“空穴势垒层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2516655个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构-CN201320333858.0有效
发明人：王元刚;冯志红;敦少博;吕元杰;房玉龙;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构，属于半导体器件领域。本实用新型自下而上包括衬底层、背势垒结构层和沟道层；所述背势垒结构层由两层及以上不同Al组份的AlxGaN（0＜x＜1）背势垒组成，所述背势垒结构层的Al组份沿从沟道层到衬底层方向递增，但同一背势垒中Al背势垒结构层降低了沟道电场峰值，有效的调节了沟道电场，提高了器件的击穿电压；相较于场板技术，多层背势垒结构不增加栅电容，对器件的频率特性影响较小；相较于单层背势垒结构，多层背势垒结构在不引入高浓度的2DHG的前提下，用多层低组份背势垒共同调节沟道电场，从而在保持高的器件饱和电流基础上，有效的增加器件耐压。
基于 iii 氮化物材料多层背势垒器件结构

[发明专利]磁阻随机存取存储器件及其制造方法-CN201811213731.9在审
发明人：朴容星;金佑塡;朴正宪;吴世忠;李俊明;赵显 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。
磁性层隧道势垒层隧道势垒第一电极上表面基板磁阻随机存取存储器电阻率分布第二电极堆叠制造平行

[发明专利]近-远红外宽光谱超晶格探测器-CN202210125761.4在审
发明人：崔素宁;牛智川;蒋洞微;王国伟;徐应强;吴东海;郝宏玥;陈伟强;蒋俊锴 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种近‑远红外宽光谱超晶格探测器，包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；在缓冲层上依次叠层设置的甚长波红外探测器、中波红外探测器和短波红外探测器；甚长波红外探测器与中波红外探测器之间依次设置有P+隧道结、N+隧道结，使甚长波红外探测器与中波红外探测器同时响应；中波红外探测器与短波红外探测器之间设置有载流子势垒阻挡层本发明提供的探测器通过设置甚长波通道空穴势垒层和载流子势垒阻挡层，可以降低探测器器件的暗电流，提高探测率。
红外光谱晶格探测器

[发明专利]一种具有钛钨层的肖特基势垒二极管及其制造方法-CN202211079155.X在审
发明人：杨敏红;刘韵吉;单慧 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基势垒二极管及制备方法，二极管结构是，在肖特基势垒硅化物和正面金属之间有一层钛钨层；具体的二极管构造是：从上到下依次为正面金属，钛钨层，肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层，背面金属；肖特基势垒位于n‑外延层和钛钨层之间；钛钨层下面肖特基势垒层周围还设有氧化层。肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层制备完成后溅射钛钨：用磁控溅射仪溅射钛钨层，钛钨厚度在0.1um‑0.3um，用于保护肖特基势垒，再制备正面金属电极。
一种具有钛钨层肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310430463.7无效
发明人：周明杰;黄辉;陈吉星;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括铜化合物掺杂层与铯盐掺杂层本发明有机电致发光器件通过散射层中的空穴掺杂材料提高其结构层的空穴传输速率和空穴注入能力，加强所述有机电致发光器件对光的散射。此外，所述有机电致发光器件的铯盐掺杂层提高光散射，使向两侧发射的光散射回到中间，降低与空穴注入层之间的势垒，从而有利于提高出光效率。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种肖特基接触的沟槽型功率二极管及其制备方法-CN202111490701.4在审
发明人：裴艳丽;方湃文;卢星;陈梓敏;王钢 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：n型衬底与下电极为欧姆接触；n型漂移层远离n型衬底的一侧延伸出若干肋条；肋条之间铺设有高势垒层，还设有低势垒层覆盖高势垒层端部和肋条端面；设置上电极填充覆盖低势垒层和高势垒层表面。优点在于，设置可以与n型漂移层材质形成高势垒肖特基结的高势垒层，高势垒肖特基结在反偏的时候具有相对较小的泄漏电流，其耗尽区的展宽可以夹断沟槽间的肋条，有效阻断低势垒肖特基结的漏电，实现良好的反向耐压特性
一种肖特基接触沟槽功率二极管及其制备方法

