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[实用新型]等离子沉积设备-CN201920603533.7有效
发明人：丁杰;沈一春;钱宜刚;范艳层 -专利权人：中天科技精密材料有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本实用新型提供一种等离子沉积设备，用于对靶棒进行沉积处理，包括支架、安装于所述支架上的传动组件、若干温控组件及等离子组件，所述传动组件与所述靶棒连接，所述温控组件安装于所述靶棒周侧，以控制所述靶棒温度，所述等离子组件一端靠近所述靶棒，以对所述靶棒进行沉积处理。所述等离子沉积设备具有控制沉积温度并能调节光纤预制棒折射率的优点。
等离子沉积设备

[发明专利]一种金属/离子过滤层、其制备方法及其在电池中的应用-CN201810608692.6有效
发明人：任飞鸿;彭哲;王木钦;林欢;李振东;王德宇 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本申请公开了一种可应用于电池的金属/离子过滤层，所述金属/离子过滤层为多层堆叠材料。所述离子/金属过滤层可以增大金属沉积的过电位，过滤整合离子和金属，隔绝新鲜金属与电解液接触产生副反应，金属只会在支撑结构表面沉积，而不在离子/金属过滤层表面沉积。
一种金属离子过滤制备方法及其电池中的应用

[发明专利]一种用于测量等离子体沉积的动态压阻探针-CN201910986478.9有效
发明人：汤海滨;章喆;许舒婷;张尊;曹晋滨 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：一种用于测量等离子体沉积的动态压阻探针，使用接触式测量方法对金属推进剂电推力器束流等离子体的沉积情况进行测量的动态压阻探针。测量对象为电推进领域的金属工质锂推力器，测量离子沉积率。采用了一个恒流源通在并联的两块不同材质的金属板上，将等离子体沉积在金属表面产生的电阻率变化的差异采集并建立模型计算，最终获得等离子体的沉积率。
一种用于测量等离子体沉积动态探针

[发明专利]偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC方法-CN201510475012.4有效
发明人：田修波;吴明忠;巩春志 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC方法。它涉及等离子体浸没离子沉积DLC方法。本发明是要解决现有MPIID方法沉积DLC薄膜存在结合力差、薄膜性能不易调控及大型或复杂零件沉积DLC膜不均匀性的问题。方法一、将栅网连同工件置于真空室内，工件放到栅网内样品架上，栅网与工件绝缘，栅网接栅网高压脉冲电源，工件接工件高压脉冲电源；二、工件溅射清洗；三、等离子氮化处理；四、溅射刻蚀处理；五、SiC过渡层制备；本发明用于制备偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC膜。
偏压调控等离子体浸没离子沉积 dlc 方法

[发明专利]溅射沉积设备和方法-CN202080088594.X在审
发明人： M.伦德尔;R.格鲁尔 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文所述的某些示例涉及一种溅射沉积设备，该设备包括基底保持器件、靶装载器件、用于产生等离子体的等离子体源和磁体布置。基底保持器件用于将基底定位在溅射沉积区中，以用于在使用中将靶材料从第一靶溅射沉积到基底。靶装载器件用于将第二靶从靶启动区移动到溅射沉积区，以便在使用中将靶材料从第二靶溅射沉积到基底。磁体布置配置为将等离子体在设备内限制到靶启动区和溅射沉积区。在靶启动区内，相应靶在使用中暴露于等离子体。溅射沉积区提供靶材料的溅射沉积。
溅射沉积设备方法

[发明专利]阳离子电沉积涂料组合物-CN201880019989.7有效
发明人：大原哲矢;宫前治广;下平洋辅;印部俊雄 -专利权人：日涂汽车涂料有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C09D175/04 文献下载
摘要：本发明的课题是提供边缘部防锈性优异的阳离子电沉积涂料组合物。本发明涉及阳离子电沉积涂料组合物，其含有包含胺化树脂（A）和封端异氰酸酯固化剂（B）的树脂乳液，其中，上述阳离子电沉积涂料组合物的析出电沉积涂膜在110℃时的涂膜粘度为5,000～1,000,000mPa・s的范围内，由上述阳离子电沉积涂料组合物的析出电沉积涂膜除去树脂成分后的部分的极性分量为2～30mN/m的范围内。
阳离子沉积涂料组合

