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[发明专利]一种高效GaN基半导体发光二极管-CN201110316113.9无效
发明人：陆卫;夏长生;王少伟;张波;甄红楼;王兴军;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所;蓝雨软件技术开发（上海）有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明由衬底、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和电极组成，其中多量子阱发光层中靠近P型AlGaN电子阻挡层的最后一个势垒的带隙沿生长方向线性减小，其材料为此多量子阱结构中其它势垒材料与InN或GaN本发明结构简单、易操作，可以有效减少漏电流，增强空穴的注入效率，提高量子阱中电子和空穴的浓度以及均匀分布性，从而大幅提高其在高注入电流下的发光效率，作为高亮度、高功率器件结构在照明领域具有广泛的应用前景
一种高效 gan 半导体发光二极管

[发明专利]一种深紫外AlGaN基多量子阱发光二极管及其制备方法-CN202211496260.3在审
发明人：刘炜;赵恒岩;刘泽宇;高俊杰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种深紫外AlGaN基多量子阱发光二极管，包括包括衬底、AlN本征层、N型AlGaN模板层、多量子阱有源区、AlGaN复合势垒层、P型AlGaN盖层、P型GaN欧姆接触层、N型欧姆电极、P型欧姆电极一种深紫外AlGaN基多量子阱发光二极管制备方式，包括衬底处理、生长履层、加工台面与沉积电极的步骤。本发明使用AlGaN复合势垒层取代了传统LED中最后一个量子垒与电子阻挡层，从而消除了原有的在LQB/EBL界面处的异质结结构，并减弱了整个结构中的极化效应，抑制了能带弯曲，从而提高了载流子的输运效率，改善了空穴注入，使器件发光性能得到提升。
一种深紫 algan 基多量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213606.2有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、蓝光量子点发光层、空穴平衡层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括依次层叠的第三空穴传输层、第二空穴传输层和第一空穴传输层。空穴平衡层的厚度为5nm～10nm。第三空穴传输层、第二空穴传输层及第一空穴传输层的HOMO能级依次减小，从而在蓝光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足蓝光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求进一步的，空穴平衡层能够阻止高迁移率的第一空穴传输材料与蓝光量子点发光层的直接接触，避免造成发光猝灭。
倒置光量子薄膜电致发光器件

[发明专利]倒置绿光量子点薄膜电致发光器件-CN201610213595.8有效
发明人：曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴平衡层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括依次层叠的第三空穴传输层、第二空穴传输层和第一空穴传输层。空穴平衡层的厚度为5nm～10nm。第三空穴传输层、第二空穴传输层及第一空穴传输层的HOMO能级依次减小，从而在绿光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求进一步的，空穴平衡层能够阻止高迁移率的第一空穴传输材料与绿光量子点发光层的直接接触，避免造成发光猝灭。
倒置光量子薄膜电致发光器件

[发明专利]纳米颗粒及其制备方法、光电器件及其制备方法-CN202111666102.3在审
发明人：李龙基 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：该纳米颗粒包括量子点，量子点的配体含有可以与空穴传输材料侧链交联基团发生交联的基团。将该纳米颗粒应用在光电器件中，在空穴传输层和发光层之间制备含有该纳米颗粒和可交联空穴传输材料的混合层时，空穴传输材料和纳米颗粒能紧密交联在一起，可减小空穴传输材料的HOMO能级与量子点HOMO能级之间的势垒，有利于空穴从空穴传输材料注入量子点，使得电子和空穴的注入更加平衡，从而提高QLED器件的效率和寿命。
纳米颗粒及其制备方法光电器件