[发明专利]一种晶体管-CN202011250014.0有效
发明人：刘胜厚;林志东;孙希国;张辉 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管，包括衬底、沟道层、势垒层、栅极、源极、漏极和钝化保护层，衬底、沟道层、势垒层依次从下至上层叠，栅极、源极和漏极位于势垒层上，栅极位于源极和漏极之间，钝化保护层覆盖在源极、漏极和势垒层上，并在势垒层上形成钝化保护层开口，栅极通过钝化保护层开口和势垒层接触；还包括介质层，介质层覆盖在钝化保护层上，并沿着靠近漏极一侧的钝化保护层开口侧壁延伸至势垒层上但未完全覆盖势垒层，介质层的厚度为≤100Å
一种晶体管

[发明专利]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN201610191581.0有效
发明人：曲兆珠;赵子奇;朱超;张后程;姜涛;胡子阳 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次由衬底，GaN缓冲层，沟道层，势垒层，势垒层上的源极、漏极和栅极，栅极与漏极之间的电荷补偿层，电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成，其特征在于：所述的沟道层、势垒层和电荷补偿层均为GaN材料，沟道层和势垒层极化方向相反，势垒层和电荷补偿层极化方向相反。沟道层和势垒层之间与势垒层和电荷补偿层之间由于极化电荷不平衡，产生了数量相同、类型相反的电荷，形成电荷自平衡的超结结构。解决了采用AlGaN等材料作为势垒层引起的可靠性与输出功率低等问题，同时解决了已有超结GaN器件中的电荷不平衡问题，提升了器件性能。
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管

[实用新型]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN201620255990.8有效
发明人：曲兆珠;赵子奇;朱超;张后程;姜涛;胡子阳 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次由衬底，GaN缓冲层，沟道层，势垒层，势垒层上的源极、漏极和栅极，栅极与漏极之间的电荷补偿层，电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成，其特征在于：所述的沟道层、势垒层和电荷补偿层均为GaN材料，沟道层和势垒层极化方向相反，势垒层和电荷补偿层极化方向相反。沟道层和势垒层之间与势垒层和电荷补偿层之间由于极化电荷不平衡，产生了数量相同、类型相反的电荷，形成电荷自平衡的超结结构。解决了采用AlGaN等材料作为势垒层引起的可靠性与输出功率低等问题，同时解决了已有超结GaN器件中的电荷不平衡问题，提升了器件性能。
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管

[发明专利]一种QLED及其制备方法-CN201610801474.5在审
发明人：刘佳 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：制备方法包括：步骤A、在基板表面依次沉积一层空穴注入层和空穴传输层；步骤B、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；步骤C、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；步骤D、将沉积完各功能层的基板上制作阴极，其中，所述阴极包含一层用于增大功函数的界面修饰层。本发明通过在阴极中增加一层界面修饰层，从而增加电极的功函数，增加注入势垒，使得电子空穴在量子点发光层能更好的平衡，增加有效复合概率，从而增强QLED发光性能。
一种 qled 及其制备方法

[发明专利]高峰谷电流比的共振隧穿二极管晶圆结构及其制备方法-CN201810316297.0在审
发明人：张翠;丁庆;冯军正;杨旻蔚;刘荣跃;孙竹;许奔 -专利权人：雄安华讯方舟科技有限公司;深圳市太赫兹科技创新研究院
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：该共振隧穿二极管晶圆结构，包括层叠设置的收集层、双势垒量子阱结构和发射层，所述双势垒量子阱结构包括依次层叠设置的第一AlAs势垒层、第一InGaAs势阱层、第二InGaAs势阱层和第二AlAs势垒层，且所述第一InGaAs势阱层和所述第二InGaAs势阱层之间设置有InAs亚势阱层；其中，所述第一AlAs势垒层靠近所述收集层，所述第二AlAs势垒层靠近所述发射层；或所述第一AlAs势垒层靠近所述发射层，所述第二AlAs势垒层靠近所述收集层。
势垒层势阱层共振隧穿二极管晶圆结构发射层收集层量子阱结构双势垒制备层叠设置电流响应电子实现峰谷电流工作偏压依次层叠电流比迁移高峰

