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[发明专利]丙酮气敏材料和丙酮气体传感器的制备方法及其应用-CN202110944117.5有效
发明人：张爱华;李瑾;曾敏;陆旭兵 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种丙酮气敏材料的制备方法，包括以下步骤：S1：将钌源、锡源和高分子聚合物混合，然后加至溶剂中，进行超声处理和搅拌，得到前驱体溶液；S2：将步骤S1获得的前驱体溶液进行静电纺丝，得到含钌锡的纳米纤维材料；S3：对步骤S2获得的含钌锡的纳米纤维材料进行热处理，除去高分子聚合物，得到RuO2掺杂SnO2多孔纳米管的粉体，极好地改善材料对丙酮气体的选择性、灵敏度等气敏功能特性，并在一定程度上降低丙酮检测工作时的温度。
丙酮材料气体传感器制备方法及其应用

[发明专利]一种钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管及其制备方法和应用-CN202110639473.6有效
发明人： 陆旭兵;李长灏 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种钕掺杂的氧化锆薄膜晶体管，包括衬底、覆盖在衬底上的锆钕氧化物介电薄膜层和覆盖在介电薄膜层上的氧化铟半导体层以及金属源漏电极，所述介电层的厚度为10～100nm，锆钕氧化物介电薄膜中Zr与Nd的摩尔比为100‑x:x，其中，x＝0～10；半导体薄膜层的厚度为1～50nm，金属源漏电极的厚度为10～50nm。采用本发明全溶液法制备薄膜晶体管的制备工艺简单，设备要求简单，操作条件温和、且价格低廉，从而能够更有效更简单更高效率的实现产业化生产。
一种掺杂氧化锆薄膜晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种增加乙酰丙酮镧在DMF中溶解度的方法-CN201811057334.7有效
发明人： 陆旭兵;唐乃维;何宛兒 -专利权人：肇庆市华师大光电产业研究院
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B01F21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增加乙酰丙酮镧在DMF中溶解度的方法，通过在乙酰丙酮镧和N,N‑二甲基甲酰胺的溶液中加入乙酰丙酮锆，其中，La：Zr的摩尔比为19:1~1:19，乙酰丙酮镧和乙酰丙酮锆的总浓度为0.05~0.20mol/L。溶液的混合过程均处于无氧无水环境，且溶液在加入乙酰丙酮锆后，在70~90℃的条件下搅拌12~36小时。通过掺杂乙酰丙酮锆，大大提高了乙酰丙酮镧在DMF中的溶解度，提升了溶解度的溶液在相同的旋涂工艺下单层薄膜的厚度得到显著提高，由于添加了含锆比例较少的镧锆，不影响后续制备的薄膜性能。
一种增加乙酰丙酮 dmf 溶解度方法

[发明专利]一种氧化铪薄膜晶体管的制备方法-CN202310083285.9在审
发明人： 陆旭兵;刘浩楠;靖丽欣;霍思颖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铪薄膜晶体管的制备方法。本发明所述的氧化铪薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：S1：配制HfO2薄膜的前驱体溶液；S2：对所述前驱体溶液进行高纯氧气通入处理；S3：使用步骤S2得到的前驱体溶液，在衬底上沉积HfO2薄膜；S4：在所述HfO2薄膜上沉积顶电极，得到MIM结构的氧化铪薄膜电容器；S5：在所述HfO2薄膜上沉积有源层，并在所述有源层上沉积顶电极，得到TFT结构的氧化铪薄膜晶体管。本发明所述的氧化铪薄膜晶体管的制备方法，对HfO2薄膜的前驱体溶液进行高纯氧气通入处理，能够减少薄膜内部的缺陷，得到高性能的HfO2薄膜。
一种氧化薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种溶液法印刷制备薄膜晶体管的方法-CN202310087912.6在审
发明人： 陆旭兵;靖丽欣;陶瑞强;李育珊;刘浩楠 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K71/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种溶液法印刷制备薄膜晶体管的方法。本发明所述的溶液法印刷制备薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：S1：提供衬底，并对所述衬底进行预处理；S2：将乙二醇甲醚和乙二醇以不同比例混合，得到混合溶剂，其中，乙二醇甲醚和乙二醇的体积比为1：(0.5‑1)；S3：将高介电前驱体材料粉末溶于所述混合溶剂中，得到前驱体溶液；S4：在所述前驱体溶液中加入驻极体材料粉末，得到共溶剂墨水；S5：将所述共溶剂墨水在所述衬底上印刷成膜，得到复合介电层；S6：在所述复合介电层上沉积沟道层；S7：在所述沟道层上沉积顶电极，得到薄膜晶体管。本发明所述溶液法印刷制备薄膜晶体管的方法，能够制备得到迟滞特性可调的薄膜晶体管。
一种溶液印刷制备薄膜晶体管方法

