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[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310589289.0在审
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：有机电致发光器件的电子注入层的材质为锂盐、第一有机材料与第二有机材料按照质量比0.2:3:1～0.5:5:1混合形成的混合物。锂盐功函数较高，与电子传输层材料的LUMO能级比较接近，可降低电子传输层与金属阴极之间的电子的注入势垒，提高电子注入能力。第一有机材料可提高电子的传输速率同时降低与相邻层之间的电子注入势垒，并阻止空穴穿越到阴极而造成空穴淬灭。第二有机材料结晶后有序排列的晶体结构可对光进行散射，使向两边发射的光回到中间，提高出光效率。
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种QLED器件、显示装置及其制备方法-CN201710264527.9在审
发明人：钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇;陈崧 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该QLED器件包括依次设置的衬底、底电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，还包括由空穴注入材料和界面修饰材料掺杂制成的空穴注入层，其中，界面修饰材料为p型导电材料。在本发明中，通过采用空穴注入材料和界面修饰材料掺杂制成空穴注入层，以此提高其空穴传输能力和电离能，降低空穴注入势垒，从而有效的提高电导，降低驱动电压，改善载流子的注入平衡，同时减少了器件的荷电，提高了器件的功率效率以及器件的使用寿命
界面修饰空穴注入材料空穴注入层材料掺杂显示装置制备载流子空穴传输能力空穴注入势垒应用技术领域电子传输层空穴传输层功率效率驱动电压使用寿命依次设置注入平衡底电极电离能顶电极发光层量子点衬底电导荷电

[发明专利]包含具有含超晶格电子平均自由程控制层的共振隧穿二极管结构的半导体器件及相关方法-CN201780059913.2有效
发明人： R·J·梅尔斯;武内英树;M·伊萨 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：一种半导体器件，包含至少一个双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)。该至少一个DBRTD可以包含第一掺杂半导体层，以及在第一掺杂半导体层上且包含超晶格的第一势垒层。DBRTD还可以包含在第一势垒层上的第一本征半导体层、在第一本征半导体层上的且同样包含超晶格的第二势垒层、在第二势垒层上的第二本征半导体层、在第二本征半导体层上的且同样包含超晶格的第三势垒层。第三本征半导体层可以位于第三势垒层上，第四势垒层可以位于第三本征半导体层上且同样包含超晶格，第二掺杂半导体层位于第四势垒层上。
包含具有晶格电子平均自由程控制共振二极管结构半导体器件相关方法

[发明专利]空穴传输层与QLED及制备方法、发光模组与显示装置-CN201611183133.2在审
发明人：梁柱荣;曹蔚然 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开空穴传输层与QLED及制备方法、发光模组与显示装置，方法包括步骤首先制备表面包覆有亲油性有机配体的FeS2纳米颗粒溶液；然后将所制得的FeS2纳米颗粒溶液沉积在PEDOTPSS空穴注入层上，得到空穴传输层本发明采用表面包覆有亲油性有机配体的FeS2作为空穴传输层，沉积在PEDOTPSS空穴注入层上。一方面防止PEDOTPSS空穴注入层吸潮对各功能层造成破坏，提高QLED器件稳定性和使用寿命；另一方面，使空穴传输层与空穴注入层及量子点之间的能带更加匹配，降低空穴注入和传输势垒，提高QLED器件的发光效率
空穴传输 qled 制备方法发光模组显示装置

[实用新型]具有双层空穴注入层的有机发光器件结构-CN201320163823.7有效
发明人：段瑜;孙浩;王光华;万锐敏;季华夏 -专利权人：云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：具有双层空穴注入层的有机发光器件结构，涉及一种有机电致发光器件(OLED)，更具体地，涉及到采用双层空穴注入层的有机电致发光器件。本实用新型具有双层空穴注入层的有机发光器件结构，该器件的结构依次是基板、阳极层、有机层、阴极层；有机层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，其特征在于空穴注入层包含第一空穴注入层和第二空穴注入层，第二空穴注入层是由后续的空穴传输层作为基质材料掺杂第一空穴注入层构成。本实用新型的有机电致发光器件能有效地提高器件的发光效率，通过这种双层空穴注入层所形成的阶梯势垒可有效提高载流子的注入能力，进而增强界面之间的电荷注入，改善器件效率。
具有双层空穴注入有机发光器件结构