[发明专利]微波等离子体化学气相沉积装置和金刚石的合成方法-CN201810408710.6在审
发明人：马懿;马修·L·斯卡林;朱金华;吴建新;缪勇;卢荻;艾永干;克里斯托弗·E·格里芬 -专利权人： FD3M公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线作为耦合天线。本申请还公开了一种金刚石的合成方法，采用等离子体天线作为耦合天线，通过微波等离子体化学气相沉积方法合成金刚石。本申请还公开了微波等离子体化学气相沉积装置在单晶金刚石合成中的应用。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线进行耦合，可以极大的提高天线的效率。
微波等离子体化学气相沉积等离子体天线金刚石合成耦合天线申请单晶金刚石耦合天线应用

[发明专利]远程磁镜场约束线形等离子体增强化学气相沉积系统-CN201310688648.8有效
发明人：陈龙威;左潇;魏钰;孟月东;王祥科 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种远程磁镜约束线形等离子体增强化学气相沉积系统，包括有沉积腔，沉积腔分为等离子体发生区、材料表面处理区，沉积腔的顶端和两侧分别设有一块永磁铁，沉积腔的等离子体发生区设有与气源连接的上、下进气管以及与同轴微波源相连接的同轴圆波导，沉积腔的材料表面处理区中设有基片台，沉积腔的底部设有真空机组；在永磁铁组件产生的线形磁镜场约束条件下，使用同轴圆波导在沉积腔中激发工作气体产生线形微波等离子体，所通入工作气体在线形微波等离子体作用下在基片台上的基片表面形成薄膜本发明能实现半导体薄膜、掺杂半导体薄膜的大尺寸均匀沉积，通过远程通入反应气体实现薄膜的快速、连续沉积，易于实现工业化连续生产。
远程磁镜约束线形等离子体增强化学沉积系统

[发明专利]等离子加工系统中用于改进的沉积罩的方法和设备-CN03823244.8有效
发明人：三枝秀仁;高濑均;三桥康至;中山博之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-09-29 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供用于包围等离子加工系统中加工空间的改进的沉积罩，其中沉积罩的设计和制造有利地在等离子加工空间中提供纯净的加工等离子，其对沉积罩具有基本最小的腐蚀。
等离子加工系统用于改进沉积方法设备

[发明专利]三节拍式液基金属离子源电沉积微增材制造方法-CN202010490525.3有效
发明人：沈春健;朱荻;朱增伟 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明属于金属增材制造领域，涉及一种三节拍式液基金属离子源电沉积微增材制造方法。本发明的金属微增材制造过程包含若干周期，每个周期内分为三个节拍：金属离子源电沉积、外部离子水溶液更新以及微纳米移液管口与沉积金属间隙监测回路电流检测，制造过程中三个节拍独立工作和脉动切换，分别起到了金属生长、扩散金属离子清除、金属生长监测的作用。其中，金属离子源电沉积是在外部离子溶液中被极化的阴极表面构造金属离子源进行金属电沉积，外部离子水溶液更新能够及时清除电沉积阶段扩散的金属离子，抑制金属离子长距离、大范围扩散造成的金属杂散沉积，提高微结构件尺寸精度和表面质量
节拍基金离子源沉积微增材制造方法

[实用新型]一种全固态电致变色玻璃-CN201520293694.2有效
发明人：许倩斐;李军;赵军 -专利权人：上方能源技术（杭州）有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： G02F1/153 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种全固态电致变色玻璃，解决了沉积生长均匀且低缺陷的离子传导层难度较大的技术问题，整体共五层，最下层为透明基体，透明基体上依次沉积生长有底层透明导电层、下极电致变色层、上极电致变色层及顶层透明导电层构成四层结构电致变色器件；上极电致变色层是沉积了离子源并完全被离子化的结构层。透明基体上只沉积生长四层，省去了沉积生长专门的离子传导层的工序，电致变色玻璃自身不在具有专门的离子传导层，沉积了离子源并被完全离子化的上极电致变色层同时具备离子存储、离子传导和电致变色的作用，加正向或者反向直流电压后
一种固态变色玻璃