[发明专利]一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法及其在制备晶体管中的应用-CN202010571464.3有效
发明人： 陆旭兵;李长灏 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/473 文献下载
摘要：本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体涉及一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法及其在制备晶体管中的应用，为研制高介电常数、低漏电流的介电层薄膜，本发明提供了一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法，即将锆源和铈源溶于有机溶剂中，预先制备锆铈氧化物前驱体溶液，最后涂覆在衬底上进行热处理制得，所制备的铈掺杂的氧化锆薄膜表面平整、致密，电学性能好，应用于制备薄膜晶体管领域，具备较好的击穿特性，更低的漏电流密度。同时，本发明的铈掺杂的氧化锆薄膜晶体管结构简单，制备工艺简便,易于推广。
一种掺杂氧化锆薄膜制备方法及其晶体管中的应用

[发明专利]一种氧化铝薄膜电容器的制备方法及其制得的电容器-CN202210581357.8在审
发明人： 陆旭兵;陈晓丹;张蓓菁;周月 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铝薄膜电容器的制备方法及其制得的电容器。制备方法包括如下步骤：S1：在轻掺硅衬底上生长金属底电极层；S2：在所述金属底电极上生长氧化铝薄膜层；S3：在所述氧化铝薄膜上生长金属顶电极层；其中，所述金属底电极层用于提升所述氧化铝薄膜电容器的工作电压。本发明的制备方法工艺流程容易实现，经济性高，制得的电容器结构简单，具有良好的电学性能。
一种氧化铝薄膜电容器制备方法及其

[发明专利]一种基于IPD技术的超宽带带通滤波器-CN202210113844.1在审
发明人： 陆旭兵;刘福扩 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于IPD技术的超宽带带通滤波器，包括接地金属层、衬底、器件层、七个集总电感、七个集总电容和两个馈电端口；所述衬底的底部与所述接地金属层连接，所述器件层设置在所述衬底顶部，七个集总电感和七个集总电容均位于所述器件层，两馈电端口分别位于所述衬底的两侧与所述衬底两侧并与所述衬底连接，所述器件层上设有六个贯通所述衬底的接地孔，其中，第一馈电端口通过第一接地孔和第二接地孔与所述接地金属层互连，第二馈电端口通过第三接地孔和第四接地孔与所述接地金属层互连。本申请不仅具有超宽带特性和高选择性，同时还具有良好的带外抑制；在低频段应用场景具有较大优势，结构简单、易于实现。
一种基于 ipd 技术宽带带通滤波器

[发明专利]一种具有宽带性能的芯片电容器-CN202210113856.4在审
发明人： 陆旭兵;刘福扩 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有宽带性能的芯片电容器，包括从下至上依次层叠的下电极层、介质层和上电极层；所述介质层内包括m层第一内电极和n层第二内电极；所述第一内电极和所述第二内电极交替层叠，形成层叠结构；其中，m≥1，n≥1；每一所述第一内电极和每一所述第二内电极之间存在间隙；所述上电极层包括第一外电极和第二外电极，所述第一外电极和所述第二外电极分别与每一所述第二内电极连接；所述下电极层包括第三外电极和第四外电极，所述第三外电极和所述第四外电极分别与每一所述第一内电极连接。本发明的芯片电容器具有高容量密度、寄生电感小、等效串联电阻低及使用频率高的特点，适用于引线键合的微处理工艺，符合小型化的制造要求。
一种具有宽带性能芯片电容器

