“C23C16/513”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果417个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]镀膜设备及其镀膜方法-CN202010517576.0有效
发明人：宗坚 -专利权人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：镀膜设备及镀膜方法，该镀膜方法，用于涂覆一基材，包括步骤：布置该基材于一腔室体的一反应腔中的一单体释放源与一等离子激发源之间的位置；以及通过所述单体释放源，引入一膜层形成材料进入所述反应腔中，以供以在所述等离子激发源的作用下在该基材的表面上形成一聚合物膜层，使得所述膜层被均匀地形成于所述基材的表面，且沉积速度加快。
镀膜设备及其方法

[实用新型]石英反应腔内壁镀膜装置-CN202320542973.2有效
发明人：林佳继;朱太荣;庞爱锁 -专利权人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体或光伏材料加工技术领域，公开了一种石英反应腔内壁镀膜的装置，可用于在石英反应腔的内壁形成热膨胀系数渐变缓冲层，其中石英反应腔具有进气口和出气口以将反应气体充入或抽离石英反应腔，石英反应腔内壁镀膜装置还包括电感线圈，电感线圈附着在石英反应腔外部；该装置还具有移动驱动部，移动驱动部连接电感线圈和/或石英反应腔，以能够使电感线圈和石英反应腔在石英反应腔的轴向方向上相对运动。在石英反应腔内激发真空环境下的反应气体放电产生高密度等离子体，通过沉积过程中调节通入不同成分或比例的反应气体，在等离子体增强的化学气相沉积下形成渐变缓冲层，通过渐变缓冲层使热膨胀系数缓慢过渡。
石英反应内壁镀膜装置

[发明专利]一种用于大长径比金属筒（或管）内壁沉积类金刚石薄膜的设备-CN202110524166.3有效
发明人：郑锦华;刘青云;李志雄 -专利权人：郑州大学;河南晶华膜技真空科技有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明涉及一种在大长径比(L/D)或小直径金属筒(或管)内壁沉积类金刚石薄膜的设备，设备采用一个用金属丝网制作的筒(或管)状阳极，把金属筒(或管)的内壁作为阴极，在丝网阳极和金属筒(或管)内壁之间构成等离子电场，丝网阳极的中心区域构成反应气体流通通道，丝网阳极上的网孔则成为反应气体均匀分布的通道，在等离子电场中施加高电压，电场中高能电子轰击丝网阳极并产生电流。高能电子的轰击和电流使丝网阳极产生高温，对被镀金属筒内壁辐射加热。丝网阳极能够增大反应气体的通量，提高在小的电极间距下薄膜沉积的均匀性。该设备内设置了热电偶和温度显示器，调整丝网阳极的网格密度(网格尺寸)和丝线线径，使丝网阳极温度达到类金刚石薄膜材料沉积所需的温度。该技术有效解决在具有大的长径比或小直径筒(或管)中，狭窄极间距的封闭空间内反应气体流动受阻而导致放电困难，从而使薄膜沉积不均和难以成膜的问题。
一种用于长径金属内壁沉积金刚石薄膜设备

[发明专利]喷嘴装置-CN202180038709.9在审
发明人：朴宰范;崔仁鎬 -专利权人：应普技株式会社
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明一实施例公开的喷嘴装置包括：第一嘴体，形成有用于喷射等离子体的第一喷射口；第二嘴体，与上述第一嘴体隔开，形成有至少一个第二喷射口，使得从上述第一嘴体喷射的等离子体通过；结合部件，与上述第二嘴体隔开，与上述第一嘴体相结合；以及至少一个连接部件，使得上述第二嘴体与上述结合部件相连接，上述第二嘴体包括至少一个注入流路，用于向上述第二喷射口内注入蒸镀材料。
喷嘴装置

[发明专利]镀膜设备及其镀膜方法-CN202010517204.8有效
发明人：宗坚 -专利权人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明提供一种镀膜设备及镀膜方法，所述镀膜装置包含一反应腔，一支撑架，一单体释放源以及一等离子激发源。所述支撑架具有一支撑区以供支撑所述基材。所述单体释放源具有一释放进口以供引出一膜层形成材料进入所述反应腔。所述等离子激发源被安置以供激活所述膜层形成材料，其中所述支撑架的所述支撑区被定位于介于所述单体释放源和所述等离子激发源之间，使得所述膜层被均匀地形成于所述基材的表面，且沉积速度加快。
镀膜设备及其方法

