专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]顶升机构和晶圆加工设备-CN202310678768.3在审
  • 孙文彬;戴立洪 - 无锡邑文电子科技有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-10-20 - H01L21/687
  • 本发明的实施例提供了一种顶升机构和晶圆加工设备,涉及半导体技术领域。顶升机构包括伸缩驱动件、安装板、顶针和反应腔体。反应腔体具有用于加工晶圆的反应腔,反应腔的底壁设置有开孔。顶针可移动地设置于开孔。安装板与伸缩驱动件传动连接,且安装板位于顶针的底部。伸缩驱动件用于在处于伸长状态时,带动安装板上升与顶针抵接以推动顶针向上移动从而顶升晶圆托架。伸缩驱动件处还用于在缩短状态时,带动安装板下移以便顶针向下移动。可以避免顶针在伸缩驱动件震动时发生形变,及易于顶针的维护和更换。
  • 机构加工设备
  • [发明专利]纳米圆台偏振结构的超表面透镜的制备方法-CN202310944835.1有效
  • 林政勋;郭轲科;廖舜一 - 无锡邑文电子科技有限公司
  • 2023-07-31 - 2023-10-03 - G03F7/00
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及纳米圆台偏振结构的超表面透镜的制备方法,包括:嵌套压印、圆台化刻蚀处理、图形转移刻蚀处理,其中,嵌套压印步骤可以形成多层嵌套的压印柱体,而且从内向外的第一压印胶层制得的圆柱、第二压印胶层和第三压印胶层的耐蚀性逐渐降低,在后续的圆台化刻蚀处理的步骤中,能够使外层的压印胶先被刻蚀,而且压印胶层远离基板处的刻蚀的速率快于压印胶层靠近基板处的刻蚀速率,故能够在圆台化刻蚀处理的步骤中,使各层压印胶层远离基板的一端先被刻蚀,并逐渐刻蚀形成类似圆台状的柱体,在后续的图形转移刻蚀处理时,则能够制得具有对应的纳米圆台偏振结构的超表面透镜。
  • 纳米圆台偏振结构表面透镜制备方法
  • [发明专利]SiC刻蚀方法和设备-CN202310973991.0有效
  • 林政勋;郭轲科;廖舜一 - 无锡邑文电子科技有限公司
  • 2023-08-04 - 2023-10-03 - H01L21/308
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种SiC刻蚀方法和设备,SiC刻蚀方法包括:去除预设沟槽的底部的硬壳层、以及单步刻蚀或多步刻蚀;去除预设沟槽的底部的硬壳层的步骤,包括:利用CF4气体去除预设沟槽的底部的硬壳层;单步刻蚀或多步刻蚀的步骤,包括:利用主刻蚀气体SF6和辅助刻蚀气体,对SiC衬底进行刻蚀,其中,辅助刻蚀气体包括CBr4气体,以生成SiBr4附着在SiC衬底上刻蚀得到的沟槽的侧壁,以增强侧壁保护,降低侧壁的粗糙度。该刻蚀方法能够在转移图形的过程中降低SiC衬底刻蚀出的沟槽的侧壁的粗糙度,同时降低沟槽栅氧的击穿的可能性,进而提高半导体器件的可靠性。
  • sic刻蚀方法设备
  • [发明专利]刻蚀设备-CN202311021024.0在审
  • 林政勋;郭轲科;华恩瀚 - 无锡邑文电子科技有限公司
  • 2023-08-15 - 2023-09-12 - H01J37/32
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种刻蚀设备,其包括反应室、等离子体发生室、气体分流盘和隔离件,等离子体发生室包括外壳、屏蔽罩和第一电磁感应线圈,屏蔽罩设置于外壳内、且具有第二腔室,外壳设置有进气孔,进气孔与第二腔室连通;第一电磁感应线圈设置于外壳,且绕屏蔽罩的周向分布;气体分流盘设置于等离子体发生室和反应室之间,气体分流盘设置有用于使反应室的第一腔室和第二腔室连通的气孔组件;隔离件设置于第二腔室内,且隔离件分隔在进气孔和气孔组件的进气口之间,以使从进气孔进入第二腔室的气体绕隔离件流动后经过气孔组件进入第一腔室。该设备能够保证足量的等离子体和活性自由基,以便于充分地进行刻蚀反应。
  • 刻蚀设备
  • [发明专利]退火炉及退火设备-CN202310631254.2在审
  • 戴建波;孙文彬 - 无锡邑文电子科技有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-09-08 - H01L21/687
  • 本发明的实施例提供了一种退火炉及退火设备,涉及半导体技术领域。该退火炉及退火设备包括反应室、炉盖、托架、晶圆托盘、升降驱动装置以及托脚;炉盖设置于反应室的顶部;升降驱动装置设置于反应室上,并与托架连接,用于驱使托架升降;托脚设置于托架的顶部;晶圆托盘设置于反应室内,用于承载晶圆,晶圆托盘上开设有通孔,通孔用于供托脚穿过,以便托脚在上升的情况下顶升晶圆或者在下降的情况下放置晶圆至晶圆托盘,具有便于拿取或放置晶圆的效果。
  • 退火炉退火设备
  • [发明专利]一种ALD加工设备以及加工方法-CN202011412184.4有效
  • 万军;廖海涛;王斌;王辉 - 无锡邑文电子科技有限公司
  • 2020-12-03 - 2023-09-08 - C23C16/455
