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[发明专利]一种抗总剂量辐照的VDMOS终端结构的制作方法-CN202311007879.8在审
发明人：徐政;吴素贞;洪根深 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种抗总剂量辐照的VDMOS终端结构的制作方法，属于半导体领域。在硅晶圆中形成P‑场限环和N‑截止环；不进行光刻，对整个终端进行硼离子注入和推结，形成界面电荷屏蔽层；在表面淀积SiO2并进行光刻和腐蚀，形成有源区；光刻形成P+图形窗口和N+图形窗口，分别进行BF2和As注入用于P+欧姆接触和N+欧姆接触；生长栅氧，淀积多晶，多晶刻蚀形成多晶场板；再淀积SiO2，形成接触孔，暴露出N+欧姆接触和P+欧姆接触用于金属欧姆接触；淀积金属，进行金属刻蚀形成金属场板；在背面淀积金属形成漏极。本发明在常规终端中增加界面电荷屏蔽层，对总剂量辐照后生成的界面电荷起到补偿作用，在总剂量辐照的条件下保持终端耐压不降低，实现了总剂量辐照加固。
一种剂量辐照 vdmos 终端结构制作方法

[发明专利]一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件场区结构的制备方法-CN202310880163.2在审
发明人：徐政;吴素贞;洪根深 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件场区结构的制备方法，属于功率开关器件领域。提供硅晶圆材料，在硅晶圆材料中进行P+注入形成P+低阻层；进行N+注入形成浅结N+阻挡层；制作场区SiO2，覆盖于浅结N+阻挡层上；制作多晶互连线，位于场区SiO2上；制作接触孔；制作源极和漏极。本发明通过在n‑外延层中形成P+低阻层，提高了器件收集空穴电荷的能力；在P+低阻层中形成浅结N+阻挡层，减小了多晶下SiO2中的电场强度，从而减轻了VDMOS器件的单粒子烧毁效应，实现VDMOS器件的单粒子加固。
一种粒子烧毁 vdmos 器件场区结构制备方法

[发明专利]基于变长指纹的数据重删方法、装置及可读介质-CN202310801832.2在审
发明人：汪渭春;毛波;吴素贞;陈逸飞;王伟;张志强;夏伟强;陈伟;谢飞 -专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司;厦门大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于变长指纹的数据重删方法、装置及可读介质，对输入文件进行分块，根据数据块的长度采用不同的哈希算法计算数据块对应的指纹；响应于在LRU缓存中查询不到该指纹，则根据该指纹所对应的哈希算法在不同的持久化存储介质中查询；响应于在持久化存储介质中查询到该指纹，将该指纹和元数据存入LRU缓存中，并利用局部性原理将包含该指纹的输入文件中同属于同一持久化存储介质的指纹全部存入LRU缓存中；响应于在持久化存储介质中查询不到该指纹，则构建该指纹的元数据并存储在对应的持久化存储介质，并将该指纹对应的数据块存储在开放容器中，在持久化存储介质中采用对应格式的指纹存储文件对元数据进行分类存储，加快查找。
基于变长指纹数据方法装置可读介质

[发明专利]基于子文件的数据重删方法、装置及可读介质-CN202310793835.6在审
发明人：毛波;吴素贞;汪渭春;陈逸飞;王伟;张志强;夏伟强;陈伟;谢飞 -专利权人：厦门大学;杭州海康威视数字技术股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F16/174 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于子文件的数据重删方法、装置及可读介质，获取输入文件，判断输入文件为Office文件或Pdf文件；响应于确定输入文件为Office文件，循环解析Office文件中的局部文件数据，对局部文件数据计算指纹信息，并存入recipe，直至检测到中央目录记录；响应于确定输入文件为Pdf文件，对Pdf文件解析得到stream数据，对stream数据计算指纹信息，并存入recipe；将Office文件中的局部文件数据以及Pdf文件中的stream数据定义为数据块，查询数据块对应的指纹信息是否存在于持久化存储介质的元数据保存结构体数组中，得到查询结果，根据查询结果进行重删，可有效提高重删效率。
基于文件数据方法装置可读介质

[发明专利]基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法-CN202310598091.2在审
发明人：徐政;吴素贞;洪根深;谢儒彬;张庆东;徐海铭;廖远宝;唐新宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法，属于功率开关器件领域。首先提供硅晶圆材料，通过P+注入形成P+低阻；接着在P+低阻表面制作多晶和多晶硅化物，减小多晶硅化物的互连线条宽；然后制作接触孔和硅孔结构；最后在形成硅孔之后实施P++注入，最后制作金属结构。本发明针对抗辐射VDMOS器件的多晶互连线结构做出改进优化，使用多晶硅化物代替多晶，把多晶硅化物互连线条宽减小到多晶互连线条宽的0.1倍，减小了单粒子穿过器件时的硅表面电压，实现VDMOS器件的单粒子加固。
基于多晶硅化物连线粒子辐射 vdmos 器件制造方法

