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[发明专利]共振隧穿二极管及其制作方法-CN202180094221.8在审
发明人：程凯;刘凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本申请提供了一种共振隧穿二极管及其制作方法，共振隧穿二极管包括：第一势垒层，第二势垒层以及位于第一势垒层与第二势垒层之间的势阱层，第一势垒层、第二势垒层以及势阱层的材料为Ⅲ族氮化物，势阱层的材料包含Ga元素；第一势垒层与势阱层之间设置有第一隔离层，和/或第二势垒层与势阱层之间设置有第二隔离层。利用第一隔离层与第二隔离层，阻挡势阱层中的Ga原子向第一势垒层与第二势垒层扩散，保证第一势垒层与第二势垒层的组分均一、防止有效厚度变薄，从而改善器件稳定性及峰谷电流比。
共振二极管及其制作方法

[发明专利]提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构-CN200710099141.3无效
发明人：金灿;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-05-14 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，包括：一衬底；一缓冲层制作在衬底上，其作用是屏蔽来自衬底的缺陷和使生长平面平整；一量子阱层制作在缓冲层上面，以生长时产生应力弛豫，并将这一应力弛豫导入其上面的量子点层，使浸润层厚度减小；一势垒层制作在量子阱层上面，该势垒层对量子点层中的载流子起限制作用，防止其由于热激发跃迁而导致的量子点材料光学性质温度稳定性的下降；一量子点层制作在势垒层上面，该量子点层受激发时产生电子—空穴对，辐射复合发光；一盖层制作在量子点层上面，该盖层的作用是改变量子点的光学性质，增大其基态和激发态的能级间距。
提高组织量子光学性质温度稳定性材料结构

[发明专利]一种基于II类断带能隙量子阱的红外电吸收调制器-CN202110790767.9在审
发明人：李俊;陈盟 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：包含(i)至少一个吸收调制区，吸收调制区包含单周期或多周期的II类断带能隙量子阱结构；(ii)对II类断带能隙量子阱结构提供调制偏压的装置；一个周期单元的II类断带能隙量子阱结构由第一势垒、电子势阱、空穴势阱和第二势垒组成，电子势阱和空穴势阱置于第一势垒和第二势垒之间且不依赖相对叠放次序，电子势阱的体材料导带带边的能量低于空穴势阱的体材料价带带边的能量。
一种基于 ii 类断带能隙量子外电吸收调制器

[发明专利]一种有机电致发光器件和显示装置-CN201811022561.6有效
发明人：李国孟;魏金贝;李梦真;李维维;何麟 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该有机电致发光器件包括发光层和空穴阻挡层，其中：发光层的材料包括主体材料；构成空穴阻挡层的材料与主体材料相同。本发明提供的有机电致发光器件，使用同一款材料作为发光层主体材料和空穴阻挡层，可以有效的降低OLED器件中发光层主体与空穴阻挡层之间的能级势垒，降低器件开启电压，提高发光效率，同时还提高了器件的寿命。
一种有机电致发光器件显示装置

[发明专利]二极管-CN201610576542.2在审
发明人：文塔瓦·查旺 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在具有柱区、势垒区、中间区、阴极区的二极管中，对寄生晶体管导通的情况进行抑制。在俯视观察时，二极管具有单元区域、中间区域、外周区域。单元区域具有：第一阳极区，其为p型，并且与阳极电极欧姆接触；柱区，其为n型，并且与阳极电极相接；势垒区，其为n型，并且从背面侧与第一阳极区和柱区相接；第一中间区，其为p型，并且从背面侧与势垒区相接。中间区域具有：第二阳极区，其为p型，并且与阳极电极欧姆接触；空穴抑制区，其与阳极电极相接；第二中间区，其为p型，并且从背面侧与第二阳极区和空穴抑制区相接，中间区域不具有势垒区。
二极管

[发明专利]发光器件及其制造方法和发光器件封装-CN201210135243.7有效
发明人：元钟学 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：该发光器件包括有源层，该有源层包括多个阱层和多个势垒层。多个势垒层包括第一势垒层，距离第二导电类型半导体层最近，第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近第一势垒层，第二势垒层具有第三带隙；以及至少一个第三势垒层，位于第二势垒层和第一导电类型半导体层之间并具有第一带隙多个阱层包括第一阱层，位于第一势垒层和第二势垒层之间，第一阱层具有第二带隙；以及第二阱层，位于第二势垒层和至少一个第三势垒层之间。第二势垒层设置在第一阱层和第二阱层之间，并且第三带隙比第一带隙窄而比第二带隙宽。本发明的有源层的内部量子效率得以提高。因而，可以改善从有源层发出的光的色彩纯度。
发光器件及其制造方法封装

[发明专利]半导体结构-CN202080102512.2在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括沟道层和设于所述沟道层上的势垒层，所述势垒层包括层叠设置的多层子势垒层，多层所述子势垒层中至少存在三层所述子势垒层，且多层所述子势垒层中的Al组分配比值沿所述势垒层的生长方向呈至少一次上下波动变化本申请通过设置至少三层的多层子势垒层，多层子势垒层中的Al组分配比值沿所述势垒层的生长方向呈至少一次上下波动变化，而使所述半导体结构形成的能带在势垒层形成一个或者多个量子阱，避免正向漏电。
半导体结构

