专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高能量效率的摩擦纳米发电机驱动全解水系统及方法-CN202310882053.X在审
  • 程纲;轩宁宁;龚乐乐;宋春晖;杜祖亮 - 河南大学
  • 2023-07-18 - 2023-10-24 - C25B9/65
  • 本发明属于自驱动电解水领域,涉及一种高能量效率的摩擦纳米发电机驱动全解水系统及方法,用以解决发电机与电化学体系阻抗不匹配的技术问题。该系统包括摩擦纳米发电机和全解水系统;其中摩擦纳米发电机为脉冲式摩擦纳米发电机,其电源管理电路由电容、电感、二极管和能量收集芯片组成。所述全解水系统为两电极体系,其中KOH溶液为电解质,Pt丝为阴极,β‑Ni(OH)2/NF催化剂为阳极。本发明中摩擦纳米发电机收集机械能转化为电能,经过电源管理电路对摩擦纳米发电机的输出能量进行管理后,输入到全解水系统,驱动全解水体系阴极制氢,阳极产氧。本发明通过收集机械能实现了高能量利用效率的摩擦纳米发电机驱动全解水体系的构建。
  • 一种高能量效率摩擦纳米发电机驱动水系方法
  • [发明专利]一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件-CN202111598097.7有效
  • 杜祖亮;王书杰;张肖月;方岩 - 河南大学
  • 2021-12-24 - 2023-09-22 - H10K50/16
  • 本发明提供了一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件,属于光电材料技术领域。本发明提供的ZnO基复合层材料的电阻高于ZnO,降低了电子传输层的电子迁移率,减小了电子注入与传输的效率,有效调控了ZnO层的电子注入能力;其中,胺基修饰的SiO2包覆层的NH2‑封端可在发光层/电子传输层的界面形成偶极层,构成界面间的逆向电场,改变电子注入的方式,进一步调控了界面的电子传输,使QLED的电荷注入趋近完全平衡,降低了由于载流子注入不平衡引起的非辐射复合;SiO2壳层隔绝了ZnO与量子点的直接接触,有效削弱了ZnO表面的缺陷态对量子点的荧光猝灭,最终提高了QLED器件的外量子效率和使用寿命。
  • 一种zno复合材料及其制备方法qled器件
  • [发明专利]一种核壳结构的CsPbBr3-CN202310803702.2在审
  • 杜祖亮;黄光光;孙凯伟;王书杰 - 河南大学
  • 2023-06-30 - 2023-09-12 - C09K11/02
  • 本发明属于半导体钙钛矿量子点合成技术领域,具体涉及一种核壳结构的CsPbBr3钙钛矿量子点及其合成方法、应用。本发明的核壳结构的CsPbBr3钙钛矿量子点的合成方法,以配体辅助金属盐溶于非极性溶剂中,通过过饱和结晶析出端烯烃的CsPbBr3钙钛矿量子点,然后通过交联分子四(3‑巯基丙酸)季戊四醇酯与CsPbBr3钙钛矿量子点表面烯烃的点击反应,生成有机交联分子层作为CsPbBr3钙钛矿量子点的包壳的量子点。由于量子点具有无机钙钛矿晶核与有机配体壳的核壳结构,能够赋予CsPbBr3钙钛矿量子点以优良的荧光量子产率和结构稳定性,十分符合新一代高效照明与显示对钙钛矿量子点材料的制备和应用需求。
  • 一种结构cspbbrbasesub
  • [发明专利]一种钙钛矿量子点的电流体动力自动化合成方法-CN202211509253.2有效
  • 杜祖亮;黄光光;王书杰 - 河南大学
  • 2022-11-29 - 2023-09-01 - C09K11/66
  • 本发明属于半导体量子点合成技术领域,具体而言,涉及一种钙钛矿量子点的电流体动力自动化合成方法。本发明提供的自动化合成方法,包括如下步骤:(1)制备铯前驱体溶液、卤化铅前驱体溶液、稳定液;(2)控制铯前驱体溶液与卤化铅前驱体溶液的流速,使两路前驱体溶液在同轴针头尾端交汇并通过高压电场下电流体形成的泰勒锥的锥射流完成混合,然后采用气泡流使初形成的钙钛矿量子点与稳定液充分混合,即得。本发明通过简单的微机械系统与流体流动实现钙钛矿量子点的大规模自动化制备,在节约人力成本的同时能够保证钙钛矿量子点的质量,赋予钙钛矿量子点高的荧光量子效率,适合照明与显示器用半导体发光材料的合成应用。
