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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201810789212.0在审
发明人：陆旭兵;唐乃维;麦嘉盈 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法，该锆掺杂有机薄膜晶体管包括衬底以及在衬底表面依次层叠的栅电极、镧锆氧化物介电薄膜、PαMS薄膜、并五苯有缘层和源漏电极。该制备方法首先在清洗干净的衬底上沉积底栅电极，然后将镧锆氧化物前驱体涂覆在栅电极上后进行热处理，制得镧锆氧化物介电薄膜，接着在介电薄膜上旋涂修饰层，最后制备有源层和源漏电极，即可得到锆掺杂有机薄膜晶体管本发明的锆掺杂有机薄膜晶体管具有低工作电压和高迁移率，其制备方法条件温和、操作简单、制备成本低。
有机薄膜晶体管制备锆掺杂镧锆氧化物介电薄膜源漏电极栅电极衬底低工作电压热处理衬底表面底栅电极高迁移率依次层叠并五苯前驱体修饰层上旋涂覆源层沉积薄膜清洗

[发明专利]一种构建混合型位错原子结构的方法-CN201811185640.9在审
发明人：吕柏林;张艺程;苏辉;吴敏;高学朋 -专利权人：辽宁石油化工大学
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G06N99/00 文献下载
摘要：该方法的主要内容包括，在给定包含晶体模型的原子结构信息的文件的前提下，利用C/C++语言提取该文件中的晶体模型原子结构信息，自动计算出在该晶体模型特定位置特定方位包含拟构建混合型位错的原子坐标，然后按分子动力学软件能识别的文件格式输出数据到文件本发明可方便快捷地在晶体模型内部任意位置直接构建任意位向、任意组态的一个或多个混合型位错，为分子动力学及其它计算机仿真技术对位错行为的精准研究创造了有利条件。
原子结构晶体模型构建位错分子动力学计算机仿真技术输出数据位置特定文件格式原子坐标自动计算对位组态语言研究

[发明专利]从低到高逻辑电平转换电路-CN201210520073.4在审
发明人：武洁;苏威;韩志强 -专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种从低到高逻辑电平转换电路，包括：一锁存器，其输入为差分对管，由第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管构成，负载为交叉耦合对管，由第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管构成；一驱动器，设置在所述锁存器中
低到高逻辑电平转换电路

[发明专利]具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201410063293.8在审
发明人：王敬;肖磊;赵梅;梁仁荣;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。本发明的鳍式场效应晶体管形成方法能够形成具有SiGeSn源漏的FinFET，其SiGeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。
具有 sigesn 场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201410063193.5在审
发明人：王敬;肖磊;赵梅;梁仁荣;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。本发明的鳍式场效应晶体管形成方法能够形成具有SiGeSn源漏的FinFET，其SiGeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。
具有 sigesn 场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]射频识别标签芯片的存储器读取电路-CN201210389989.0在审
发明人：孔维新;赵海波;王彬;于跃 -专利权人：扬州稻源微电子有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：读取电路包括：高压隔离MOS晶体管，并且还包括：用于控制所述高压隔离MOS晶体管的导通状态的栅极控制电路模块、和电容自举电路模块，电容自举电路模块用于抬升所述栅极控制电路模块的输出电压，以使高压隔离MOS晶体管在读操作时导通、并且使所述高压隔离MOS晶体管传输至所述存储器的电压大于或等于偏置在该读取电路上的所述读电压。
射频识别标签芯片存储器读取电路

[发明专利]氮化物功率晶体管及其制造方法-CN201310482335.7在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物功率晶体管及其制造方法，该氮化物功率晶体管包括：硅衬底，硅衬底中包括用以形成空间电荷耗尽区的不同掺杂的半导体复合结构；位于硅衬底上的氮化物成核层；位于氮化物成核层上的氮化物缓冲层；通过在氮化物功率晶体管的硅衬底中引入可以形成空间电荷耗尽区的不同掺杂的半导体复合结构，使得氮化物功率晶体管可以承受较高的外加电压，提高器件的击穿电压。
氮化物功率晶体管及其制造方法

[发明专利]CMOS晶体管的制作方法-CN201210241827.2在审
发明人：李凤莲;倪景华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS晶体管的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括与NMOS晶体管对应的第一区域和PMOS晶体管对应的第二区域；在所述第一区域上表面形成第一栅极结构，且在所述第二区域上表面形成第二栅极结构；在所述第一栅极结构本发明工艺简单，成本低，且可以提高NMOS晶体管的电子迁移率。
cmos 晶体管制作方法