[发明专利]一种等离子体射流快速制备亲疏水微流道的装置与方法-CN202210991957.1在审
发明人：王涛;汪加豪;王信;饶思贤;项腾飞;时礼平 -专利权人：安徽工业大学;安徽工业大学芜湖技术创新研究院
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体射流快速制备亲疏水微流道的装置与方法，涉及微流控系统技术领域，疏水气源A和亲水气源B均与发生器单元体连接；功率电源A与左金属丝电极、右金属丝电极相连接；功率电源B与中间金属丝电极相连接。移动发生器单元体使得产生的左等离子体射流、中间等离子体射流和右等离子体射流作用于基板上；左等离子体射流、右等离子体射流将在基板上沉积一层左疏水膜、右疏水膜，中间等离子体射流将在基板上沉积一层亲水膜。基板上沉积的左疏水膜、亲水膜与右疏水膜将围成一条亲疏水微流道；通过将发生器单元体移动不同轨迹，将制备出具有不同图案的亲疏水微流道。可通过并列多个发生器单元体实现多条亲疏水通道的快速制备。
一种等离子体射流快速制备亲疏水微流道装置方法

[发明专利]喷射喷嘴装置-CN202180013524.2在审
发明人：朴宰范;崔仁镐 -专利权人：应普技株式会社
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明涉及一种喷射喷嘴装置。本发明的喷射喷嘴装置可包括：第一喷嘴部，在内部具有与喷射流体的第一喷射口连接的第一内部流路和向上述第一内部流路注入流体的第一注入口；第二喷嘴部，位于上述第一内部流路内，在与上述第一喷射口相邻的一侧具有喷射等离子的第二喷射口；以及分配部，位于上述第一喷嘴部与上述第二喷嘴部之间，将上述第一内部流路划分为与上述第一喷射口连接的第一划分流路以及与上述第一注入口连接的第二划分流路，上述分配部包括连接上述第一划分流路与上述第二划分流路的多个连接流路。
喷射喷嘴装置

[发明专利]一种金刚石增强碳化硅复合晶圆的制备方法-CN202210416695.6有效
发明人：郑宇亭;魏俊俊;李成明;尹育航;周浩钧;陶洪亮 -专利权人：广东奔朗新材料股份有限公司;北京科技大学;北京科技大学顺德研究生院
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种金刚石增强碳化硅(SiC)复合晶圆的制备方法，即在真空热处理后的SiC碳极性面镀制的SiNx薄层。经微波氢等离子体处理后通入甲烷，基于氮原子逃逸和碳原子渗入实现金刚石高密度形核和C‑Si键形成。接着在降低甲烷生长金刚石的同时通入硅烷，并缓慢降低硅烷流量直至关闭，沉积SiC/金刚石复合梯度过渡层。随后重复金刚石生长通入氮气并保持1‑5min的循环过程，待金刚石达到一定厚度后关闭氮气和甲烷，在氢等离子体中缓慢降温后再升高至800‑1000℃处理后缓慢降温，最终通过抛光金刚石面实现低应力、强结合的金刚石/SiC复合晶圆材料。
一种金刚石增强碳化硅复合制备方法

[实用新型]一种等离子沉积设备-CN202221909840.6有效
发明人：何淑英;何浩梁;冯嘉荔 -专利权人：广州市鸿浩光电半导体有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型提供一种等离子沉积设备，涉及等离子沉积技术领域，包括设备本体，所述设备本体的顶部靠近一侧边缘处固定有控制箱，所述设备本体的顶部靠近另一侧边缘处固定有沉积盒，所述沉积盒的顶部开设有反应室，所述反应室的内部底面沿圆周方向开设有四个滑道，所述反应室的内壁延圆周方向等距固定有四个第一弹簧，四个所述第一弹簧的一端均焊接有弧形板，四个所述弧形板的底部均对应滑动连接在滑道的内部，本实用新型，通过在等离子沉积设备内部设置弧形板，配合弹簧从而可以固定不同大小的物体，解决了传统的等离子沉积设备没法根据现场实际情况固定不同大小的物体，给等离子沉积设备的使用造成了一定局限性的问题。
一种等离子沉积设备

