“空气孔光子晶体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1637485个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种硅酸锑纳米晶体的制备方法-CN201410546638.5在审
发明人：齐海港 -专利权人：西安艾菲尔德复合材料科技有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C01B33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅酸锑纳米晶体的制备方法，按以下步骤实施：将乙醇与蒸馏水按质量比0.5～1:1混合，制得混合液A；将二氧化硅和三氧化二锑粉末按摩尔比1:1混合均匀，得到混合粉末A；将制得的混合液A加入混合粉末本发明有效简化了硅酸锑纳米晶体的工艺流程，制得的硅酸锑纳米晶体具有纳米晶体纯度高，杂相少，原料价格低廉，来源丰富，制备工艺简单的特点。
一种硅酸纳米晶体制备方法

[发明专利]一种用于晶体封装的模具-CN201510897107.5在审
发明人：肖迟容 -专利权人：重庆市经茗农业科技有限公司
申请日： 2015-12-05 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种用于晶体封装的模具，包括晶片组和封装模具组，所述封装模具组包括上盖和下座，所述上盖内部形成有空腔，所述空腔的上表面为内顶面，所述内顶面上设置有缓压层，所述晶片组包括导线架，所述导线架的上方设置有晶体，所述晶体的上方设置有金属导电轨道，所述晶体与金属导电轨道和导线架之间均用粘着剂连接固定，所述金属导电轨道设置有导电引脚，导电引脚的末端与导线架连接。
一种用于晶体封装模具

[发明专利]化学废水处理方法-CN201510920485.0在审
发明人：周益辉 -专利权人：凯天环保科技股份有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：所述化学废水处理方法，包括：将为2-羟基-6-萘甲酸生产过程产生的所述化学废水，析出晶体部分，过滤去除所述晶体部分，其中所述晶体部分为2-萘酚和2-羟基-6-萘甲酸；将去除所述晶体部分后的化学废水送入树脂吸附塔进行吸附处理
化学废水处理方法

[发明专利]基于筛状电极的垂直有机场效应晶体管-CN201610031078.9在审
发明人：唐莹;郑亚开;张璇;韦一;彭应全;马力超;钱宏昌 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了基于筛状电极的垂直有机场效应晶体管，其特征在于：由衬底、漏极、有机有源层、筛状电极、栅介质层和栅极依次叠加组成，其中，漏极位于衬底之上，有机有源层位于漏极之上，筛状电极位于有机有源层之上，栅介质层位于筛状电极之上基于筛状电极的垂直有机场效应晶体管以很薄的近乎于单分子层的金属材料作为筛状电极，筛状电极具有良好的电场透过率和光透过率；采用垂直有机场效应晶体管结构，以减小载流子传输路径、增大载流子传输横截面积，进而制备出满足低工作电压、高输出电流、高工作频率的有机场效应晶体管。
基于电极垂直有机场效应晶体管

[发明专利]一种可充电流量器具及充电方法-CN201610125920.5在审
发明人：杜久彬 -专利权人：成都中横通科技有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G01F15/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种可充电流量器具，所述流量器具应用于包含仪表总线的系统，所述可充电流量器具包括：总线连接单元，与所述仪表总线相连接，用于从所述仪表总线上获取供电电流并转换为晶体管-晶体管逻辑电平TTL；恒流稳压单元，用于将所述晶体管-晶体管逻辑电平转换为恒流电流；电源管理单元，用于将所述恒流电流转换为所述可充电电池的充电电流。
一种充电流量器具方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法以及液晶显示装置-CN201610103913.5在审
发明人：李红侠;李森龙;蒋隽;井晓静 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法以及液晶显示装置。通过将像素电极分由两个不同的透明导电层形成，并将薄膜晶体管的漏极图案形成为与第一透明导电层连接，由此，漏极图案不需要形成通孔来与像素电极连接，连接性能更佳，从而可以缩小漏极图案，增大透光面积，增加应用该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的穿透率同时，本发明实施例的工艺在增加穿透率的同时不会降低像素电极所在区域的绝缘保护层厚度，使得整个薄膜晶体管阵列基板仍然具有较好的平坦性并且可以避免出现干扰电场，由此，可以使得像素具有更好的颜色均匀度。
薄膜晶体管阵列及其制造方法以及液晶显示装置

