专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]溅射沉积设备和方法-CN202080092671.9在审
  • M.伦德尔 - 戴森技术有限公司
  • 2020-11-10 - 2022-08-26 - H01J37/34
  • 一种溅射沉积设备(100),包括:远程等离子体产生装置(106),布置成在溅射沉积区(112)内为靶材料(102)的溅射沉积提供等离子体(120);限制装置,布置成提供限制磁场以基本上将等离子体限制在所述溅射沉积区中;设置在所述溅射沉积区内的基板(104);以及一个或多个靶支撑组件(108),布置成支撑所述溅射沉积区中的一个或多个靶,以便在所述基板上提供靶材料的溅射沉积;其中,所述限制装置将远程等离子体限制到所述靶支撑组件,使得在使用中沉积:作为基板上的第一区域的靶材料;作为基板上的第二区域的靶材料;和所述第一区域和第二区域之间的中间区域,包括靶材料的混合物。
  • 溅射沉积设备方法
  • [发明专利]溅射沉积设备和方法-CN202080092214.X在审
  • M.伦德尔 - 戴森技术有限公司
  • 2020-11-10 - 2022-08-19 - H01J37/32
  • 一种溅射沉积设备(100),包括:等离子体产生装置(106),布置成在溅射沉积区(112)内为靶材料的溅射沉积提供单一等离子体(120);传送系统(110),布置成在传送方向(D)上将基板(104)传送通过溅射沉积区;以及一个或多个靶支撑组件(108),布置成在溅射沉积区中支撑一个或多个靶(108),以便利用等离子体在基板上提供靶材料的溅射沉积,使得在使用中当基板被传送通过溅射沉积区时沉积:基板上的第一条纹;和基板上的第二条纹,其中,第一条纹包括与第二条纹不同密度的靶材料或不同成分的靶材料中的至少一种。
  • 溅射沉积设备方法
  • [发明专利]由不同材料制造结晶材料的方法-CN202080092221.X在审
  • M.伦德尔;R.格鲁亚 - 戴森技术有限公司
  • 2020-11-10 - 2022-08-19 - C23C14/08
  • 一种在表面上制造材料的结晶层的方法,该结晶层包含锂、至少一种过渡金属和至少一种抗衡离子,其中该方法包括以下步骤:将来自包含锂的第一靶的材料等离子体溅射到基板的表面或由基板支撑的表面上,至少存在对应于粒子从第一靶到表面上的轨迹的第一羽流,以及将来自包含至少一种过渡金属的第二靶的材料等离子体溅射到表面上,至少存在对应于粒子从第二靶到表面上的轨迹的第二羽流。第一靶定位成与第二靶不平行,第一羽流和第二羽流会聚在靠近基板表面或由基板支撑的表面的区域,并且结晶层形成在所述区域的表面上。
  • 不同材料制造结晶方法
  • [发明专利]在基板上沉积材料的方法-CN202080092535.X在审
  • M.伦德尔;R.格鲁亚 - 戴森技术有限公司
  • 2020-11-13 - 2022-08-19 - H01J37/34
  • 提供了一种在基板上沉积材料的方法,该方法包括:远离适于等离子体溅射的一个或多个溅射靶产生等离子体,其中,所述一个或多个靶的至少一个不同区域包含碱金属、碱土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物或其组合;使用等离子体从所述一个或多个靶产生溅射材料;和在基板上沉积溅射材料,所述靶和基板之间的工作距离在系统的理论平均自由程的+/‑50%范围内。
  • 基板上沉积材料方法
  • [发明专利]溅射沉积-CN202080092664.9在审
  • M.伦德尔 - 戴森技术有限公司
  • 2020-11-10 - 2022-08-19 - H01J37/34
  • 一种溅射沉积设备(100),包括:远程等离子体产生装置(106),布置成在溅射沉积区(112)内为靶材料(102)的溅射沉积提供等离子体(120);限制装置,布置成提供限制磁场以基本上将等离子体限制在所述溅射沉积区中;设置在所述溅射沉积区内的基板(104);以及一个或多个靶支撑组件(108),布置成支撑所述溅射沉积区中的一个或多个靶,以便在所述基板上提供靶材料的溅射沉积;其中,所述限制装置将远程等离子体限制到所述靶支撑组件,使得在使用中沉积:作为基板上的第一区域的靶材料;作为基板上的第二区域的靶材料;以及位于所述第一区域和第二区域之间的中间区域,其中没有靶材料。
  • 溅射沉积
  • [发明专利]溅射沉积设备和方法-CN202080088594.X在审
  • M.伦德尔;R.格鲁尔 - 戴森技术有限公司
  • 2020-11-10 - 2022-08-02 - H01J37/32
  • 本文所述的某些示例涉及一种溅射沉积设备,该设备包括基底保持器件、靶装载器件、用于产生等离子体的等离子体源和磁体布置。基底保持器件用于将基底定位在溅射沉积区中,以用于在使用中将靶材料从第一靶溅射沉积到基底。靶装载器件用于将第二靶从靶启动区移动到溅射沉积区,以便在使用中将靶材料从第二靶溅射沉积到基底。磁体布置配置为将等离子体在设备内限制到靶启动区和溅射沉积区。在靶启动区内,相应靶在使用中暴露于等离子体。溅射沉积区提供靶材料的溅射沉积。
  • 溅射沉积设备方法
  • [发明专利]用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备-CN202080089407.X在审
  • M.伦德尔;R.格鲁亚 - 戴森技术有限公司
  • 2020-11-10 - 2022-08-02 - H01J37/32
  • 公开了一种用于将靶材料溅射沉积到基底的设备。在一种形式中,该设备包括布置成沿着弯曲路径引导基底的基底引导件和与基底引导件间隔开并布置成支撑靶材料的靶部分。靶部分和基底引导件在它们之间限定沉积区。该设备包括限制装置,其包括一个或多个磁性元件,所述磁性元件布置成提供限制磁场以将等离子体限制在沉积区中,从而在使用中提供将靶材料溅射沉积到基底卷材,限制磁场的特征在于磁场线布置成至少在沉积区中基本沿着弯曲路径的曲线,从而将所述等离子体限制在弯曲路径的所述曲线周围。
  • 用于材料溅射沉积基底方法设备
  • [发明专利]制造能量存储设备的方法-CN201780016923.8有效
  • M.伦德尔 - 戴森技术有限公司
  • 2017-03-02 - 2021-07-20 - H01M10/04
  • 一种制造能量存储设备(1)的方法,包括形成堆叠,所述堆叠至少包括第一电极层(6)、第一电流收集层(12)和布置在第一电极层(6)和第一电流收集层(12)之间的电解质层(8)。在堆叠中形成穿过第一电极层(6)和电解质层(8)的第一槽(24),由此形成第一电极层(6)和电解质层8)的暴露边缘。用电绝缘材料填充第一槽(24)的至少一部分,由此用电绝缘材料覆盖第一电极层(6)和电解质层(8)的暴露边缘。沿第一槽(24)的至少一部分切割绝缘材料和第一电流收集层(12),以便于形成第一电流收集层(12)的暴露边缘。
  • 制造能量存储设备方法

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