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[发明专利]基于激光激发的稀土离子掺杂荧光粉和晶体制备方法-CN202210460513.5在审
发明人：包诠真;白云峰 -专利权人：长江师范学院
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明涉及荧光粉和晶体制备技术领域，具体涉及基于激光激发的稀土离子掺杂荧光粉和晶体制备方法。稀土离子掺杂荧光粉制备方法包括：获取用于制备荧光粉的稀土离子掺杂原材料；通过溶胶燃烧法将稀土离子掺杂原材料制备成稀土离子掺杂预制材料；通过激光照射稀土离子掺杂预制材料；逐步增大激光的激光功率，直至稀土离子掺杂预制材料燃烧并产生荧光粉，进而得到稀土离子掺杂荧光粉。本发明还公开了稀土离子掺杂晶体制备方法和3D打印方法。本发明的稀土离子掺杂荧光粉制备方法无需高温煅烧且制备时长短，从而能够提高稀土离子掺杂荧光粉的制备效率，降低稀土离子掺杂荧光粉的制备能耗，并保证稀土离子掺杂荧光粉的制备质量。
基于激光激发稀土离子掺杂荧光粉晶体制备方法

[发明专利]一种稀土掺杂抗冲蚀防护涂层及其制备方法-CN202111262258.5在审
发明人：王丽;汪爱英;张栋;阮海涛;王振玉 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波工业技术研究院
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂抗冲蚀防护涂层及其制备方法。所述稀土掺杂抗冲蚀防护涂层包括依次层叠的离子刻蚀层、作为结合协调层的Ti层、作为结合强化层的TiN层、作为第一功能层的第一稀土掺杂TiAlSiN功能层、作为第二功能层的第二稀土掺杂TiAlSiN功能层和作为第三功能层的第三稀土掺杂TiAlSiN功能层，所述第一稀土掺杂TiAlSiN功能层、第二稀土掺杂TiAlSiN功能层和第三稀土掺杂TiAlSiN功能层所掺杂的稀土元素包括Y和/或Ce。本发明的稀土掺杂抗冲蚀防护涂层兼具高硬度、强韧性等优异的机械性能、良好的抗冲蚀性，同时，该防护涂层的制备工艺简单，可以实现某些苛刻工况下的冲蚀防护性能。
一种稀土掺杂冲蚀防护涂层及其制备方法

[发明专利]稀土掺杂氧化锡及其制备方法和应用-CN201811508676.6在审
发明人：陈桂;郭风仪;李秀运;肖和导;徐春雪 -专利权人：怀化学院
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： B01J23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土掺杂氧化锡及其制备方法和应用。该稀土掺杂氧化锡的制备方法包括以下步骤：将稀土盐溶液与氧化锡混合，得混合物；及将所述混合物500℃～900℃下煅烧，得到稀土掺杂氧化锡。上述稀土掺杂氧化锡的制备方法简捷易实现，根据上述稀土掺杂氧化锡的制备方法得到的稀土掺杂氧化锡稳定、比表面积大、催化乙酰水杨酸的活性高。
氧化锡稀土掺杂制备制备方法和应用混合物稀土盐溶液乙酰水杨酸活性高煅烧催化

[发明专利]一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其制备方法与应用-CN202010613663.6有效
发明人：靳婉琪;耶夫亨·布勒琴科;王超 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其制备方法与应用，所述掺杂稀土元素的碳化硅粉料包含碳化硅晶相和稀土元素的硅化物，所述稀土元素的硅化物掺杂在碳化硅晶相中。所述稀土元素的硅化物在碳化硅晶相中的掺杂浓度为0.001～5wt％。本申请掺杂稀土元素的碳化硅粉料中，稀土元素的硅化物掺杂在碳化硅晶相中，使得稀土元素在碳化硅粉中均匀掺杂，长晶时，稀土元素会随着碳化硅粉的升华被逐步释放，实现稀土元素在时间和空间上的均匀掺杂，从而有效抑制了晶体中多型缺陷的产生；且选用纯度较高的稀土元素的氧化物获得稀土元素的硅化物，极大地降低了掺杂稀土元素的碳化硅粉料的生产成本，且提高了产品纯度。
一种掺杂稀土元素碳化硅料及制备方法应用