[发明专利]磁隧道结中势垒层的制备方法、磁隧道结及其制备方法-CN201911425363.9有效
发明人：宫俊录;孟凡涛;蒋信;刘波 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁隧道结中势垒层的制备方法、磁隧道结及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：在参考层或自由层上沉积n次势垒层材料，形成n层势垒层薄膜，在相邻各次沉积势垒层材料的步骤之间，对势垒层材料进行热处理，n为大于2的自然数。上述制备方法中通过各次热处理及下层势垒层薄膜的结构母版的诱导作用，优化了热处理后沉积形成的势垒层薄膜的晶化质量，减少了势垒层薄膜缺陷，提升了势垒层薄膜及其界面的质量，进而不仅降低了磁隧道结的电阻值，还能够保持较高的磁电阻
隧道结中势垒层制备方法及其

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201210294664.4无效
发明人：周明杰;王平;冯小明;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明属于有机半导体材料领域，其公开了一种有机电致发光器件及其制备方法；该有机电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及阴极层；空穴传输层的材料为金属氧化物和金属掺杂剂掺杂到空穴传输基质材料中组成的三元掺杂混合材料本发明提供的有机电子发光器件，其空穴传输层的材质采用金属氧化物和金属掺杂剂掺杂到空穴传输基质材料中组成的三元掺杂混合材料，金属氧化物可以提高空穴传输层的导电性并显著降低空穴的注入势垒，从而降低有机电致发光器件的启动电压
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法-CN202010024260.8有效
发明人：杨绪勇;张婷 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法，从下而上依次设置阴极、空穴传输层、空穴传输层与发光层界面修饰层、钙钛矿发光层、发光层与电子传输界面修饰层、电子传输层、电子注入层、阳极。本发明通过修饰空穴传输层与钙钛矿发光层的界面，不仅减小空穴层与发光层间的空穴注入势垒，改善空穴的注入效率，并且能阻挡空穴层对钙钛矿层的淬灭，提高钙钛矿层的发光效率。本发明还修饰钙钛矿发光层与电子传输层的界面，不仅能钝化钙钛矿表面的缺陷态，同时改善发光层的薄膜质量，抑制非辐射复合，从而进一步提高器件发光效率。
低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种部分本征GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管-CN201810496696.X在审
发明人：郑雪峰;马晓华;白丹丹;王士辉;吉鹏;李纲;董帅;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种部分本征GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，包括：衬底层，所述衬底层上的缓冲层，所述缓冲层上的沟道层203，所述沟道层上的势垒层，所述势垒层两端的阴极和复合阳极，与所述复合阳极相连且位于所述势垒层上的部分本征GaN帽层，覆盖在所述势垒层、所述部分本征GaN帽层、所述复合阳极、所述阴极上的钝化层；其中，所述沟道层与所述势垒层形成异质结，所述阴极为阴极欧姆接触，所述复合阳极包括阳极欧姆接触和阳极肖特基接触。本发明实施例在势垒层上引入部分本征GaN帽层，并采用复合阳极，制备出具有低正向开启电压、高反向击穿电压的GaN基肖特基势垒二极管。
势垒层复合阳极本征帽层肖特基势垒二极管沟道层阴极衬底层缓冲层反向击穿电压阳极欧姆接触阴极欧姆接触肖特基接触开启电压阳极钝化层异质结正向制备引入覆盖