  • 一种钙钛矿量子流体动力自动化合成方法
  • [发明专利]一种硒元素贯穿的核壳结构量子点及其制备方法-CN202210230639.3有效
  • 王垒;刘意婷;申怀彬;杜祖亮;李林松 - 河南大学
  • 2022-03-10 - 2023-07-28 - C09K11/88
  • 本发明提出的是一种硒元素贯穿的核壳结构量子点,其结构包括CdSe晶核和硒元素贯穿的壳层,硒元素贯穿的壳层生长在CdSe晶核的外层;所述硒元素贯穿的壳层包括CdZnSe壳层,CdZnSe壳层生长在CdSe晶核的外层。一种硒元素贯穿的核壳结构量子点的制备方法,该方法包括以下步骤:1、制备CdSe晶核;2、在CdSe晶核外包覆生长CdZnSe壳层,形成CdSe/CdZnSe核壳结构量子点。本发明解决了现在硒元素贯穿核壳结构量子点在壳层生长过程中由于壳层材料与晶核之间固有的较大晶格失配度以及壳层生长温度较低等原因导致的量子产率降低、荧光半峰宽宽化等问题。
  • 一种元素贯穿结构量子及其制备方法
  • [发明专利]一种紫外光固化共聚型量子点光学膜及其制备方法-CN202210799275.0有效
  • 杜祖亮;黄光光;王书杰 - 河南大学
  • 2022-07-06 - 2023-03-31 - C08J5/18
  • 本发明属于量子点光学膜领域,具体涉及一种紫外光固化共聚型量子点光学膜及其制备方法。本发明的制备方法,包括以下步骤:1)将端基含巯基的星型有机分子、异氰脲酸三烯丙酯混合均匀,得到弹性体,然后加入阻聚剂、紫外光引发剂混合均匀,得到预聚物;2)将含烯酸配体的量子点粉末与预聚物在避光条件下混合均匀,得到预固化胶水;3)将预固化胶水制膜,然后在紫外光辐照下固化,即得。本发明中,弹性体不同单体之间及弹性体与量子点之间均通过硫醇‑烯烃的点击反应进行共聚生长,并且采用紫外光引发固化。该制备方法简单、成本低廉,同时制备得到的光学膜具有宽的色域和良好的湿度稳定性,在显示领域具有良好的应用前景。
  • 一种紫外光固化共聚量子光学及其制备方法
  • [发明专利]一种微纳半导体器件的打印式构筑方法-CN202011489384.X有效
  • 杨光红;黄晓伟;贾瑜;杜祖亮 - 河南大学
  • 2020-12-16 - 2022-10-11 - H01L21/34
  • 本发明公开了一种微纳半导体器件的打印式构筑方法:(1)在衬底上沉积材料源和栅极金属材料;(2)在材料源表面施加纳米级的强电场,并控制强电场进行移动,强电场附近的材料源在焦点强场效应及小团簇自身属性作用下,会在沿强电场空间运动轨迹上,形成相应的稳定纳米结构;(3)根据需要构筑的微纳半导体器件的形状重复步骤(2),使强电场诱导生长的纳米结构空间接触,形成异质结或同质结;(4)在异质结或同质结上沉积栅极电介质材料;(5)在栅极金属材料表面施加强电场,并控制强电场进行移动,在沿强电场空间运动轨迹上形成与栅极电介质材料接触的栅极电极结构;(6)沉积电极。本发明降低了3D微纳结构器件的构筑成本。
  • 一种半导体器件打印构筑方法
  • [发明专利]一种气体传感装置-CN202110219193.X有效
  • 程纲;郭俊猛;甘家辉;阮浩然;杜祖亮 - 河南大学
  • 2021-02-26 - 2022-09-09 - G01N27/12
  • 本发明公开了一种气体传感装置,气体传感装置包括:第一电源、等离子体模块和气体感应模块。第一电源用于提供大于30伏且小于8000伏的直流电;等离子体模块,与第一电源的负极连接,用于利用直流电进行放电;气体感应模块,与等离子体模块对应设置,与第一电源连接,用于与等离子体模块相互反应,产生电离现象;气体感应模块包括源电极、漏电极、金属氧化物和绝缘衬底;源电极、漏电极和金属氧化物搭载在绝缘衬底的表面,金属氧化物设置在源电极和漏电极之间;源电极与第二直流电源连接,漏电极和第一电源的正极连接,漏电极和第一电源的正极并均与地连接。本发明实现了在室温下的气体检测,提高了气体检测灵敏度。
