专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率模块及功率装置-CN202210032886.2在审
  • 冷中明;谢智正;王暐纶 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2022-01-12 - 2023-07-21 - H05K7/20
  • 本发明公开一种功率模块及功率装置。功率装置包含螺丝、散热元件及功率模块。功率模块包含基板、封装体及两个固定结构。各固定结构包含第一穿孔、两个弧形第二穿孔、环状结构及两个下沉结构。环状结构于第一穿孔及两个第二穿孔之间。两个下沉结构与环状结构相连接。两螺丝穿过两第一穿孔,而将功率模块固定于散热元件时,各下沉结构向散热元件弯曲,且各环状结构被螺丝固定于散热元件的平坦面。通过两个固定结构的设计,可以让基板的散热面,平贴于散热元件的平坦面,据以使功率模块运作所产生的热能,能有效地通过散热元件向外传递。
  • 功率模块装置
  • [发明专利]单向导通装置-CN201711070743.6有效
  • 冷中明 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2017-11-03 - 2023-03-10 - H03K17/567
  • 本发明公开一种单向导通装置,包括第一晶体管与驱动电路。驱动电路包括第一电路、第二电路与检测电路。第一晶体管耦接于单向导通装置的输入端与输出端之间。于第一电路中,第一导通单元耦接于单向导通装置的输入端与第一电阻之间。于第二电路中,第二导通单元耦接于单向导通装置的输出端与第二电阻之间。驱动电路通过检测电路检测是否存在一电流由第一导通单元与第一电阻之间的节点流向第二导通单元与第二电阻之间的节点,以导通或关闭第一晶体管,进而控制单向导通装置的导通或关闭。本发明中,功率损失较小,检测电路的电路架构简单且足以灵敏地检测单向导通装置的输入端与输出端的电压变化,能实时地使单向导通装置导通或关闭。
  • 向导装置
  • [实用新型]功率模块及功率装置-CN202220071444.4有效
  • 冷中明;谢智正;王暐纶 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2022-01-12 - 2022-07-26 - H05K7/20
  • 本实用新型公开一种功率模块及功率装置。功率装置包含螺丝、散热元件及功率模块。功率模块包含基板、封装体及两个固定结构。各固定结构包含第一穿孔、两个弧形第二穿孔、环状结构及两个下沉结构。环状结构于第一穿孔及两个第二穿孔之间。两个下沉结构与环状结构相连接。两螺丝穿过两第一穿孔,而将功率模块固定于散热元件时,各下沉结构向散热元件弯曲,且各环状结构被螺丝固定于散热元件的平坦面。通过两个固定结构的设计,可以让基板的散热面,平贴于散热元件的平坦面,据以使功率模块运作所产生的热能,能有效地通过散热元件向外传递。
  • 功率模块装置
  • [发明专利]功率模块-CN201910763448.1在审
  • 冷中明;谢智正 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2019-08-19 - 2021-02-23 - H01L25/18
  • 本发明公开一种功率模块。功率模块的载板组件包括一底板、一电路板、一导线架以及一焊垫组。电路板设置于底板的一承载面上。电路板包括一元件设置部以及一延伸部,延伸部由元件设置部的其中一侧边延伸。导线架设置在底板上,且至少包括彼此电性绝缘的第一导电部以及一第二导电部。电路板的延伸部嵌于第一导电部与第二导电部之间,且导线架的上表面以及延伸部的上表面切齐。焊垫组包括一第一焊垫、一第二焊垫以及一第三焊垫。第一焊垫设置在延伸部上,第二焊垫与第三焊垫分别设置在第一导电部与第二导电部上。功率模块还包括至少一功率元件,且功率元件通过焊垫组设置在载板组件上。
  • 功率模块
  • [发明专利]功率金属氧化物半导体晶体管的模拟模型-CN201910620557.8在审
  • 冷中明;王暐纶 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2019-07-10 - 2021-01-29 - G06F30/20