[发明专利]一种抗单粒子辐射VDMOS器件终端的制造方法-CN202310727751.2在审
发明人：徐政;吴素贞;洪根深;谢儒彬;张庆东;徐海铭;廖远宝;唐新宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种抗单粒子辐射VDMOS器件终端的制造方法，属于半导体器件领域，包括如下步骤：提供包括n+硅衬底和n‑外延层的硅晶圆；在n‑外延层中形成P‑场限环；在n‑外延层中形成N‑截止环；在P‑场限环中形成P+收集环；依次淀积SiO2和多晶并进行多晶刻蚀形成多晶场板；再淀积SiO2，刻蚀形成多晶接触孔和硅接触孔；继续刻蚀多晶场板及单晶硅衬底形成硅凹槽；在正面淀积正面金属并进行刻蚀形成金属场板；在n+硅衬底的背面淀积背面金属形成漏极。本发明提高了VDMOS终端场限环收集空穴的能力，实现了终端单粒子加固，可用于航空航天领域电推进系统、电源系统中功率器件的设计与制造，在辐射环境中实现高效电力电子转换。
一种粒子辐射 vdmos 器件终端制造方法

[发明专利]一种易于集成的耗尽型MOSFET器件结构-CN202310167097.4在审
发明人： 吴素贞;洪根深;徐政;徐海铭;郑若成;谢儒彬;张庆东 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种易于集成的耗尽型MOSFET器件结构，属于MOSFET集成电路制造领域，第一导电型阱区形成于半导体衬底上，第二导电型沟道区形成于第一导电型阱区上；第二导电型沟道区上形成有栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成有栅电极；栅电极的两侧分别形成有第二导电型源极区和第二导电型漏极区；第二导电型源极区和第二导电型漏极区的宽度要分别大于第二导电型沟道区，第二导电型沟道区宽度方向上的两侧第一导电型阱区也被栅极绝缘膜覆盖，通过调整栅极绝缘膜所覆盖的第二导电型沟道区的宽度与所覆盖的第一导电型阱区的宽度比，调整耗尽型MOSFET的开态饱和特性和关态漏电特性。本发明与常规增强型MOSFET兼容、工艺流程简单，能够提高耗尽型MOSFET器件的可集成性。
一种易于集成耗尽 mosfet 器件结构

[发明专利]提高闪存可靠性的缓存管理方法、装置、设备和储存介质-CN202211341478.1有效
发明人：曾令仿;毛波;吴素贞;杜春锋;陈光;李勇;朱世强 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了提高闪存可靠性的缓存管理方法、装置、设备和储存介质，该装置包括主控模块、缓存管理模块和可靠性记录表，该方法是通过主控模块进行闪存的控制和管理，缓存管理模块管理读缓存和写缓存，可靠性记录表记录数据块在缓存中的驻留时间。此方法减轻闪存块由于接近擦除极限而导致的数据丢失问题，从而在保证闪存存储性能的同时提高了闪存存储的可靠性。
提高闪存可靠性缓存管理方法装置设备储存介质

[发明专利]一种基于数据引用率的闪存/SCM混合阵列方法、装置和设备-CN202211265789.4在审
发明人： 吴素贞;王圣哲;毛波 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于数据引用率的闪存/SCM混合阵列方法，涉及计算机存储领域。构建以Flash闪存存储数据和新型存储介质SCM存储校验信息的RAID4架构，包括：(1)初始化：主控模块首先初始化闪存和SCM，然后初始化元数据；(2)读写请求处理：经由第一步初始化后，接收到读写请求后，进入读写请求处理模块，该模块处理用户发起的读写请求；(3)数据恢复：经由第一步初始化后，接收到数据恢复请求后，进入数据恢复模块，该模块完成数据的恢复工作；(4)基于条带的垃圾回收；利用SCM比Flash介质具有更好的耐久性和读写性能的特征，提高存储系统的整体性能。使用基于条带的垃圾回收策略，将引用次数高的数据块存储在同一条带，减少写放大。
一种基于数据引用闪存 scm 混合阵列方法装置设备

[发明专利]一种基于多段线性回归模型的固态盘地址转换加速方法-CN202211166847.8在审
发明人：毛波;吴素贞;王圣哲;林子航 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G06F12/1009 文献下载
摘要：本发明提出一种基于多段线性回归模型的固态盘地址转换加速方法，包括初始化步骤、数据写操作步骤、垃圾回收与模型训练步骤以及数据读操作步骤；在固态盘的内存中为闪存中的全局映射表分组建立低开销的多段线性回归模型，并随固态盘的垃圾回收周期性更新。对于无法在需要局部性的热映射表中命中的逻辑页号，可以在模型中尝试命中，极大地减少了固态盘随机读场景下地址转换中的双读问题带来的查找开销，进而提高固态盘的随机读取性能。
一种基于线性回归模型固态地址转换加速方法