[实用新型]微波等离子体薄膜沉积装置-CN202020534442.5有效
发明人：王群;卫博;唐章宏;王明连;金鑫;李永卿 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23C16/517 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子体激发装置技术领域，公开了一种微波等离子体薄膜沉积装置，包括反应体、等离子体激发锥体、薄膜沉积基台和多层微波源组件，反应体内设有微波谐振腔；每层微波源组件均包括多个微波激励源，多个微波激励源沿反应体的周向分布于反应体的侧壁；等离子体激发锥体和薄膜沉积基台分别设置于反应体的两端，等离子体激发锥体的尖部朝向微波谐振腔内；等离子体激发锥体内设有进气流道，进气流道贯通至等离子体激发锥体的尖部。该微波等离子体薄膜沉积装置在薄膜沉积基台上有大面积的高场强区域分布，从而在高场强作用下激发出大面积的等离子体区域，利于实现沉积大面积薄膜。
微波等离子体薄膜沉积装置

[发明专利]高掺杂掺稀土光纤预制棒的制备方法及光纤预制棒-CN201910860660.X在审
发明人：朱侨;罗文勇;杜城;张涛;柯一礼;余远 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;锐光信通科技有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种高掺杂掺稀土光纤预制棒及制备方法，该方法包括如下步骤：采用MCVD气相掺杂工艺，在石英基管内反向沉积含有共掺剂的二氧化硅疏松层；采用MCVD气相掺杂工艺，在所述二氧化硅疏松层上反向沉积稀土离子；通氧正向烧结，完成一趟稀土掺杂层的沉积；重复多趟稀土掺杂层的沉积，进行成棒处理，得到光纤预制棒。本发明将共掺剂沉积过程与稀土离子沉积过程分离，且共掺剂沉积得到疏松层，通过疏松层的吸附原理以使得共掺剂与稀土离子均匀混合，不仅可以解决现有技术中稀土离子掺杂不均的问题，而且可以在不改变稀土离子载气流量和高温蒸发系统加热温度的前提下，提高稀土离子在沉积过程中的掺杂效率和掺杂浓度。
沉积稀土离子疏松层共掺二氧化硅气相掺杂稀土掺杂掺杂掺稀土光纤光纤预制棒高温蒸发离子掺杂石英基管载气流量烧结高掺杂预制棒中稀土通氧吸附正向加热制备重复

[发明专利]一种耐冲刷铂膜热流传感器制备装置-CN202210950681.2在审
发明人：吴松;喻江 -专利权人：中国科学院力学研究所
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01M9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐冲刷铂膜热流传感器制备装置，包括：等离子发生腔体组件，用于产生高密度的等离子体；薄膜沉积腔体，薄膜沉积腔体连接在等离子发生腔体组件的等离子体的输出端；沉积台，设置在薄膜沉积腔体的内部，沉积台用于放置铂膜热流传感器主体，使铂膜热流传感器主体的表面和薄膜沉积腔体的轴向之间存在锐角夹角；内涵道，用于提供与等离子体进行化学沉积反应的原料介质；保护气供气系统，用于向等离子发生腔体组件和薄膜沉积腔体内提供保护气环境
一种冲刷热流传感器制备装置

[发明专利]一种单价选择性阴离子交换膜的制备方法-CN201710119805.1有效
发明人：沈江南;赵严;金雅丽;汤恺妮;郝亮;郑志豪;董祥 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： B01J41/12 文献下载
摘要：一种单价选择性阴离子交换膜的制备方法，包括：(1)先往料液室中加入NSBC和NaCl的混合溶液，浓室中加入NaCl溶液，并使Na₂SO₄溶液充满电极室A和电极室B，然后设置电脉冲参数，通电进行电脉冲沉积使NSBC沉积到阴离子交换膜上；(2)沉积一定时间后，将料液室中溶液替换为HACC和NaCl的混合溶液，并交换两侧电流方向，保持电脉冲参数不变继续进行电脉冲沉积，使HACC沉积到阴离子交换膜上；(3)重复步骤(1)和步骤(2)的操作，从而使NSBC糖和HACC交替沉积到阴离子交换膜上，得到附着有多层NSBC/HACC的阴离子交换膜。本发明中，改性后的膜表面物质沉积均匀且单价离子选择性提高；电脉冲技术能提高电流的利用效率和多层稳定性，降低沉积时间和投资成本。
一种单价选择性阴离子交换制备方法