氧化隔离结构制备方法

[发明专利]场截止型绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201210439400.3有效
发明人：杨文清;赵施华;邢军军 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-11-06 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种场截止型绝缘栅双极晶体管，包括金属氧化物半导体场效应晶体管、N型轻掺杂基区、N+型缓冲层、背面P型掺杂区，还包括一附加N型轻掺杂区；金属氧化物半导体场效应晶体管的下面为N型轻掺杂基区，N型轻掺杂基区的下面为N+型缓冲层，附加N型轻掺杂区，位于N+型缓冲层及背面P型掺杂区之间；N型轻掺杂基区的N型掺杂浓度小于附加N型轻掺杂区的N型掺杂浓度小于N+型缓冲层的N型掺杂浓度。本发明还公开了该种场截止型绝缘栅双极晶体管的两种制造方法。本发明能提高使场截止型绝缘栅双极晶体管的发射效率。
截止绝缘双极晶体管及其制造方法