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- [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310865070.2在审
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叶传瑶
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长鑫科技集团股份有限公司
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2023-07-13
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2023-10-03
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C23C16/505
- 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：在含氢反应物氛围中，采用第一化学气相沉积工艺于衬底表面形成初始第一半导体层；初始第一半导体层中具有表面氢悬挂键；对初始第一半导体层进行表面处理，以于初始第一半导体层中引入解离氢悬挂键，并使得解离氢悬挂键和表面氢悬挂键反应生成氢气排出，获得目标第一半导体层；其中，目标第一半导体层中的表面氢悬挂键的含量小于初始第一半导体层中的表面氢悬挂键的含量。所述半导体结构的制备方法可以避免在后续制程中产生泡状缺陷或发生表面剥离，有利于提升制备方法的生产良率。
- 半导体结构及其制备方法
- [实用新型]反应腔室及半导体工艺设备-CN202320549764.0有效
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王朔;王福来
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2023-03-20
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2023-09-08
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C23C16/505
- 本实用新型涉及半导体工艺设备技术领域，具体而言，涉及一种反应腔室及半导体工艺设备。反应腔室包括内衬、基座和传动结构；内衬包括内衬外层和空套于内衬外层之内的内衬内层，内衬内层围成用于工艺区，内衬内层具有内层排气孔，内衬外层具有外层排气孔；内层排气孔和外层排气孔用于将工艺区与抽气装置连通；内衬外层和内衬内层两者中其中一者固定设置，另一者通过传动结构连接于基座；传动结构用于将基座的升降运动转换为内衬内层和内衬外层之间的相对运动，以使内层排气孔与外层排气孔之间的重合面积随基座的上升而减小、随基座的下降而增大。本实用新型提供的反应腔室及半导体工艺设备，既能获得较高的沉积速率，又能保证良好的成膜质量。
- 反应半导体工艺设备
- [发明专利]镀膜的方法及太阳电池的制备方法-CN202310674171.1在审
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刘泽文;刘鹏海
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通合新能源（金堂）有限公司
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2023-06-07
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2023-09-05
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C23C16/505
- 本申请提供一种镀膜的方法及太阳电池的制备方法，属于PECVD沉积膜技术领域。PECVD沉积的炉管中放置有至少两个石墨舟，至少两个石墨舟沿炉管的长度方向依次排布，炉管上设置有射频电源，一个石墨舟对应有一组射频电源，每个石墨舟上均固定有多个硅片。镀膜的方法包括：通气：向炉管中通入气源。沉积A：第一石墨舟对应的第一射频电源打开，同时第二石墨舟对应的第二射频电源关闭。沉积B：第一石墨舟对应的第一射频电源关闭，同时第二石墨舟对应的第二射频电源打开。其中，交替进行沉积A和沉积B的步骤。该镀膜的方法可以降低通入炉管中气体的流量；同时干泵处理量减少，改善管路堵塞的问题，延长干泵的使用寿命。
- 镀膜方法太阳电池制备
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