[发明专利]一种制备掺稀土光纤的气相-液相复合掺杂方法-CN202010477756.0在审
发明人：耿鹏程;庞璐;衣永青;王标;潘蓉;韩志辉;武洋;沈一泽 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备掺稀土光纤的气相‑液相复合掺杂方法。采用该方法所制备的掺稀土光纤的纤芯部分以二氧化硅为基质，除掺杂稀土离子外，纤芯中同时掺入铝元素，也可同时掺入磷元素。气相掺铝可以保证铝元素在石英基质中的分布均匀性，由于稀土离子的掺杂均匀性在很大程度上由铝元素的分布决定，所以气相掺铝可明显提高稀土离子掺杂均匀性。同时，液相掺稀土离子可保证稀土离子的掺杂浓度。采用本发明中的气相‑液相复合掺杂技术方法，既可保证较高的稀土离子掺杂均匀性，又可保证较高的稀土离子掺杂浓度。
一种制备稀土光纤复合掺杂方法

[发明专利]基于稀土离子掺杂光学晶体的量子传感器及其用途-CN201711126532.X有效
发明人：周宗权;马钰;涂涛;李传锋;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01S3/30 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于稀土离子掺杂光学晶体的量子传感器，其包含：稀土离子掺杂光学晶体；低温提供单元，其向稀土离子掺杂光学晶体提供低温工作环境；恒定磁场产生单元，其向稀土离子掺杂光学晶体施加恒定磁场；光场产生单元，其提供对稀土离子掺杂光学晶体进行光学泵浦使稀土离子处于自旋初态的光场，以及用于激发稀土离子掺杂光学晶体的拉曼散射的光场；脉冲磁场产生单元，其向稀土离子掺杂光学晶体施加垂直于恒定磁场的脉冲磁场，使稀土离子掺杂光学晶体产生自旋回波；和外差式拉曼散射光场探测分析单元，其探测并分析从稀土离子掺杂光学晶体辐射的拉曼散射光场。
基于稀土离子掺杂光学晶体量子传感器及其用途

[发明专利]增益控制光纤的制备方法-CN202310090598.7在审
发明人：杨雨;武春风;李强;姜永亮;刘厚康;胡金萌;宋祥;王光斗 -专利权人：武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明属于光纤技术领域，公开了一种增益控制光纤的制备方法，包括以下步骤：通过PCVD工艺在第一衬管的内表面沉积出非稀土掺杂层，融缩后得到非稀土掺杂芯套管；通过MCVD工艺在第二衬管的内表面沉积出稀土掺杂芯层，酸洗掉所述第二衬管后得到稀土掺杂芯棒；利用管棒法将所述非稀土掺杂芯套管和稀土掺杂芯棒组合，在拉丝塔上拉制得到增益控制光纤。有益效果：结合PCVD和MCVD工艺的特点，采用PCVD工艺制备非稀土掺杂芯套管，MCVD工艺制备稀土掺杂芯棒，可制备出折射率精确调控的增益控制光纤。
增益控制光纤制备方法

