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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种分离式被动调Q绿光激光器及其激光产生方法-CN201510121824.9在审
发明人：李斌;孙冰 -专利权人：李斌;孙冰
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：该被动调Q绿光激光器包括泵浦系统，所述泵浦系统还耦合有与其分离设置的激光头，所述激光头依次包括光耦合的准直镜、聚焦镜、反射镜、增益晶体、被动调Q晶体、输出镜和二倍频晶体；所述泵浦系统包括泵浦源，给泵浦源供电并提供制冷、为二倍频晶体提供温度控制的驱动源；所述泵浦源通过传能光纤与所述准直镜光耦合。
一种分离被动激光器及其激光产生方法

[发明专利]像素单元及其制备方法、阵列基板和显示装置-CN201510173322.0在审
发明人：尹小斌;陈传宝;孙东领;王立森 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该像素单元包括：薄膜晶体管；绝缘层，形成于薄膜晶体管的上方，该绝缘层的预设位置形成过孔，以露出下方的薄膜晶体管的漏极；像素电极，形成于绝缘层的上方，其与薄膜晶体管的漏极在过孔处电性连接；以及第一垫高层和
像素单元及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]一种偏光片、其制作方法、液晶显示面板及显示装置-CN201510147922.X在审
发明人：房凯迪;祝政委 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏光片、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，该偏光片包括：偏光膜和位于偏光膜上的遮光层；其中，遮光层用于覆盖液晶显示面板中的薄膜晶体管的沟道；在利用该偏光片作为液晶显示面板中的下偏光片时，在该偏光片上增加设置的遮光层可以遮挡液晶显示面板中的薄膜晶体管的沟道以使其不受背光的照射，这样，可以避免薄膜晶体管的沟道受到背光的照射而使薄膜晶体管产生漏电流，从而可以避免液晶显示面板产生诸如闪烁、串扰等不良而影响液晶显示面板的显示品质
一种偏光制作方法液晶显示面板显示装置

[发明专利]一种显示面板的设置方法和设置系统-CN201510103158.6在审
发明人：石跃 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：该设置方法包括：测试获得不同区域的晶体管适用于任意环境的最佳关断电压；将最佳关断电压录入显示面板中，以使不同区域的晶体管分别按照其最佳关断电压工作。该显示面板的设置方法通过测试获得不同区域的晶体管适用于任意环境的最佳关断电压，并将最佳关断电压录入显示面板中，能使按照其最佳关断电压工作的不同区域的晶体管在任意环境下的关断电流大大降低，从而能够确保像素保持电压充足和稳定
一种显示面板设置方法系统

[发明专利]像素电路及其显示装置和一种像素电路驱动方法-CN201310616783.1在审
发明人：张盛东;冷传利;王翠翠 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：在数据输入阶段，通过第四晶体管将数据线上的数据电压信号转换成编程电流信号，并在驱动晶体管的控制极和第二极之间形成编程电压，将该编程电压存储于存储电容中；在发光阶段，编程电压导通驱动晶体管，并形成与编程电流相同的驱动电流驱动电流的大小与驱动晶体管的阈值电压，迁移率以及发光元件的阈值电压无关，保证了补偿的精确性和高速性。此外，本申请电路结构简单，可以有效增加像素的开口率，提高面板的成品率，降低生产成本。
像素电路及其显示装置一种驱动方法

[发明专利]一种复方氢氯噻嗪晶体化合物缬沙坦药物组合物-CN201510089007.X在审
发明人：张旻 -专利权人：张旻
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： A61K31/549 文献下载
摘要：本发明公开了一种复方氢氯噻嗪晶体化合物缬沙坦药物组合物，所属的药物组合物为氢氯噻嗪晶体化合物与缬沙坦加入药学上可接受的辅料制备成的片剂或者胶囊剂。所述的药物组合物包括氢氯噻嗪晶体化合物，缬沙坦，微晶纤维素(pH102)、预胶化淀粉(善达)、乳糖T80、交联聚维酮、枸橼酸、二氧化硅、硬脂酸镁，制成1000片/粒。该药物组合物处方质量稳定可靠，具有较好的溶出趋势，采用该制剂工艺制得的复方氢氯噻嗪晶体化合物缬沙坦药物组合物质量稳定，易于产业化实施。
一种复方氢氯噻嗪晶体化合物缬沙坦药物组合

[发明专利]适用于AMOLED的TFT背板制作方法及结构-CN201510028232.2在审
发明人：张占东 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：提供一基板(10)，再沉积一缓冲层(20)；步骤2、在缓冲层(20)上依次形成有源层(30)、及栅极绝缘层(40)；步骤3、对栅极绝缘层(40)进行图案化处理，形成一凹陷部(401)；步骤4、形成开关薄膜晶体管的栅极(50)、及驱动薄膜晶体管的栅极(60)，所述开关薄膜晶体管的栅极(50)位于所述凹陷部(401)；步骤5、沉积层间绝缘层(70)。该方法通过制作一具有高度差的单层栅极绝缘层，简化了TFT背板的制作流程，增加了驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提高了AMOLED面板的灰阶切换与控制性能。
适用于 amoled tft 背板制作方法结构