  • 本发明涉及一种ALD加工设备以及加工方法。其中的加工设备的反应器包括真空腔室以及反应腔室,反应腔室内置于真空腔室内,反应腔室顶部敞口,反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道,进气通道和出气通道以反应腔室的底部的第一方向的中心线相对设置,升降装置设置在反应器上,升降装置的输出端沿竖向伸缩,升降装置的输出端上设置有封盖,封盖可操作地将反应腔室顶部密封,输送装置用于将基体输送至真空腔室内,抓取装置设置在封盖上,抓取装置用于抓取输送至真空腔室内的基体。本发明保证沉积膜的成型质量和一致性,成膜效率高,周期短,提高前驱体源的利用率,适合批量性生产,具有很好的实用价值。
  • 一种ald加工设备以及方法
  • [实用新型]一种分线器及电控设备-CN202320680507.0有效
  • 高阔;张鑫华 - 无锡邑文电子科技有限公司
  • 2023-03-31 - 2023-08-22 - H01R31/06
  • 本实用新型提供一种分线器及电控设备,涉及电子器件技术领域。分线器包括PCB板、数据接口连接器以及端子台。PCB板包括第一安装面和第二安装面,数据接口连接器设置于第一安装面,端子台设置于第二安装面,且端子台与数据接口连接器连接。通过在PCB板的第一安装面上设置数据接口连接器,并在PCB板的第二安装面上设置端子台,以实现数据接口连接器与端子台直接电联接,因此,实现了分线器整体结构简单且占用空间较小,相比现有的分线器无需使用转接件或其他接插件,可供更多线缆进行走线,方便检修维护、集中配线以及快速接线,显著提高了分线器的安装效率以及适应性,降低了成本,提高了实用性和市场竞争力。
  • 一种分线器设备
  • [发明专利]一种去胶设备-CN202310502331.4有效
  • 戴建波;孙文彬;娄俊飞 - 无锡邑文电子科技有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-08-18 - H01L21/67
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开一种去胶设备。其中去胶设备的晶圆腔用于存放至少一个晶圆;传输腔中设置有机械手臂,机械手臂用于传输晶圆;至少一个工艺腔内设置有加热盘,加热盘可承载机械手臂传输的晶圆,以使工艺腔对晶圆进行去胶工艺处理;探针本体包括用于测量去胶工艺处理过程中加热盘的温度的探针和与探针连接的连接座部;支撑组件的第一端与连接座部固定连接;工艺腔的侧壁设置有连接孔,连接座的第一端密封插设于连接孔,连接座的第二端可拆卸连接于支撑组件的第二端;加热盘设置有测温孔,探针依次穿设于支撑组件和连接座且末端伸入测温孔内,探针密封连接于连接座。本发明实现了工艺腔的密封性能满足需求,防止探针弯曲变形。
  • 一种设备
  • [实用新型]晶圆承载治具及半导体设备-CN202320513212.4有效
  • 孙文彬;张少帅 - 无锡邑文电子科技有限公司
  • 2023-03-16 - 2023-08-18 - H01L21/687
  • 本实用新型涉及晶圆制备技术领域,具体公开了一种晶圆承载治具及半导体设备,该晶圆承载治具包括底座、托盘和顶针,其中,托盘设于底座,托盘具有穿出其两个端面的针孔;顶针能从托盘远离底座的一端穿入针孔,并可拆卸连接于底座。上述结构的设置使得托盘安装到底座上的时候,无需考虑顶针的结构,从而提高了托盘安装到底座上的效率;另外,将顶针穿过针孔并安装至底座的过程,由于手持顶针,感触更加灵敏,也降低了顶针发生弯曲的可能性。
  • 承载半导体设备
  • [发明专利]一种气缸装置及半导体设备-CN202310560884.5在审
  • 戴建波;孙文彬;朱磊 - 无锡邑文电子科技有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
  • 2023-05-17 - 2023-08-08 - F15B15/14
  • 本发明的实施例提供了一种气缸装置及半导体设备,涉及半导体设备技术领域。气缸装置包括第一固定件、第二固定件、气缸组件以及调节组件。第一固定件与第二固定件均用于与外部框架连接。气缸组件的一端通过调节组件与第一固定件连接,另一端与第二固定件连接。通过调节组件调节气缸组件与外部框架之间的距离,以使得气缸组件和外部框架之间的距离达到预设距离,从而减少装配及加工误差,提高了气缸装置的精度以及装配效率;此外,还可通过调节组件调整气缸组件的平整度,以提高气缸组件运行的稳定性,从而提高气缸装置的操控性能。
  • 一种气缸装置半导体设备
  • [发明专利]一种专用于半导体器件的PLD镀膜装置-CN202310430531.3有效
  • 戴建波;孙文彬 - 无锡邑文电子科技有限公司
  • 2023-04-21 - 2023-08-01 - C23C14/28
  • 本发明属于专用于半导体器件的PLD镀膜技术领域,具体涉及一种专用于半导体器件的PLD镀膜装置,包括靶材安装机构、激光发射机构和镀膜基底机构,靶材安装机构包括:具有若干开孔的靶材基座,用于安装靶材的若干靶材安装座,膜厚仪;靶材安装机构还包括:若干靶材角度调节器,其与若干靶材安装座一一对应,且其第一端转动连接在对应的靶材安装座上,其第二端铰接在靶材基座上;若干柔性连接器,其与若干靶材安装座一一对应,且其一端连接在所述靶材安装座上,另一端连接在第二驱动机构上。本发明能够实现单独精密调节单个靶材的溅射角度,保证了每次溅射的一致性,并能实时根据检测的膜厚调整靶材的溅射角度,利于提升沉积膜层厚度均匀性。
  • 一种专用半导体器件pld镀膜装置

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