[发明专利]一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件-CN201910675057.4在审
发明人：张青竹;张兆浩;魏千惠;屠海令;殷华湘;魏峰;赵鸿滨;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土掺杂铪基铁电材料，包括铪基铁电材料，铪基铁电材料中掺杂有稀土元素，掺杂的稀土元素与铪基铁电材料中铪元素原子比例介于(0.1~0.9):1。本发明还提供一种稀土掺杂铪基铁电材料的制备方法，包括：将含有稀土元素的物质掺杂至铪基铁电材料中，形成稀土掺杂的铪基铁电材料；在惰性气体中对稀土掺杂的铪基铁电材料进行退火，得到经退火处理后的稀土掺杂的铪基铁电材料本发明制备的稀土掺杂的铪基铁电材料，使得材料的非对称性增加，可以使负电容材料更薄，具有很强的负电容特性；同时，利用稀土掺杂的铪基铁电材料制备的半导体器件，具有很高的电畴和反转速度，抗疲劳和可靠性更高。
铁电材料铪基稀土掺杂稀土元素制备半导体器件退火电容材料电容特性惰性气体非对称性退火处理物质掺杂掺杂的抗疲劳铪元素电畴反转掺杂

[发明专利]一种制备稀土掺杂光纤的全气相掺杂装置及掺杂方法-CN202010030470.8有效
发明人：林傲祥;倪力;俞娟 -专利权人：成都翱翔拓创光电科技合伙企业(有限合伙)
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了制备稀土掺杂光纤的全气相掺杂装置及掺杂方法，装置包括气化系统、气相混合系统和气相沉降系统，气化系统包括多个加热气化单元，加热气化单元将原料加热气化并传输至气相混合系统，气相混合系统包括三路进气单元、稀土掺杂原料蒸发单元和气体混合区，气相沉降单元包括与稀土掺杂原料蒸发室的输出端连接并与气体混合区相通的石英玻璃衬底管和用于移动加热石英玻璃衬底管的第二加热炉，石英玻璃衬底管和稀土掺杂原料蒸发室分别通过旋转基座固定并且能够绕着各自的中心轴旋转方法采用上述制备稀土掺杂光纤的全气相掺杂装置进行稀土掺杂光纤的制备。本发明采用稀土螯合物作为掺杂原料并提高掺杂浓度、保证掺杂均匀性。
一种制备稀土掺杂光纤全气相装置方法

[发明专利]碳包覆氮化稀土掺杂钛酸锂的制备及应用-CN201410521804.6在审
发明人：李宏斌 -专利权人：李宏斌
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明公开了碳包覆掺杂稀土氮化钛酸锂的制备及应用，所述碳包覆氮化稀土掺杂钛酸锂的制备方法为：先制备尖晶石型稀土掺杂钛酸锂；然后将碳源和稀土掺杂钛酸锂混匀，在真空或保护气体氛围中煅烧，得到尖晶石型碳包覆稀土掺杂钛酸锂；再将氮源和碳包覆稀土掺杂钛酸锂混匀，在真空或保护气体氛围中煅烧，得到尖晶石型碳包覆氮化稀土掺杂钛酸锂。本发明的制备方法制备过程简单，设备要求低，反应过程无污染，产物均一性好，制备得到的尖晶石型碳包覆氮化稀土掺杂钛酸锂具有高克容量，有良好的工业应用前景。
碳包覆氮化稀土掺杂钛酸锂制备应用

[发明专利]稀土掺杂Mg₂Si基热电材料-CN200710194323.9无效
发明人：赵新兵;张倩;朱铁军;殷浩 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂Mg₂Si基热电材料。是利用稀土进行掺杂来提高材料的热电性能。在熔炼时直接加入稀土，然后将熔炼好的材料机械球磨后热压，得到Mg_2－xSiRE_x的块状热电材料，其中RE表示稀土元素，x＝0.002～0.01。本发明的稀土掺杂的Mg₂Si基热电材料的热电性能优于未掺杂的Mg₂Si热电材料，掺杂的稀土元素包括重稀土和轻稀土，其机理是稀土元素具有和碱土金属类似的性质，当稀土元素加入后，容易取代Mg位，作为施主掺杂，提高载流子浓度，从而提高材料的热电性能。
稀土掺杂 mg sub si 热电材料