[发明专利]一种基于持久性内存的指纹存储方法-CN202210587980.4在审
发明人： 吴素贞;毛波;杜春锋;王圣哲;林子航 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提出一种基于持久性内存的指纹存储方法，结合持久性内存PM的特性，将指纹索引等元数据从底层设备中剥离，并放置在持久性内存PM中。同时，本发明为PM中未被缓存的指纹元数据构建布隆过滤器且保存在DRAM中。当用户发出写请求时，系统如果在DRAM缓存中查找不到对应的指纹元数据，则可以通过布隆过滤器来确定对应的指纹元数据是否保存在持久性内存PM中，从而避免了传统方式中通过I/O方式在底层设备中查找的过程，极大减小了重复数据删除系统的数据处理过程中对指纹索引等元数据的查找开销。
一种基于持久性内存指纹存储方法

[发明专利]一种抗辐射平面型VDMOS提高阈值电压精度的工艺方法-CN202010228995.2有效
发明人：徐政;吴素贞;徐海铭;廖远宝;吴锦波;赵文彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种一种抗辐射平面型VDMOS提高阈值电压精度的工艺方法，属于VDMOS产品技术领域。在硅晶圆的外延层上涂胶并曝光出图形窗口，注入磷离子，去胶清洗后推结形成JFET区域；在硅晶圆的外延层上涂胶并曝光出图形窗口，注入硼离子，去胶清洗后推结形成P‑区域；在P‑区域中涂胶、曝光出图形窗口，注入硼离子，去胶清洗形成P+区域；在P‑区域中涂胶、曝光出图形窗口，注入砷离子和磷离子，去胶清洗形成N+区域；在硅晶圆的外延层上采用热氧化的方式，生长牺牲氧化层并剥离；在硅晶圆的外延层上采用热氧化的方式生长栅氧。
一种辐射平面 vdmos 提高阈值电压精度工艺方法

[发明专利]抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法-CN202010312078.2有效
发明人： 吴素贞;徐政;徐海铭;洪根深;赵文彬;吴建伟;谢儒彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。提供外延基片，在所述外延基片上形成AlN成核层和GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上制作选区背势垒埋层；继续外延生长非掺杂GaN沟道层、AlxGa1‑xN势垒层和p型GaN:Mg层；其中x为15％～25％；刻蚀掉栅极区域以外的p型GaN:Mg层，形成栅极区域；在表面淀积SiN；进行源/漏极金属淀积并光刻定义源/漏极，进行栅极金属淀积并光刻定义栅极；完成金属互连工艺。通过去除栅极区域下方的背势垒层，可以减轻单粒子引起的空穴在栅极区域下方的积累，提高增强型p型栅GaN HEMT器件的抗单粒子失效能力，特别是对于＞200V的高电压等级器件。
粒子失效高压增强 gan 功率 hemt 器件制作方法

[发明专利]一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法-CN202010831685.X有效
发明人： 吴素贞;徐政;徐海铭;洪根深;贺琪;赵文彬;吴建伟;谢儒彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。通过在n+型GaN衬底和n‑型GaN外延层中间插入一定厚度的高掺杂的n型GaN缓冲层，并结合此垂直器件中的p型GaN：Mg的电流阻挡区域、p型GaN增强型栅的结构特点，使得高能单粒子入射沉积的高密度非平衡载流子，能够高效地消除，减轻非平衡载流子对关态电场的扰动，避免出现电场集中，保证单粒子下的高压GaN器件击穿电压不会显著下降。此外，增加的高掺杂n型GaN缓冲层能够阻挡单粒子径迹前沿对n‑型GaN外延层/n+型GaN衬底高低结的影响，避免单粒子径迹前沿上的n‑/n+结提前击穿。
一种粒子烧毁垂直氮化功率器件制作方法

[发明专利]一种在加密情境下减少非易失性内存写放大方法-CN202210073380.6在审
发明人：毛波;吴素贞;吴嘉鹏;杜春锋;陈佳泓 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提出一种在加密情境下减少非易失性内存写放大方法，包括：计数器产生步骤，加密步骤，加密计数器纠删码融合步骤，数据写入步骤，数据读取步骤，密文解密步骤，数据验证纠错步骤。本发明提出的方法在不影响缓存行数据的可靠性的前提下，通过将加密计数器融入到缓存行的纠删码中，减轻在加密情境下由于需要额外写入加密元数据导致的写放大问题，同时通过扩大加密计数器的大小来减少重新加密的频率，提高非易失性内存的使用寿命，降低读写延迟和使用能耗。
一种加密情境减少非易失性内存放大方法

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