[发明专利]基于铁电性Ⅲ族氮化物极化反转的增强型高电子迁移率晶体管-CN202110968495.7在审
发明人：周大雨;隋金洋;孙纳纳;习娟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种基于铁电性Ⅲ族氮化物极化反转的增强型高电子迁移率晶体管，其自下而上依次为衬底、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和钝化层；势垒层包括非铁电性势垒层、铁电性Ⅲ族氮化物势垒层，铁电性Ⅲ族氮化物势垒层在非铁电性势垒层和钝化层之间缓冲层和势垒层形成禁带宽度不同的异质结，缓冲层禁带宽度小于势垒层禁带宽度；缓冲层上表面的两端设有源电极和漏电极；铁电性Ⅲ族氮化物势垒层上设有栅电极，栅电极嵌套在钝化层中。本发明缓冲层和势垒层均采用Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料，二者制备工艺兼容，各层薄膜生长质量高、薄膜间界面特性好；同时Ⅲ族氮化物铁电材料的电滞回线矩形度高、剩余极化强度大，器件关闭和导通状态的保持时间长，服役可靠性更高
基于铁电性氮化物极化反转增强电子迁移率晶体管

[发明专利]一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管-CN201410427708.5有效
发明人：杜江锋;潘沛霖;陈南庭;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底、氮化铝成核缓冲层、背势垒层、氮化镓、势垒层以及绝缘介质层组成，在势垒层上形成有源极、漏极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，在绝缘介质层上形成有栅极，栅极与绝缘介质层形成肖特基接触。本发明通过在栅极正下方沟道区域引入极化强度大于势垒层的背势垒层，使背势垒层和势垒层的极化强度相抵消，起到耗尽栅下沟道的二维电子气的效果，从而实现增强型工作状态。
一种氮化增强型异质结场效应晶体管

[发明专利]一种提高发光效率的GaN基LED外延结构-CN202011195544.X在审
发明人：程立文;罗雨中;李侦伟;曾祥华;林星宇 -专利权人：扬州大学
申请日： 2020-10-31 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高发光效率的GaN基LED外延结构，该外延结构的发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中，势垒层命名为GaN‑AlxGa1‑xN‑GaN势垒层，简称GAG势垒层，按生长顺序该势垒层依次由GaN势垒、GaN势垒构成，AlxGa1‑xN势垒中的x沿生长方向从0到0.15再到0渐变。本发明采用GAG势垒结构可以在不增大器件发光层内的极化电场的情况下，有效提高势垒层对发光层中载流子的限制能力，从而达到提高GaN基LED的光电性能的目的。
一种提高发光效率 gan led 外延结构

[发明专利]制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器-CN202010199362.3有效
发明人：王璐;王珈 -专利权人：北京嘉圣光通科技有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作VCSEL的方法及VCSEL，方法包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、电极下接触层、镓砷层、光限制层以及电光限制层；对电光限制层和光限制层进行光刻以形成通光圆孔；在电光限制层表面，依次外延生长空穴载流子势垒区、量子阱有源区、电子载流子限制区、反射镜层以及电极上接触层；在电极上接触层上制作n型电极层，将电极上接触层的外延面烧结在金属化的热沉上；去除衬底直至暴露电极下接触层；腐蚀电极下接触层、镓砷层直至露出空穴载流子势垒区，得到出光孔，在出光孔内淀积介质膜DBR；在电极下接触层上刻蚀并淀积介质隔离层；在电极下接触层外延表面，套刻制作不经过介质膜DBR的P型电极环。
制作垂直发射激光器方法

[发明专利]一种电致发光器件及显示面板-CN202111203640.9在审
发明人：宋音洁 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种电致发光器件及显示面板，所述电致发光器件包括电子传输层，电子传输层包括至少一有机层和至少一无机层，有机层与无机层交替设置，且电子传输层靠近发光层的一层为有机层，电子传输层靠近阴极的一层为所述无机层，由于电子传输层中加入了具有高势垒且低迁移率特性的有机小分子电子传输材料，所以降低了电子传输层的电子传输能力，并增大了电子传输势垒，从而改善电子‑空穴传输失衡的问题，有效提升了电致发光器件的光电性能；所述显示面板包括所述电致发光器件
一种电致发光器件显示面板