[发明专利]有机EL显示装置及其制造方法-CN201880091300.1在审
发明人：岸本克彦 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：有机EL显示装置(100)具有基板(1)、具有由基板支承的多个有机EL元件(3)的元件基板(20)以及覆盖多个有机EL元件的薄膜密封结构(10)，薄膜密封结构具有第一无机势垒层(12)、形成于第一无机势垒层上的有机势垒层(14)以及形成于有机势垒层上的第二无机势垒层(16)，第一无机势垒层的与有机势垒层接触的表面(12S)具有多个细微的凸部，表面的粗糙度的最大高度Rz为20nm以上且小于100nm。
有机 el 显示装置及其制造方法

[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法、太赫兹探测器-CN202310545402.9在审
发明人：郑小平;李熠豪;邓晓娇 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法、太赫兹探测器，涉及太赫兹信号探测领域，包括：衬底，以及在衬底一侧依次层叠设置的氮化镓成核层以及氮化镓缓冲层；第一势垒层以及第二势垒层，第一势垒层与第二势垒层包含铝粒子，第一势垒层包括靠近衬底的第一侧和背离衬底的第二侧，第一势垒层的铝粒子含量占比从第一侧到第二侧逐渐提升，以使在第一势垒层形成三维电子气；第二势垒层与第二侧的铝粒子含量占比相同；源极、栅极和漏极，源极、栅极和漏极与第二势垒层形成欧姆接触本申请通过设置铝粒子含量占比逐渐提升的第一势垒层，形成具有一定厚度的三维电子气，有效减小了栅极与沟道区的距离，提升晶体管的响应度。
氮化电子迁移率晶体管及其制备方法赫兹探测器

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202310204373.X在审
发明人：卢敬权;殷淑仪 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括步骤：1)提供一半导体结构；2)在半导体结构上形成底部势垒层；3)在底部势垒层上形成顶部势垒层，顶部势垒层形成有栅极槽，栅极槽显露底部势垒层的顶面；4)在栅极槽中形成栅极结构本发明通过底部势垒层保护沟道层，一方面可以有效避免在清洗或刻蚀过程中在沟道层中引入杂质，保证沟道层的质量；另一方面本发明可以有效避免常规势垒层全去除方法损伤沟道层，降低沟道层的缺陷；又一方面本发明可以有效避免常规势垒层部分去除方法使得蚀刻深度不一致并难以精确控制的缺陷，本发明通过原子层沉积工艺形成超薄底部势垒层，可以精确控制沟槽栅深度，使得器件的保持阈值电压一致。
半导体器件制备方法

[发明专利]空穴传输材料的修饰方法、发光器件及其制备方法-CN202010711473.8在审
发明人：姚振垒 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明属于显示器件技术领域，尤其涉及一种空穴传输材料的修饰方法，包括以下步骤：获取聚合物空穴传输材料；采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，得到修饰后的空穴传输材料。本发明空穴传输材料的修饰方法，采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，提高聚合物空穴传输材料的功函数，有利于降低空穴传输层中空穴注入势垒，从而降低空穴传输层与量子点发光层之间价带的能级差，进而提高量子点发层中空穴的注入效率，提高量子点发光层中电子与空穴的复合效率，提高发光器件的发光效率和稳定性，延长使用寿命。
空穴传输材料修饰方法发光器件及其制备