[发明专利]一种疏水材料和镀疏水膜方法-CN201910335154.9有效
发明人：王宪;吕伟桃;梁宸 -专利权人：佛山市思博睿科技有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种疏水材料，其特征在于，该疏水材料用于以等离子增强化学气相沉积法在物质表面形成疏水膜；所述疏水材料的化学通式为：R‑Si‑(ORX)3，其中，R为多碳长链烷基，碳原子数量3‑16；RX‑为Cl、‑CH3、‑C2H5其中一种或者多种。使用上述疏水材料镀疏水膜方法，包括以下步骤：(1)、将待镀膜面进行清洁处理；(2)、将等离子气体在具有微波的反应腔内活化；(3)、在待镀膜面形成疏水膜；(4)、反应腔内破真空，获得具有疏水膜的工件。疏水材料为无氟疏水材料，在镀膜过程中不产生含氟废气，也没有含氟材料溢出，对环境友好，不存在环保问题。
一种疏水材料方法

[发明专利]下垂罩板及带有该下垂罩板的PECVD设备-CN202210223385.2有效
发明人：刘亚南;张斌;陈晨;王登志;刘欢 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司;苏州迈正科技有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种下垂罩板及带有该下垂罩板的PECVD设备，属于PECVD设备技术领域。本发明的下垂罩板，第一绝缘框设置在底板框上，第二绝缘框设置在第一绝缘框上；底板框由若干个底板连接形成，底板的下侧面设置有延伸部，延伸部与底板的下侧面相互垂直，第一绝缘框由若干个第一绝缘板拼合形成，第二绝缘框由若干个第二绝缘板拼合形成；底板的上侧面与第一绝缘板的下侧面之间，以及第一绝缘板的上侧面与第二绝缘板的下侧面之间，形成有若干个连通底板框内外两侧的条形孔，条形孔在底板框厚度方向上的高度为1‑20mm；本实施方式的下垂罩板能够极大程度地提高真空镀膜工艺的加工效率和良品率。
下垂带有 pecvd 设备

[发明专利]具有改进的表面接触电阻和反应活性的部件及其制造方法-CN202180007097.7在审
发明人：王丛桦 -专利权人：踏石科技有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有改进的表面接触电阻和反应活性的部件及其制造方法，属于表面接触电阻和反应活性部件的技术领域。该部件包括：金属基底；以及通过冶金结合物结合到金属基底的表面的多个颗粒；其中所述多个颗粒包括金属、碳或者它们的组合，其中冶金结合物在多个颗粒和金属基底之间，其中冶金结合物的总投影面积小于金属基底总投影面积的90％，并且其中冶金结合物的成分是金属基底成分和多个颗粒成分的组合、金属基底和多个颗粒的反应产物或者它们的组合。
具有改进表面接触电阻反应活性部件及其制造方法

[实用新型]盖子组件及气相沉积装置-CN202221484128.6有效
发明人：李陶刘晨;李政;张金彪;高学东 -专利权人：中芯南方集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本申请提供了一种盖子组件及气相沉积装置，所述盖子组件包括第一盖子，且所述第一盖子包括：盖子主体，罩在邻接所述喷头装置的部分所述等离子体输送管道上，且所述盖子主体的顶表面为平滑表面并开设有散热孔；安装板，与所述盖子主体一体式成型且用于和所述喷头装置进行安装，所述安装板与所述喷头装置安装时的螺丝扭力不低于预设值。本申请的盖子组件可以减少喷头装置和等离子体输送管道连接处的电弧。
盖子组件沉积装置

[发明专利]镀膜设备及其镀膜方法-CN202080001814.0有效
发明人：宗坚 -专利权人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一镀膜装置包括一具有一反应腔的腔室体，一支撑架，一单体释放源以及一等离子激发源。所述单体释放源具有至少一释放进口用于引入膜层形成材料进入所述腔室体的所述反应腔。所述等离子激发源被配置于所述腔室体的所述反应腔以激发所述膜层形成材料。所述支撑架被设置以支撑一基材，其中所述支撑架被操作地在所述反应腔内移动，以引导所述基材交替地移动靠近所述单体释放源和所述等离子激发源，以避免所述膜层形成材料过度分解。
镀膜设备及其方法

[发明专利]镀膜设备及其镀膜方法-CN202010517189.7有效
发明人：宗坚 -专利权人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：镀膜设备及镀膜方法，该镀膜方法，用于涂覆多个基材，包括步骤：通过多个基材围绕一等离子激发源，并且在所述基材的两个相对侧配置一单体释放源和所述等离子激发源；以及释放一膜层形成材料到一腔室体的一反应腔，以通过所述等离子激发源对所述基材进行等离子体处理，使得所述膜层被均匀地形成于所述基材的表面，且沉积速度加快。
镀膜设备及其方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 417 条