[实用新型]一种高击穿电压的GaN HEMT元件-CN202121263465.8有效
发明人：李炘 -专利权人：欧跃半导体（西安）有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高击穿电压的GaN HEMT元件，包括设置在衬底上的成核层；成核层的上方设有缓冲层，缓冲层的上方设有背部势垒层；背部势垒层上设有经刻蚀形成的背部势垒区，背部势垒区包括多个背部势垒块背部势垒区上方依次设有沟道层和势垒层；势垒层的两端均设有欧姆接触窗口，欧姆接触窗口内设有多层电极；势垒层上还设有栅极金属接触窗口，栅极金属接触窗口内设有栅极肖特基接触；多层电极和栅极肖特基接触之间设有钝化层。本实用新型通过将背部势垒区分割，形成多个背部势垒区，多个背部势垒区通过自发极化产生若干电场峰值，大大提升产品成品率。
一种击穿电压 gan hemt 元件

[发明专利]一种屏蔽量子阱区极化场效应的发光二极管外延结构-CN201610260332.2在审
发明人：张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明一种屏蔽量子阱中极化场效应的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构由下到上依次排列包括：衬底、缓冲层、非掺杂半导体材料层、掺杂N型半导体材料层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型半导体材料，其中在多量子阱层中通过量子垒中组份渐变的结构来实现量子垒中产生极化体电荷，从而会起到屏蔽量子阱区极化场的作用，克服了屏蔽量子阱区极化场效应的现有技术存在屏蔽量子阱区极化场的工艺复杂、效果不明显和影响空穴传输的缺陷。
一种屏蔽量子极化场效应发光二极管外延结构

[发明专利]包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管及制备方法-CN201710548788.3在审
发明人：李喜林;马平;刘波亭;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：其中，包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管包括衬底；成核层，形成于衬底之上；缓冲层，形成于成核层之上；沟道层，形成于缓冲层之上；势垒层，形成于沟道层之上；以及P型超晶格，形成于势垒层之上。通过在势垒层上生长P型超晶格结构，从而提高空穴浓度，耗尽沟道中的二维电子气，获得增强型高电子迁移率晶体管，且将栅极区域以外极化掺杂的P型超晶格层去除，保留这些区域的二维电子气，可以保证器件有很低的通态电阻
包含晶格增强电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310589065.X在审
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：有机电致发光器件的电子注入层的材质为钠盐、第一有机材料与第二有机材料按照质量比1:10:0.1～3:5:0.1混合形成的混合物。钠盐熔点较低，极易蒸镀，成膜性好，而且功函数较高，与电子传输材料的LUMO能级比较接近，可降低电子传输层与金属阴极之间的电子的注入势垒，提高电子注入能力。第一有机材料可提高电子的传输速率同时降低与相邻层之间的电子注入势垒，并阻止空穴穿越到阴极而造成空穴淬灭。第二有机材料HOMO能级很低，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，利于提高器件的发光效率。本发明制备方法简单，易于控制和操作，并且原材料容易获得。
一种有机电致发光器件及其制备方法

[实用新型]一种掺杂的肖特基势垒器件-CN201420442005.5有效
发明人：洪旭峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺杂的肖特基势垒器件；该肖特基势垒器件的势垒层是采用了掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层，而传统的肖特基势垒器件的势垒层是无掺杂的金属硅化物(M-Si)作为肖特基势垒层，掺杂磷的金属硅化物势垒层（P-MSi）较传统的无掺杂的金属硅化物(M-Si)势垒层，具有低的势垒高度，因此采用掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层的肖特基器件较传统的肖特基势垒器件，同等面积下
一种掺杂肖特基势垒器件

[发明专利]一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管-CN201810984772.1在审
发明人：郑雪峰;马晓华;郝跃;白丹丹 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底、位于衬底上的缓冲层和位于缓冲层上的沟道层；位于沟道层上的复合势垒层，包括第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层；位于第一势垒层上的阴极；位于第二势垒层上的复合阳极，包括阳极欧姆接触和阳极肖特基接触；位于第三势垒层上的P型GaN帽层；位于P型GaN帽层上的基极；覆盖在复合势垒层、P型GaN帽层、阳极肖特基接触和基极上的钝化层。本发明实施例的GaN基肖特基势垒二极管通过引入复合势垒层、P型GaN帽层、基极和复合阳极，在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压，改善了器件的击穿特性和可靠性。
势垒层复合势垒帽层肖特基势垒二极管肖特基接触阳极复合阳极沟道层缓冲层场板衬底器件击穿电压阳极欧姆接触阴极击穿特性开启电压钝化层减小引入覆盖

[实用新型]一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管-CN201720288143.6有效
发明人：黎明 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管，包括由下至上的衬底、低温GaSb/AlSb超晶格缓冲层、AlGaSb缓冲层、GaSb沟道层、AlSb隔离层、AlGaSb势垒层、所述AlGaSb势垒层上一端面的第一梯度InXGa1‑XSb帽层和相对另一端面的第二梯度InXGa1‑XSb帽层，还包括形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层上的源极和第二梯度InXGa1‑XSb帽层上的漏极，形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层和第二梯度InXGa1‑XSb帽层之间且位于AlGaSb势垒层上的栅极，所述AlGaSb势垒层具体为P型掺杂结构，与GaSb沟道层之间形成二维空穴气，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应并降低功耗
一种基于衬底沟道场效应晶体管

[实用新型]一种硅基异质集成的P型沟道HFET器件外延结构-CN201620589614.2有效
发明人：黎明 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及了一种硅基异质集成的P型沟道HFET器件外延结构，所述外延结构从下至上依次为衬底、低温成核层、缓冲层、G沟道层、隔离层、势垒层、帽层，所述沟道层与势垒层之间形成二维空穴气，提升迁移率，所述沟道层与势垒层之间插入隔离层
一种硅基异质集成沟道 hfet 器件外延结构