  • 一种功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型,用以对功率金属氧化物半导体场效晶体管的多个参数进行测量,以分别产生对应的多个模拟结果,功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型包括第一压控电压源、第一查表电流源、晶体管子电路及崩溃电压模块。其中,第一压控电压源响应于温度变化,以第一子电路模拟栅极节点上的栅极电荷行为。第一查表电流源用以依据第二子电路的查表电流值,模拟栅极漏极间电容所产生的等效电流值。晶体管子电路用于模拟导电电压于小电流区间及大电流区间中的行为。崩溃电压模块依据第一子电路的电压值,模拟漏极节点及源极节点之间的崩溃电压效应。
  • 功率金属氧化物半导体晶体管模拟模型
  • [发明专利]功率芯片封装结构-CN201811302746.2在审
  • 冷中明;谢智正 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2018-11-02 - 2020-05-12 - H01L23/31
  • 本发明公开一种功率芯片封装结构。功率芯片封装结构包括薄化芯片以及导电支撑材。薄化芯片具有主动侧以及相反于所述主动侧的背侧,且薄化芯片以主动侧朝向线路基板设置。导电支撑材设置于薄化芯片的背侧,以提供机械强度。导电支撑材具有面向薄化芯片的一内表面,且薄化芯片的一背侧的表面的面积与导电支撑材的内表面的面积的比值范围是由0.5至1之间。据此,可增加芯片封装结构的机械强度,以避免设置在基板上的薄化芯片,因为基板的弯折而被损坏。
  • 功率芯片封装结构
  • [发明专利]电源转换装置及其控制芯片-CN201310711469.1在审
  • 徐达经;冷中明 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2013-12-20 - 2015-06-24 - H02M1/32
  • 本发明提供一种电源转换装置及其控制芯片,该电源转换装置以一输入侧接收一交流输入电源,包括:电容、交直流转换单元及放电单元。其中,电容耦接在输入侧。交直流转换单元耦接输入侧,用以接收所述交流输入电源后进行转换以产生一直流输出电源。放电单元耦接电容,且具有至少两开关元件。当所述交流输入电源供应中断时,放电单元致能至少两开关元件,使得至少两开关元件形成的一第一放电路径与一第二放电路径的其中之一,作为泄放电容所储存的电能。本发明在交流输入电源供应中断时可快速泄放电容所储存的电能,并且在交流输入电源供应时保持极低功率消耗。
  • 电源转换装置及其控制芯片
  • [发明专利]低功耗泄放电路及具有低功耗泄放电路的交流转换系统-CN201210550426.5有效
  • 徐达经 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2012-12-17 - 2014-06-18 - H02M1/32
  • 本发明公开一种低功耗泄放电路,耦接于一交流电源、一输入滤波电容以及一整流滤波器;低功耗泄放电路包括由第一开关元件、第二开关元件以及控制器构成,其中,第一开关元件,耦接交流电源的第一输入端与整流滤波器的第一连接端;第二开关元件耦接该交流电源的第二输入端与整流滤波器的第一连接端;当检测该交流电源移除时,控制器控制第一开关元件与第二开关元件至少一个为导通状态。本发明还公开了一种具有低功耗泄放电路的交流转换系统。本发明的低功耗泄放电路及具有低功耗泄放电路的交流转换系统,以控制器控制第一开关元件与第二开关元件导通或截止状态,不但可以避免过高的功率耗损,而且符合安全电压规范要求,具有低功耗效果。
  • 功耗电路具有交流转换系统
  • [发明专利]多相直流对直流电源转换装置-CN201210230036.X有效
  • 徐达经 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2012-07-04 - 2014-01-22 - H02M3/06