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法-CN202111600634.7在审
发明人： 陆旭兵;张岩;帅文韬 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1：在衬底上沉积底电极层；S2：对步骤S1沉积的底电极层进行一定时间的紫外臭氧辐射处理；S3：在步骤S2处理后的底电极层上生长Hf0.5Zr0.5O2薄膜层；S4：在步骤S3生长的Hf0.5Zr0.5O2薄膜层上沉积顶电极层，得到衬底/底电极/Hf0.5Zr0.5O2/顶电极的四层结构产物；S5：对步骤S4得到的衬底/底电极/Hf0.5Zr0.5O2/顶电极的四层结构产物进行快速退火处理。本发明的制备方法操作简便，可控性强，效率高，制备的氧化铪基铁电薄膜质量高、铁电性能好。
一种氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种高储能密度陶瓷电容器电介质及其制备方法-CN201910743464.4有效
发明人：曾敏;姬帅帅;陆旭兵;高兴森;刘俊明 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能密度陶瓷电容器电介质及其制备方法，所述高储能密度陶瓷电容器由铁电材料固相烧结制成，所述铁电材料为锌、锡共掺杂铁酸铋‑钛酸钡，其化学组成为xBiFeO3‑(1‑x)[0.85BaTiO3‑0.15Bi(Sn0.5Zn0.5)O3]，所述制备方法包括以下步骤：S1配料；S2合成BF‑BT‑BZS粉体；S3成型压片；S4烧结。本发明制得的陶瓷电容器通过Zn、Sn离子的共掺杂减少Fe2+和氧空位的生成，极大的改善了其电绝缘性能，使其耐压性好、漏电流小、大大提升了电容器的能储密度和能储效率，其能储密度和能储效率分别为3.23J/cm3，84％，性能优于其他无铅铁酸铋基储能材料。本发明制备方法工艺简单、生产效率高、更易于控制陶瓷结构的生成。
一种高储能密度陶瓷电容器电介质及其制备方法

[发明专利]一种低功耗、高线性度和识别率的喷墨打印突触晶体管及其制备方法-CN202110993924.6在审
发明人：陶瑞强;李育珊;陆旭兵 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种低功耗、高线性度和识别率的喷墨打印突触晶体管的制备方法，包括如下步骤：S1.准备衬底；S2.在所述衬底上制备底电极；S3.制备混合介电层：将高介电前驱体材料粉末溶于有机溶剂中，再加入驻极体材料粉末，混合充分后得到混合墨水，然后将所述混合墨水通过喷墨打印工艺在所述底电极上印刷成膜，得到所述混合介电层；S4.在所述混合介电层上制备有源层；S5.在所述有源层上制备顶电极，得到喷墨打印突触晶体管。本发明通过在高介电材料中添加驻极体材料调控微流体流动方向，诱导分子链有序排列，提高突触晶体管的线性度和识别率，使用喷墨打印制备制得的突触晶体管，具有低驱动电压、低功耗、高线性度和高识别率等优点。
一种功耗线性识别率喷墨打印突触晶体管及其制备方法

[发明专利]一种低压驱动喷墨打印柔性突触晶体管及其制备方法-CN202110994007.X在审
发明人：陶瑞强;李育珊;陆旭兵 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种低压驱动喷墨打印柔性突触晶体管及其制备方法，所述低压驱动喷墨打印柔性突触晶体管包括由下至上依次设置的衬底、底电极、混合介电层、有源层和顶电极，所述混合介电层由高k介电材料与有机驻极体材料混合后通过喷墨打印工艺制成。本发明所述的低压驱动喷墨打印柔性突触晶体管，有利于在低成本和柔性人工神经形态计算领域的实际应用。
一种低压驱动喷墨打印柔性突触晶体管及其制备方法

[发明专利]含富勒烯衍生物的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201810027437.2有效
发明人：吴素娟;秦齐齐;陆旭兵;刘俊明 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种含富勒烯衍生物的钙钛矿太阳能电池，所述含富勒烯衍生物的钙钛矿太阳能电池包括透明导电衬底、电子传导层、钙钛矿层、空穴传导层和金属电极，所述钙钛矿层包括含有聚乙二醇侧链的富勒烯衍生物，所述含有聚乙二醇侧链的富勒烯衍生物是由PCBM与聚乙二醇反应得到。本发明还涉及所述含富勒烯衍生物的钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明所述的含富勒烯衍生物的钙钛矿太阳能电池具有钙钛矿层形貌可调控、效率高、制备简单的优点。
含富勒烯衍生物钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种高耐压低漏电的硅基AlN电容器及其制备方法-CN202110785764.6在审
发明人： 陆旭兵;成佳运;樊贞;张岩 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种高耐压低漏电的硅基AlN电容器，所述硅基AlN电容器包括由下至上设置的硅基板、AlN介质薄膜和顶部电极，还包括Pt缓冲层，所述Pt缓冲层沉积于所述硅基板上，所述AlN介质薄膜沉积于所述Pt缓冲层上。本发明还涉及一种高耐压低漏电的硅基AlN电容器的制备方法。本发明的技术方案可以解决现有AlN电容器中AlN介质层与硅基板之间的界面问题。
一种耐压漏电 aln 电容器及其制备方法

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