[发明专利]有机电致发光器件-CN201710681005.9有效
发明人：段炼;宾正杨;田景文 -专利权人：昆山国显光电有限公司;清华大学
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该有机电致发光器件包括空穴注入层，所述空穴注入层包括至少一种空穴注入材料以及掺杂在所述空穴注入材料中的至少一种自由基分子材料。通过在空穴注入层中掺杂至少一种自由基分子材料，由于空穴注入材料的深能级特性及其强烈的吸收电子能力，使得自由基分子材料上的单电子跃迁至空穴注入材料层的LUMO上，在空穴注入材料发生电荷转移，形成自由空穴，从而达到提高空穴注入层的电导率的目的，有效地降低空穴注入势垒，增强了空穴注入效率，进而提高了有机电致发光器件的性能。
有机电致发光器件

[发明专利]半导体装置-CN201380079133.6有效
发明人：斋藤顺;町田悟;山下侑佑 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：此外，发射极(148)与第二势垒区(116)之间的空穴的量少于阳极电极(148)与第一势垒区(122)之间的空穴的量。
半导体装置

[发明专利]磁存储器件及其制造方法-CN201110384063.8无效
发明人：郑东河;朴基善;金国天 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁存储器件及其制造方法，所述磁存储器件包括：第一固定层；第一隧道势垒，所述第一隧道势垒与第一固定层耦合；自由层，所述自由层与第一隧道势垒耦合，且具有包括第一铁磁层、氧化物隧道间隔件和第二铁磁层的层叠结构；第二隧道势垒，所述第二隧道势垒与自由层耦合；以及第二固定层，所述第二固定层与第二隧道势垒耦合。
磁存储器及其制造方法

[发明专利]AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法-CN201911405708.4在审
发明人：付羿;周名兵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法，其中，AlN/GaN HEMT外延结构从下到上依次包括：生长衬底、位错过滤层、应力控制层、GaN薄层及AlN势垒层，其中，所述AlN势垒层中掺杂饵。由于铒的原子半径比Al大，稀土元素铒掺入AlN势垒层后，会在AlN材料中产生晶格畸变从而提高AlN势垒层的压电性能；另外，由于铒的电负性小，增加了AlN势垒层中的离子键比例，进一步增强了稀土掺杂AlN势垒层的压电系数和极化效应，使得掺铒的AlN势垒层厚度减薄后仍然可以获得高面密度的二维电子气。
aln 势垒层 gan hemt 外延结构及其生长方法

[发明专利]外延结构及半导体器件-CN202210206690.0有效
发明人：许洁;张杰 -专利权人：上海陆芯电子科技有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延结构及半导体器件，外延结构包括：钝化层；势垒层，势垒层位于所述钝化层的一侧；其中，所述势垒层的表面包括至少一个势垒层凹槽，至少一个势垒层凹槽位于结构设定区域，且所述至少一个势垒层凹槽的开口朝向钝化层势垒层表面的势垒层凹槽可以引入更多的电场集中区域，进而削弱在栅极靠近漏极的边缘处因电场集中效应产生的峰值电场的强度，减少栅极边缘因该峰值电场的作用变为会被陷阱俘获的热电子的数量，进而缩短了在半导体器件开关时陷阱的充放电时间
外延结构半导体器件

[发明专利]基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构-CN201310229994.X有效
发明人：王元刚;冯志红;敦少博;吕元杰;房玉龙;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构，属于半导体器件领域。本发明自下而上包括衬底层、背势垒结构层和沟道层；所述背势垒结构层由两层及以上不同Al组份的AlxGaN（0＜x＜1）背势垒组成，所述背势垒结构层的Al组份沿从沟道层到衬底层方向递增，但同一背势垒中Al组份不变背势垒结构层降低了沟道电场峰值，有效的调节了沟道电场，提高了器件的击穿电压；相较于场板技术，多层背势垒结构不增加栅电容，对器件的频率特性影响较小；相较于单层背势垒结构，多层背势垒结构在不引入高浓度的2DHG的前提下，用多层低组份背势垒共同调节沟道电场，从而在保持高的器件饱和电流基础上，有效的增加器件耐压。
基于 iii 氮化物材料多层背势垒器件结构