  • 一种多相直流对直流电源转换装置在此揭露,其包括至少一个直流对直流电源转换模块。每一个直流对直流电源转换模块至少包括第一输出电感器、第二输出电感器以及电流侦测器。电流侦测器用以感测通过第一输出电感器与第二输出电感器的电流,包括第一电阻、第一电容、第二电阻、第二电容以及第三电阻。第三电阻直接或间接耦接于第一电容与负载电路之间,且第三电阻直接或间接耦接于第二电容与负载电路之间,使得当第一电容在充电状态时,对第一电容充电的充电电流部分流经第二电容。
  • 多相直流直流电源转换装置
  • [发明专利]功率半导体封装体及其制造方法-CN201210212518.2在审
  • 谢智正;冷中明 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2012-06-21 - 2014-01-15 - H01L25/16
  • 一种功率半导体封装体及其制造方法在此揭露,其中功率半导体封装体包含引线框架、第一芯片、第二芯片与单一连接片。引线框架具有电源引线板、接地板、输出引线板、第一栅极引线板与一第二栅极引线板,彼此分开设置。第一芯片设置于电源引线板上,第一芯片内部的高侧功率晶体管的栅极接至第一栅极引线板;第二芯片设置于接地板上,第二芯片内部的低侧功率晶体管的栅极接至第二栅极引线板。连接片设置于第一、第二芯片与输出引线板上,电气连接高侧功率晶体管的源极与低侧功率晶体管的漏极。
  • 功率半导体封装及其制造方法
  • [发明专利]功率因子修正控制器及其无桥式功率因子修正电路-CN201210077813.1无效
  • 徐达经 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2012-03-22 - 2013-09-25 - H02M7/12
  • 本发明提供一种功率因子修正控制器及其无桥式功率因子修正电路,用以控制至少一开关元件的导通状态;此功率因子修正控制器具有一反馈控制电路、一导通电流侦测电路与一开关元件控制电路;反馈控制电路依据一反馈电压信号,产生一反馈控制信号用以控制该开关元件中断;导通电流侦测电路,具有一筘位电路;此筘位电路至少依据一导通电流侦测信号的负电位部分,产生一在正电位范围内变化的电位变化信号;导通电流侦测电路至少依据所述电位变化信号,产生一截止信号以控制开关元件中断;开关元件控制电路依据反馈控制信号与截止信号,控制开关元件中断。本发明功率因子修正控制器可以解决功率因子修正电路不易控制的问题。
  • 功率因子修正控制器及其无桥式电路
  • [发明专利]发光二极管电流平衡驱动电路-CN201210037790.1无效
  • 李建青;冷中明 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2012-02-20 - 2013-08-21 - H05B37/02
  • 本发明涉及一种发光二极管电流平衡驱动电路,其具有一电流平衡线圈组、一开关元件与一控制电路;电流平衡线圈组具有至少一第一线圈与一第二线圈,分别串接一个发光二极管灯串,以平衡流经各个发光二极管灯串的电流;开关元件耦接至电流平衡线圈组,并搭配电流平衡线圈组所具有的漏电感,转换一输入电压以驱动发光二极管灯串;控制电路侦测流经发光二极管灯串的电流,以控制开关元件的工作周期。本发明发光二极管电流平衡驱动电路能同时达到电压转换与平衡电流的目的,有助于提升电路效率,降低制造成本。
  • 发光二极管电流平衡驱动电路
  • [发明专利]二次侧同步整流控制电路及交换式转换器-CN201210017174.X有效
  • 徐达经 - 尼克森微电子股份有限公司
  • 2012-01-19 - 2013-07-24 - H02M1/08
  • 一种二次侧同步整流控制电路,包括一反向放大器、一第一比较器与一驱动单元;其中,反向放大器具有一输入端,接收来自一同步整流晶体管的一汲源极电压信号,以输出一反向放大信号;第一比较器,接收反向放大信号与一第一参考电压,以输出一第一比较信号;驱动单元,接收第一比较信号,并依据第一比较信号产生一驱动信号控制同步整流晶体管的导通状态。本发明还提供一种包括上述二次侧同步整流控制电路交换式转换器。本发明将同步整流晶体管的汲源极电压经一反相放大器反相放大后,再连接一比较器产生驱动信号,可降低驱动信号关闭时间点的偏差,改善偏差过大所造成的缺陷。
  • 二次同步整流控制电路交换转换器

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