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- [实用新型]沟槽式MOSFET晶体管-CN202223608299.8有效
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田伟;廖兵
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苏州达晶半导体有限公司
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2022-12-31
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2023-09-22
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种沟槽式MOSFET晶体管，其导电多晶硅体与沟槽侧壁和底部之间具有一二氧化硅层，一绝缘介质层覆盖于沟槽、P型阱层上表面；在P型阱层上部且在重掺杂N型源极区周边具有一中掺杂N型源极层，此中掺杂N型源极层的上端与P型阱层上表面齐平，中掺杂N型源极层的下端与位于沟槽侧壁上的二氧化硅层接触；绝缘介质层上开有一通孔，此通孔的下端与重掺杂N型源极区和中掺杂N型源极层的上端接触，一上金属层填充于通孔内并位于绝缘介质层上方。本实用新型沟槽式MOSFET晶体管改善了寄生电容，从而降低了MOS晶体管的高频开关损耗。
- 沟槽mosfet晶体管
- [实用新型]MOS半导体器件-CN202223608687.6有效
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田伟;廖兵
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苏州达晶半导体有限公司
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2022-12-31
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2023-09-22
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种MOS半导体器件，包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：硅基片、分别位于硅基片上部、中部和下部的P型阱层、N型外延层和N型漏极层；在P型阱层上部且在重掺杂N型源极区周边具有一中掺杂N型源极层，此中掺杂N型源极层的上端与P型阱层上表面齐平，中掺杂N型源极层的下端与位于沟槽侧壁上的二氧化硅层接触；位于相邻MOS器件单胞之间的P型阱层内具有一N掺杂深延部，此N掺杂深延部的下端面在竖直方向上低于中掺杂N型源极层下端，N掺杂深延部的上端面与P型阱层的上端面齐平。本实用新型MOS半导体器件既降低了器件的漏电流，也降低了MOS晶体管的高频开关损耗。
- mos半导体器件
- [实用新型]半导体功率MOS器件-CN202320440319.0有效
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田伟;廖兵
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苏州达晶半导体有限公司
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2023-03-10
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2023-08-11
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种半导体功率MOS器件，包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：硅基片、分别位于硅基片上部、中部和下部的P型阱层、N型外延层和N型漏极层，一盲孔的下部位于P型阱层、N型源极区之间且其下部延伸至P型阱层内，所述P型阱层靠近盲孔下部且在N型源极区下方的区域具有一重掺杂P型层；位于相邻MOS器件单胞之间的P型阱层内具有一N掺杂深延部，此N掺杂深延部的下端面在竖直方向上低于重掺杂P型层的底部，N掺杂深延部的上端面与P型阱层的上端面齐平。本实用新型半导体功率MOS器件在有利于提高电流强度的同时，降低了器件的漏电流。
- 半导体功率mos器件
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