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[发明专利]一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法-CN201310157698.3无效
发明人：崔凯;马文全;张艳华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层和第一p掺杂层；在第一p掺杂层上生长p+掺杂势垒层和非掺杂势垒层，形成二维空穴气；在二维空穴气上依次生长第一非掺杂空间层、具有II类异质结构的量子点层和第二非掺杂空间层；在第二非掺杂空间层上生长第二p掺杂层；在第二p掺杂层上生长n+掺杂层；通过工艺技术制造数据擦写端口和数据读取端口，形成空穴型量子点存储器。
一种制备基于量子空穴存储器方法

[发明专利]倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213535.6有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、蓝光量子点发光层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括依次层叠的第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层。第一空穴传输层的厚度为5nm～10nm。第一空穴传输层、第二空穴传输层及第三空穴传输层的HOMO能级依次减小，从而在蓝光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足蓝光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求
倒置光量子薄膜电致发光器件

[发明专利]倒置绿光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213585.4有效
发明人：林洋;曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括依次层叠的第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层。第一空穴传输层的厚度为5nm～10nm。第一空穴传输层、第二空穴传输层及第三空穴传输层的HOMO能级依次减小，从而在绿光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求
倒置光量子薄膜电致发光器件

[发明专利]背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法-CN201810593479.2有效
发明人：余丁;赵有文;白永彪;沈桂英;董志远;刘京明;谢辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种背表面场GaSb热光伏电池，包括：一衬底；一背电场层，其制作在衬底的背面；一背电极，其制作在背电场层上；一有源区，其制作在衬底的上面；一前电极，其制作在有源区上面的中间，该前电极的尺寸小于有源区的尺寸本发明通过在电池背面增加一个nn+结，与原内建电场形成高低结电场，提供空穴势垒，利用能带工程提高光生载流子的收集效率，同时由于背电极附近掺杂浓度高，势垒区宽度更小，利于电子通过隧道效应贯穿势垒，使GaSb
表面 gasb 热光伏电池及其制备方法

[发明专利]一种含杂原子稠环胺化合物和应用-CN202111050632.5在审
发明人：马晓宇;汪康;张鹤;唐志杰;刘萍 -专利权人：奥来德（上海）光电材料科技有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C07C211/61 文献下载
摘要：本发明提供了一种式(I)结构的含杂原子稠环胺化合物，本发明特定的发光辅助材料的存在使得从阳极转移的空穴能够平稳地移动到发光层，减少空穴传输层与发光层之间的势垒，降低器件的驱动电压；玻璃化转变温度得到了显著提高；进一步增加空穴的利用率，提高器件的发光效率和寿命。
一种原子稠环胺化合物应用

[发明专利]一种化合物、发光辅助层材料和应用-CN202210615274.6在审
发明人：汪康;黄悦;马晓宇;金成寿;韩瑞峰;段小亮 -专利权人：吉林奥来德光电材料股份有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C07C211/61 文献下载
摘要：本发明提供了一种式(I)结构的含杂原子稠环胺化合物，本发明特定的发光辅助材料的存在使得从阳极转移的空穴能够平稳地移动到发光层，减少空穴传输层与发光层之间的势垒，降低器件的驱动电压；玻璃化转变温度得到了显著提高；进一步增加空穴的利用率，提高器件的发光效率和寿命。
一种化合物发光辅助材料应用

[发明专利]一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池-CN201910620764.3有效
发明人：单恒升;侯艳艳;马淑芳;邢茹萍;席婷;郝晓东;许并社 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，包括一衬底，衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上一侧有一台面，n型掺杂GaN层上表面依次设有超晶格层、非掺杂GaN缓冲层、非掺杂InGaN/GaN多量子阱层、GaN势垒层、AlInGaN势垒层和p型掺杂GaN层，p型掺杂GaN层上设有多个p型电极，p型电极之间通过透明电极层连接；n型掺杂GaN层台面上设有本发明通过在外延p‑GaN之前插入一层AllnGaN层来对改进p‑GaN结构，使该层结构具有较好的晶格匹配和较低的热膨胀系数，空穴载流子的输运效率提高，光电转化率达到1.96％。
一种插入 alingan 势垒层结构 ingan gan 多量太阳能电池

[发明专利]一种深紫外发光二极管-CN202310538201.6在审
发明人：张骏;陈圣昌;张毅;岳金顺 -专利权人：湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、载流子分布改善层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，其中，载流子分布改善层的材质为硅掺杂的AlGaN材料，载流子分布改善层中的硅掺杂浓度大于量子阱有源层中势垒层的硅掺杂浓度；本发明的载流子分布改善层用向量子阱有源层提供载流电子，从而可以在势垒层中采用较少硅掺杂浓度的AlGaN材料，进而可以避免势垒层中的杂质硅扩散至势阱层中
一种深紫发光二极管