[发明专利]内嵌式触控面板及其布局-CN201510491127.2在审
发明人：李昆倍;林依萦;江昶庆 -专利权人：瑞鼎科技股份有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：每个像素的一叠层结构由下而上依序包含一基板、一薄膜晶体管元件层、一液晶层、一彩色滤光层及一玻璃层。薄膜晶体管元件层设置于基板上，薄膜晶体管元件层内整合设置有一第一导电层及一第二导电层。液晶层设置于薄膜晶体管元件层上方。彩色滤光层设置于液晶层上方。玻璃层设置于彩色滤光层上方。
内嵌式触控面板及其布局

[发明专利]硅衬底表面处理方法和PMOS晶体管的形成方法-CN201410619238.2在审
发明人：肖天金 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种硅衬底表面处理方法和PMOS晶体管的形成方法，其中，所述PMOS晶体管的形成方法包括：提供硅衬底，所述硅衬底上具有栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的硅衬底，形成凹槽；在氧气气氛中氧化所述凹槽的表面，在所述凹槽的表面形成氧化层本发明PMOS晶体管的形成方法所形成的嵌入式锗硅层缺陷少，PMOS晶体管的性能提升显著。
衬底表面处理方法 pmos 晶体管形成

[发明专利]一种制备金刚石晶体薄膜材料的装置和方法-CN201610027740.3在审
发明人：范修军;赵岩;王娟娟;张献明 -专利权人：山西大学
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：金刚石晶体薄膜的制备方法、步骤包括：硅片清洗、金刚石粉末研磨；在所述装置的热丝CVD炉中，气体为H₂、CH₄，通过去离子水的H₂的气氛下，生长得到金刚石晶体薄膜。本发明制备的金刚石晶体薄膜具有结晶度高、质量好，厚度均匀等特点。所述设备具有成本低、易于维护的特点。金刚石晶体薄膜的制备方法具有生长速度快、薄膜样品表面均匀，易实现工业生产等优点。
一种制备金刚石晶体薄膜材料装置方法

[发明专利]一种端面泵浦调阻激光器的设计方法-CN201511025191.8在审
发明人：朱光;马敬跃;王家赞;崔凌英 -专利权人：北京国科世纪激光技术有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01S3/094 文献下载
摘要：本发明设计的S1、脉宽控制：设计激光器光学腔的光程距离为350mm；S2、光纤耦合模块选取：提供激光上能级粒子数布局；S3、光纤耦合部分：采用1:1成像到Nd:YAG晶体进行泵浦；S4、激光晶体选取：采用一个单端键合的Nd:YAG晶体，键合面为泵浦光入射面；S5、光学谐振腔的设计；采用前、后两个腔镜为凸面镜的结构。本发明通过设置光学设计方案，使用键合晶体，减少端面热效应来提高光束质量。
一种端面泵浦调阻激光器设计方法

[发明专利]一种端面泵浦拉丝模打孔激光器的设计方法-CN201511021342.2在审
发明人：朱光;马敬跃;王家赞;崔凌英 -专利权人：北京国科世纪激光技术有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01S3/094 文献下载
摘要：本发明设计的S1、脉宽控制：设计激光器光学腔的光程距离为350mm；S2、光纤耦合模块选取：提供激光上能级粒子数布局；S3、光纤耦合部分：采用1:0.7成像到Nd:YAG晶体进行泵浦；S4、激光晶体选取：采用一个单端键合的Nd:YAG晶体，键合面为泵浦光入射面；S5、光学谐振腔的设计；采用前、后两个腔镜为凸面镜的结构。本发明通过设置光学设计方案，使用键合晶体，减少端面热效应来提高光束质量。
一种端面拉丝打孔激光器设计方法