[发明专利]基于半导体纳米结构的晶体管器件及其制备方法-CN201310525012.1在审
发明人：郭奥;任铮;胡少坚;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于一维半导体纳米结构的晶体管器件，包括：Si/SiO2衬底；源极和漏极，形成于所述衬底上；一维的半导体纳米结构，其两端分别连接所述源极和漏极，且其表面覆盖一层高k栅介质层；分立栅极，形成于所述高本发明的晶体管器件能够根据施加于分立栅极的电压而工作于场效应晶体管模式或单电子晶体管模式。
基于半导体纳米结构晶体管器件及其制备方法

[发明专利]功率半导体封装体及其制造方法-CN201210212518.2在审
发明人：谢智正;冷中明 -专利权人：尼克森微电子股份有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：第一芯片设置于电源引线板上，第一芯片内部的高侧功率晶体管的栅极接至第一栅极引线板；第二芯片设置于接地板上，第二芯片内部的低侧功率晶体管的栅极接至第二栅极引线板。连接片设置于第一、第二芯片与输出引线板上，电气连接高侧功率晶体管的源极与低侧功率晶体管的漏极。
功率半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体装置和及其制造方法-CN201310303981.2在审
发明人：山崎舜平;细羽幸;平石铃之介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种包括薄膜晶体管和连接至该薄膜晶体管的布线的半导体装置，其中，该薄膜晶体管具有处于氧化物半导体层中的沟道形成区，并且将铜金属用于栅极电极、源极电极、漏极电极、栅极布线、源极布线以及漏极布线中的至少一个具有氧化物半导体层的晶体管的极其低的截止电流有助于降低半导体装置的功耗。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制作方法-CN201310500889.5在审
发明人：徐源竣 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光器件及其制作方法，所述有机电致发光器件包括：有机衬底层（22），提供柔性的基底并隔绝外部湿气；吸光层（24），设置在所述有机衬底层（22）之上；有源薄膜晶体管像素阵列，设置在所述吸光层（24）之上，所述有源薄膜晶体管像素阵列包括至少一经由激光退火工艺形成的结晶半导体层；以及有机电致发光层（29），设置在所述有源薄膜晶体管像素阵列之上；其中，所述吸光层（24）吸收在所述激光退火工艺中透过所述有源薄膜晶体管像素阵列而照射至所述吸光层
有机电致发光器件及其制作方法

[发明专利]纤维素酶交联晶体在硅胶板上的固定方法-CN201410071081.4在审
发明人：薛栋升;汪江波;彭春龙;周敏 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C12N11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种纤维素酶交联晶体在硅胶板上的固定方法，属于酶工程领域。纤维素酶交联晶体在硅胶板上的固定方法，包括如下步骤：将硅胶板用水浸泡、清洗后干燥；将纤维素酶溶液与沉淀剂混合均匀，将预处理的硅胶板置于混合液中使纤维素吸附到硅胶板上；再加入交联剂交联形成纤维素酶交联晶体本发明把纤维素酶交联晶体固定在硅胶板上，提高了纤维素酶的活性和稳定性，不需要回收就能反复利用，大幅度提高了纤维素酶的利用效率。
纤维素酶交联晶体硅胶固定方法

[发明专利]灯光控制装置-CN201510601939.8在审
发明人：张远香 -专利权人：成都市宏山科技有限公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种灯光控制装置，包括桥式整流电路和连接在桥式整流电路输入端的灯，所述的桥式整流电路的一输出端通过人体感应开关与可控硅的A端相连，另一输入端连接在可控硅的K端上；所述的可控硅的A端通过第一电阻与晶体管的漏极相连且K端分别通过第四电阻、电容与晶体管的源极、栅极相连，所述的可控硅的G端连接在晶体管的源极上；所述的晶体管的漏极和栅极之间连接有相串联的第二电阻和光敏电阻，其可对空间内是否有人进行监控，并根据光线强度对灯亮度进行调节
灯光控制装置

[发明专利]一种基于石英晶体微天平的博物馆微环境监测装置-CN201310088787.7在审
发明人：周浩;吴来明;王慧锋;蔡兰坤;颜秉勇;闫莹 -专利权人：上海博物馆;华东理工大学
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01N5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于石英晶体微天平的博物馆微环境监测装置，包括气体检测模块、MCU主电路、通信电路，气体检测模块包括基准频率源、传感器和振荡电路，传感器的石英晶体的电极上修饰聚苯胺涂层；振荡电路驱动石英晶体进行串联谐振输出频率为谐振频率的电压波形信号，并将该电压波形信号输入被测频率计数电路；基准频率源输出的电压波形信号输入至基准频率计数电路；MCU主电路分别与基准频率计数电路和被测频率计数电路相连，用于检测基准频率和被测石英晶体的频率
一种基于石英晶体天平博物馆环境监测装置

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