[发明专利]光电集成器件及其制备方法-CN202310400252.2在审
发明人：于军胜;白雲水;郜燕南;王子君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10K65/00 文献下载
摘要：本发明引入新的活性层材料，同时加入倍增层，实现光电流的大幅提升，又引入空穴阻挡层和超薄缓冲层，平衡电荷传输势垒，降低暗电流，同时调整空穴电子传输速率，使其相匹配，实现探测和发光性能的提高，电子注入层的加入，平衡了注入势垒，阻挡水氧入侵，提高了器件功能层在空气中的稳定性，并且分散了激子非辐射复合产生的热量，具有易集成、厚度薄、制程短、成本低的诸多优点。
光电集成器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件-CN202110258496.2在审
发明人：张晖;孔苏苏;李仕强;周文龙;谈科伟;杜小青 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：其中，半导体器件的外延结构包括衬底，以及依次位于衬底一侧的背势垒层、沟道层和势垒层，势垒层与沟道层之间形成有二维电子气，背势垒层包括AlxGa1‑xN背势垒层，或者，背势垒层包括InxGa1‑xN背势垒层。本发明实施例提供的半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，通过在沟道层靠近衬底的一侧设置背势垒层，且背势垒层包括AlxGa1‑xN背势垒层或InxGa1‑xN背势垒层，以抬高背势垒层一侧的导带，从而提高了背势垒层一侧的势垒，增加2DEG的限域能力，使得在沟道层和势垒层的界面处形成的高浓度2DEG不易向背势垒层泄露，进而降低背势垒层的漏电，提高半导体器件的击穿电压。
一种半导体器件外延结构及其制备方法

[发明专利]一种OLED器件-CN201310331759.3无效
发明人：宋洪松;杨程 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该OLED器件结构包括基板1、透明阳极2、空穴注入层3、发光层4、电子注入层5和阴极6，其中发光层4由主体荧光材料和客体磷光材料掺杂而成，主体荧光材料采用兼具空穴和电子传输基团的聚芴类材料。本发明所提供的OLED器件能够有效降低空穴和电子注入的势垒，具有较高的量子效率和载流子传输能力。
一种 oled 器件

[发明专利]一种OLED发光器件-CN201910619616.X有效
发明人：李崇;蔡啸;张兆超;王芳 -专利权人：江苏三月科技股份有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED发光器件，包括第一电极、阳极界面缓冲层、空穴传输层、发光层和第二电极，阳极界面缓冲层覆盖于电极表面，空穴传输层邻接于界面缓冲层，所述阳极界面缓冲层含有传导空穴的主体材料和P掺杂材料，所述传导空穴主体材料的HOMO能级大于空穴传输层材料的HOMO能级。本发明界面缓冲层的设计，可以提升电极到有机材料的空穴注入效率，降低或消除缓冲层到空穴传输层界面载流子传导势垒差，提升阳极界面缓冲层与空穴传输层的界面稳定性，进而提升OLED发光器件的驱动稳定性。
一种 oled 发光器件

[发明专利]一种高性能OLED发光器件-CN201811132511.3有效
发明人：李崇;蔡啸;张兆超;谢丹丹 -专利权人：江苏三月科技股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能OLED发光器件，包括第一电极、阳极界面缓冲层、空穴传输层、发光层和第二电极，阳极界面缓冲层覆盖于电极表面，空穴传输层邻接于界面缓冲层，所述阳极界面缓冲层含有传导空穴的主体材料和P掺杂材料，所述传导空穴主体材料的HOMO能级大于空穴传输层材料的HOMO能级。本发明界面缓冲层的设计，可以提升电极到有机材料的空穴注入效率，降低或消除缓冲层到空穴传输层界面载流子传导势垒差，提升阳极界面缓冲层与空穴传输层的界面稳定性，进而提升OLED发光器件的驱动稳定性。
一种性能 oled 发光器件

[发明专利]倒置型有机电致发光结构-CN201410418041.2在审
发明人：牟鑫;鲁佳浩;寇浩 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒置型有机电致发光结构，包括：基板、以及自下而上依次设置于基板上的阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴注入层、空穴传输层以及阳极层；阳极层包括：第一导电层、金属层以及第二导电层，阴极层包括：Mg、Al、Ag、Yb、Sm及其合金或者Mg、Al、Ag、Yb、Sm掺杂ZnO。本发明的器件结构减小了电子的注入势垒并提高了空穴的注入能力。
倒置有机电致发光结构

[实用新型]肖特基势垒-CN201420778129.0有效
发明人：姜硕;唐冬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒，包括硅片、低势垒金属层及电极金属层，所述低势垒金属层蒸镀在所述硅片上，所述电极金属层蒸镀在所述低势垒金属层上并包覆所述低势垒金属层。根据本实用新型的肖特基势垒利用外部的电极金属层对内部的低势垒金属层形成保护，防止对势垒的热处理过程中低势垒金属层被氧化而引起势垒参数不稳定的问题。形成势垒的同时，电极金属层也同时形成，制作肖特基产品时不需要后续进行正面电极金属淀积的处理。
肖特基势垒