[发明专利]球体击撞发生器及波浪力发电装置-CN201510667399.3在审
发明人：李广明;李光耀 -专利权人：李广明
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：该波浪力发电装置内设有球体击撞发生器，发生器内置有钢球，两端装有微型压电晶体，钢球可在内部轨道内自由运动。球体在波浪的带动下击撞发生器两端的微型压电晶体而产生电流。通过装置在各个球体击撞发生器上的分线路汇集到总线路上，连接外出线路；本发明通过对微型压电晶体发电机有效利用，将波浪力转化为小球运动的机械能，进而通过小球撞击微型压电晶体而转化为电能。
球体发生器波浪发电装置

[发明专利]一种宝石结晶体的提升夹具-CN201810279427.8在审
发明人：袁安富 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： B66C1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种宝石结晶体的提升夹具，包括左夹板、右夹板、橡胶内衬、左夹板拉杆、右夹板拉杆和销子；在左夹板、右夹板内设有与橡胶内衬，所述右夹板、左夹板底部设有插入锲形块；所述左夹板上设有左夹板拉杆，右夹板上设有右夹板拉杆；所述左夹板拉杆、右夹板拉杆底部设有相配合的夹紧钩，左夹板拉杆、右夹板拉杆上端设有螺栓孔，当两根拉杆伸入底部夹持结晶体时，利用所述夹紧钩，可以使得两根拉杆在底部形成一个夹紧支点，从顶部螺栓孔拧紧螺栓，利用左夹板、右夹板牢牢夹持住结晶体。本发明的宝石结晶体的提升夹具结构简单紧凑、夹紧可靠、操作方便，造价低。
拉杆右夹板左夹板结晶体宝石夹具橡胶内衬夹紧钩螺栓孔夹持夹紧夹具结构拧紧螺栓上端锲形块伸入销子紧凑配合

[发明专利]一种小型快照成像光谱仪及其成像方法-CN201810229419.2在审
发明人：金鹏;张宇;朱帅帅;林杰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：技术要点：依次设置起偏器，微透镜阵列，光轴相互垂直的双折射晶体柱阵列，检偏器，光电探测器及信号处理部件，其中光轴相互垂直的双折射晶体柱阵列按长度差顺序排列，每个双折射晶体柱不通光面涂覆吸光材料，起到光阑作用目标通过微透镜阵列成像，经过双折射晶体柱阵列产生光程差等间距分布的图像信息，通过对光程差等间距分布的图像信息进行相应的傅里叶变换光谱复原获得目标图像的光谱信息。
双折射晶体快照柱阵列成像成像光谱仪等间距分布微透镜阵列光谱信息图像信息垂直的光轴傅里叶变换光谱成像光谱技术信号处理部件光电探测器捕捉目标光阑作用技术要点目标图像吸光材料依次设置光面长度差光程差检偏器起偏器重量轻程差涂覆复原图像侦察监测应用

[发明专利]一种基于高温热释电的新型激光无线充电装置-CN201810409929.8在审
发明人：秦利锋;欧阳溯;张金惠 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H02J50/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于高温热释电的新型激光无线充电装置，高温电极分为左高温电极和右高温电极，金属薄板、左高温电极、高温压电晶体、右高温电极和散热片依次同轴层叠固定设置，螺栓由金属薄板的左侧贯穿至散热片的右侧并通过垫片和螺母固定连接；金属薄板接收发射的激光，利用激光加热使其短时间内温度升至高温，热量传导到高温压电晶体的左侧，而右高温电极连接散热片，在高温压电晶体上产生温度变化，使得高温压电晶体通过热释电效应将热能转化为电能，并由左高温电极和右高温电极连线引出
高温电极压电晶体金属薄板无线充电装置新型激光热释电散热片传感器网络连接散热片热释电效应螺栓层叠固定激光加热螺母固定内置电池热量传导热能转化垫片连线同轴充电激光发射贯穿

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top