[发明专利]一种全光纤波长可选的双波长被动调Q中红外光纤激光器-CN201610934490.1有效
发明人：韦晨;罗鸿禹;史红霞;袁飞;吕彦佳;张晗;刘永 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明涉及中红外激光技术领域，尤其涉及一种全光纤波长可选的双波长被动调Q中红外光纤激光器，包括激光泵浦源、第一稀土离子掺杂光纤、第二稀土离子掺杂光纤；激光泵浦源的尾纤熔接第一稀土离子掺杂光纤首端，第一稀土离子掺杂光纤尾端熔接第二稀土离子掺杂光纤首端；在第一稀土离子掺杂光纤首端顺次设置第一光纤光栅、第二光纤光栅，在第二稀土离子掺杂光纤尾端顺次设置第三光纤光栅、第四光纤光栅，进而输出波长大于4μm的调Q脉冲光纤激光。
一种光纤波长可选被动红外激光器

[发明专利]具有嵌入的微晶的波长转换层-CN200580045950.5无效
发明人： H·蒙克;G·休斯勒 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明涉及具有包含嵌入的稀土离子掺杂的微晶(3)和/或稀土离子掺杂的非晶微粒的基质层(2)的波长转换层(1)，其中所述的稀土离子掺杂的微晶和/或稀土离子掺杂的非晶微粒掺杂有至少镧系元素之一，并且其中所述的稀土离子掺杂的微晶和/或所述掺杂的非晶微粒具有10nm到500μm的平均直径d₅₀，其中基质层是透明的，因而对于在400nm到1200nm范围中的至少一个波长，所述稀土离子掺杂的微晶和/或所述稀土离子掺杂的非晶微粒的折射率与基质层的折射率匹配
具有嵌入波长转换

[发明专利]一种制造稀土元素掺杂光纤预制棒的方法-CN201010606653.6有效
发明人：姚爽;冯高锋;吴钧;张立永 -专利权人：富通集团有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C03B37/014 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造大尺寸稀土元素掺杂光纤预制棒的方法，其采用VAD法沉积稀土元素掺杂光纤预制棒的积粉体芯层，将制得的芯层积粉体浸泡在含有稀土元素和共掺质的混合溶液中，再将芯层积粉体在高温炉中玻璃化制成稀土元素掺杂光纤预制棒的芯层；在稀土元素掺杂光纤预制棒的芯层外由包层积粉体形成包围在芯层外的被玻璃化的光纤预制棒的包层，或用玻璃管套制在稀土元素掺杂光纤预制棒芯层外作为稀土元素掺杂光纤预制棒的包层。本发明解决了目前国内生产石英套管的技术无法满足稀土元素掺杂光纤预制棒制造要求的情况下，较快地制造较大芯包比的稀土元素掺杂光纤预制棒的问题，并且使制得的稀土元素掺杂光纤预制棒满足大尺寸低成本生产的要求。
一种制造稀土元素掺杂光纤预制方法

[发明专利]一种稀土掺杂III-V族半导体结构及其光电探测器结构-CN202210523511.6在审
发明人：芦红;程渊博;姚金山;张克冬;李晨;谢景龙 -专利权人：南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂III‑V族半导体结构，包括依次层叠设置的半导体衬底、N型掺杂半导体层、稀土掺杂III‑V族半导体层和P型掺杂半导体层。本发明还公开了一种基于稀土掺杂III‑V族半导体结构的光电探测器结构，包括稀土掺杂III‑V族半导体结构，以及分别位于N型掺杂半导体层上表面的底部电极和位于P型掺杂半导体层上表面的顶部电极。稀土掺杂III‑V族半导体层中的稀土离子在III‑V族半导体禁带中引入带间能级，实现亚带隙吸收和与半导体基体之间的双向能量传递。基于稀土掺杂III‑V族半导体材料的光电探测器，可用作包括光通讯波段(1.31‑1.55μm)在内的室温可见‑近红外多波段探测。
一种稀土掺杂 iii 半导体结构及其光电探测器

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