  • 一种气体传感装置
  • [发明专利]一种卷对卷制备胶体量子点单层膜的装置及方法-CN202210647897.1在审
  • 杜祖亮;马海光;陆秀娟;胡彬彬 - 河南大学
  • 2022-06-09 - 2022-09-02 - H01L51/56
  • 本发明公开一种卷对卷制备胶体量子点单层膜的装置及方法,包括铺展槽、溶液铺展组件和卷对卷转移机构,卷对卷转移机构由柔性衬底、主动滚筒、从动滚筒及两个导向滚筒组成,铺展槽的四个角分别设有支架,主动滚筒的两端分别安装在铺展槽左边的两个支架上,从动滚筒的两端分别安装在铺展槽右边的两个支架上,两个导向滚筒安装在铺展槽内,铺展槽内设有固定架,溶液铺展组件固定在铺展槽内固定架的斜面上,溶液铺展组件由硅片、玻璃片和毛细管构成,柔性衬底的一端固定在从动滚筒上,并依次通过两个导向滚筒,另一端固定在主动滚筒上,铺展槽内盛有液体载体。本发明能够快速高效制备大面积量子点单层膜。
  • 一种制备胶体量子单层装置方法
  • [发明专利]一种完全梯度合金量子点及其制备方法-CN202210230527.8在审
  • 申怀彬;高岩;樊逢佳;王阿强;杜祖亮 - 河南大学
  • 2022-03-10 - 2022-05-17 - C09K11/88
  • 本发明提出的是一种完全梯度合金量子点,其结构包括核体量子点;所述核体量子点为Cd1‑mZnmSe量子点,其中,0≤m≤1;所述Cd1‑mZnmSe量子点从核体中心到核体表面Cd元素含量和Zn元素含量呈梯度分布;其结构还包括外壳层;所述外壳层为ZnSeyS1‑y外壳,其中,0≤y≤1;从ZnSeyS1‑y外壳的内层到ZnSeyS1‑y外壳的外层Se元素含量和S元素含量呈梯度分布。一种制备完全梯度合金量子点的方法,该方法包括:1、制备核体材料分散液;2、制备外壳层材料分散液;3、将外壳层材料分散液滴加至核体材料分散液中,在核体量子点的表面原位生长外壳层材料,得到完全梯度合金量子点。
  • 一种完全梯度合金量子及其制备方法
  • [发明专利]一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法-CN201910284885.5有效
  • 杜祖亮;王书杰;张梦华;王啊强;方岩 - 河南大学
  • 2019-04-10 - 2022-05-13 - H01L51/56
  • 一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法,包括如下步骤:(1)在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层;(2)在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液,制得界面修饰层A;(3)在界面修饰层A上沉积量子点发光层,所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点;(4)在量子点发光层上沉积PEIE溶液,制得界面修饰层B;(5)在界面修饰层B上沉积空穴传输层和空穴注入层,所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly‑TPD、TCTA、CBP中的一种或多种,所述的空穴注入层为PEDOT:PSS;(5)蒸镀顶电极,所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极;待器件蒸镀完成后,对其进行封装即可。
  • 一种peie介入标准倒置qled器件及其制备方法

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