[发明专利]DC-DC转换器和包括DC-DC转换器的显示装置-CN201410743828.6在审
发明人：金诊佑 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：公开了一种DC-DC转换器以及包括该DC-DC转换器的显示装置，所述DC-DC转换器包括：包括第一晶体管、第二晶体管和电感器的转换器；配置成分别控制第一晶体管和第二晶体管的第一栅极驱动器和第二栅极驱动器
dc 转换器包括显示装置

[发明专利]像素驱动电路、像素驱动方法和显示装置-CN201510160950.5在审
发明人：徐攀;吴仲远;张玉婷;李永谦 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素驱动电路、像素驱动方法和显示装置，其中该像素驱动电路包括：重置单元、阈值补偿单元、数据写入单元、驱动晶体管、第一存储电容和发光器件。本发明的技术方案可使得驱动晶体管驱动发光器件进行像素显示时，驱动晶体管产生的驱动电流仅与数据电压和参考电压相关，而与驱动晶体管的阈值电压无关，从而可避免流过发光器件的驱动电流受到阈值电压不均匀和漂移的影响
像素驱动电路方法显示装置

[发明专利]一种掺钼氧化锌薄膜晶体管及其制备方法-CN201510111273.8在审
发明人：韩德栋;石盼;王漪;丛瑛瑛;董俊辰;周晓梁;郁文;张翼;黄伶灵;刘力锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种掺钼氧化锌薄膜晶体管及其制备方法，本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明的核心在于采用掺钼的氧化锌半导体材料作为薄膜晶体管的导电沟道层，制备的掺钼的氧化锌薄膜的尺寸在20nm左右，在制备的过程中，利用溅射技术制备掺钼氧化锌薄膜，通过调节掺钼的氧化锌靶材的组分，控制溅射氧气分压来改善薄膜晶体管的开关比
一种氧化锌薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201310723955.5在审
发明人：蔡英杰;陈永初;龚正 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括具有第一导电型的深掺杂区、具有第二导电型的阱区、具有第一导电型的基体区、绝缘栅双极晶体管以及金属氧化物半导体晶体管。阱区位于深掺杂区中。绝缘栅双极晶体管位于基体区的第一侧的阱区上，且包括位于基体区中的具有第二导电型的第一掺杂区。金属氧化物半导体晶体管位于基体区的第二侧的阱区与深掺杂区上，且包括位于基体区中的具有第二导电型的第二掺杂区。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]表面安装晶体振子-CN201410582497.2在审
发明人：菊池贤一 -专利权人：日本电波工业株式会社
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种表面安装晶体振子。在为陶瓷片材与金属盖体由金属材料封接的构成的情况下，去除来自金属盖体的外侧的针对金属盖体内部的晶体振动器件的噪声，从而可提高气密性并提高电气特性。本发明的表面安装晶体振子及其制造方法中，在陶瓷基板(1)的表面用来保持晶体片(4)的保持端子(2)、与形成于基板(1)的背面的信号线端子(6b)，是利用形成于基板(1)内的信号线用贯通孔(8b)而连接。
表面安装晶体

[发明专利]一种新型高频发射机-CN201510068585.5在审
发明人：宋琪;舒航;陈坤;夏森;王威;邓禹;查文;檀剑飞 -专利权人：芜湖航飞科技股份有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高频发射机，包括超高频晶体管、微带线、可微调电容、鞭状天线与地网构成的L波段振荡发射部分。所述超高频晶体管的基极连接所述可微调电容，可微调电容再通过线路连接发射信号的鞭状天线，所述基极同时连接调制信号输出端与气压、温度、湿度信号输出端。所述超高频晶体管的集电极连接供电电源正端，并与微带线板另一面连接。所述超高频晶体管的发射极通过穿芯电容与供电电源负端连接。微带线的尺寸设置为3.5-5.5mm，有利于提高发射机发射功率。
一种新型高频发射机

[发明专利]一种单增益缓冲器-CN201310746805.6在审
发明人：郑彦诚 -专利权人：旭曜科技股份有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：当正相输入端信号由低电平上升至高电平的转换期间，辅助输出级中的P型晶体管开启，用以提输出端信号上升沿的电压转换速率。当正相输入端信号由高电平下降至低电平的转换期间，辅助输出级中的N型晶体管为开启，用以提高输出端信号下降沿的电压转换速率。当正相输入端信号维持在高电平或者低电平的稳态期间时，辅助输出级中的N型晶体管与P型晶体管均为未开启。
一种增益缓冲器

[发明专利]有机发光二极管显示装置-CN201410858193.4在审
发明人：俞台善;崔晎硕;郑承龙;金铜赫 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有机发光二极管显示装置包括：包括显示区域的第一基板，其中，在所述显示区域中限定有各自包括子像素的多个像素；在所述第一基板上方在各个所述子像素中的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管；在至少一个所述子像素中的光阻挡图案；在至少一个子像素中的滤色器层；在所述开关薄膜晶体管、所述驱动薄膜晶体管和所述光阻挡图案上方的第一钝化层；在所述第一钝化层上方在各个所述子像素中的第一电极；在整个所述显示区域上在所述第一电极上的有机发光层
有机发光二极管显示装置

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