[实用新型]低势垒肖特基二极管的结构-CN201120534643.6有效
发明人：刘宪成;吴志伟;王平 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种低势垒肖特基二极管的结构，包括半导体衬底；N型外延层，位于所述半导体衬底的正面；钝化层，位于所述N型外延层上，所述钝化层具有开窗；势垒合金层，位于所述开窗中的N型外延层上，所述势垒合金层的材质为钛的硅化物本实用新型所述低势垒肖特基二极管的结构，以钛的硅化物作为势垒合金层，其中优选二硅化钛作为势垒合金层，使形成的势垒合金层具有良好的工艺稳定性，降低了对开窗中的外延层表面态的要求，且相比于现有技术中常用的势垒金属层，能够形成更低的势垒高度、更低正向压降的低势垒肖特基二极管。
低势垒肖特基二极管结构

[发明专利]一种具有P型栅的增强型GaN器件-CN202211249361.0在审
发明人：易波;徐艺;张芷宁 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明采用绝缘栅介质层、P型宽禁带半导体层与金属栅极由下往上依次层叠构成的新型MIS栅极部，利用高的功函数差耗尽其下方的高浓度二维电子气，在厚势垒层设计下获得增强型器件；并且，P型宽禁带半导体层与势垒层之间设置栅介质层，阻止P型宽禁带半导体层向势垒层注入空穴，从而获得极低的栅极漏电；最终本发明的增强型GaN器件具有栅压摆幅大、栅极漏电低、沟道比导通电阻小、阈值电压一致性高、工艺简单、成本低、稳定性高等优点。
一种具有增强 gan 器件

[发明专利]垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法-CN201910015307.1有效
发明人：田宇;韩效亚;吴真龙;杜石磊 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法，其中，N型DBR层由Al组分含量不同的AlYGa1‑YAs组成，不同AlYGa1‑YAs层间的势垒结减小，并利用相邻AlYGa1‑YAs层之间的应力变化拉伸势垒高度，使得N型DBR层的势垒结整体深度变浅，降低N型DBR层的串联阻值，降低N型DBR层两端的电压，减小DBR层的阈值电流，使得电流在N型DBR层中消耗较少，进而减小外延结构的热损耗，提高外延结构的功率转换效率和斜率效率。另外，不同Al组分的AlYGa1‑YAs之间形成台阶，势垒差减小，可以使电子更容易跃迁，电子与空穴复合对数增多，使粒子反转数增多
垂直发射激光器外延结构及其制备方法

[发明专利]抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法-CN202010312078.2有效
发明人：吴素贞;徐政;徐海铭;洪根深;赵文彬;吴建伟;谢儒彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：提供外延基片，在所述外延基片上形成AlN成核层和GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上制作选区背势垒埋层；继续外延生长非掺杂GaN沟道层、AlxGa1‑xN势垒层和p型GaN:Mg层；其中x为15％～25％；刻蚀掉栅极区域以外的p型GaN:Mg层，形成栅极区域；在表面淀积SiN；进行源/漏极金属淀积并光刻定义源/漏极，进行栅极金属淀积并光刻定义栅极通过去除栅极区域下方的背势垒层，可以减轻单粒子引起的空穴在栅极区域下方的积累，提高增强型p型栅GaN HEMT器件的抗单粒子失效能力，特别是对于＞200V的高电压等级器件。
粒子失效高压增强 gan 功率 hemt 器件制作方法

[发明专利]一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法-CN202110219357.9在审
发明人：杜祖亮;杜佳佳;蒋晓红;王啊强;王帅冰 -专利权人：河南大学
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。本发明提供的正型QLED器件包括：带ITO透明电极的玻璃基底和由下而上依次设置在所述ITO透明电极表面的第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极层；所述第一空穴注入层和第二空穴注入层分别为NiO层和PEDOT:PSS层。本发明提供的正型QLED器件采用NiO/PEDOT:PSS双层空穴注入层，不仅能够解决对ITO电极的腐蚀问题，还能够有效降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率，平衡载流子，进而提高正型QLED器件的效率和使用寿命
一种基于双层空穴注入 qled 器件及其制备方法