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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种离子束溅射二氧化硅光学薄膜应力的调控方法-CN201410719571.0无效
发明人：刘华松;王利栓;季一勤;姜承慧;刘丹丹;姜玉刚 -专利权人：中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C23C14/10 文献下载
摘要：本发明属于二氧化硅光学薄膜应力的调整技术领域，具体涉及一种离子束溅射二氧化硅光学薄膜应力的调控方法。本发明通过调整离子束溅射过程中氧气流量的大小，在保证薄膜非晶态的微结构和光学特性的前提下，实现对SiO₂薄膜应力的控制，应用于超低损耗激光薄膜与高损伤阈值激光薄膜领域。在上述方案中，通过对基板先后进行化学清洗、超声波清洗及离子束轰击清洗，在制备过程中保持其它参数不变的条件下调整氧气流量大小，可以有效控制所制备二氧化硅薄膜的应力，使其满足在超低损耗激光薄膜与高损伤阈值激光薄膜领域内的应用
一种离子束溅射二氧化硅光学薄膜应力调控方法

[发明专利]一种压电式离子源中子管及中子发生器-CN202211597803.0在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：中科超睿(青岛)技术有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H05H3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种压电式离子源中子管及中子发生器，该中子管包括中子靶、加速电极和压电离子源，压电离子源用于形成高压后电离气体，并形成离子束；中子靶安装在压电离子源的一侧，加速电极安装在中子靶和压电离子源之间，其用于连接外部高压并生成加速电场，该加速电场对离子束进行加速，使离子束轰击中子靶以产生中子。本发明的有益效果是结构简单，设计合理，采用压电式离子源，并利用材料的压电效应，直接在电极表面产生高压电场；该离子源直接在电极表面电离，无需外部升压电路，且无需专门的电离发生器，减小中子管体积，且具有制作方便
一种压电离子源中子发生器

[发明专利]一种加工SIO2-CN202110716288.2在审
发明人：蒋中原;车东晨;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明的一种加工SIO2闪耀光栅的方法，包括如下步骤：步骤1，构建闪耀角、离子束入射角、SIO2对光刻胶的选择比模型；步骤2，将待加工样品传输至反应离子束刻蚀机，使wafer表面法线与离子束呈0‑90度角度；步骤3，放电腔室中通入混合气体，所述混合气体包括CHF3和O2，其中O2等离子体可以快速的将侧壁的保护层消耗掉；步骤4，等离子体经栅网引出中和，与待刻蚀样品发生物理轰击和化学反应。
一种加工 sio base sub

[发明专利]离子植入系统中用于经改良的均匀度调整的技术-CN200980115538.4有效
发明人：摩根·D·艾文斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供在离子植入系统中调整均匀度的方法。前述方法可通过一调整离子束均匀度的方法来实现。前述方法包括：于一离子植入系统中产生一离子束；沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；沿着离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及沿着离子束路径至少部分地依据第一离子束电流密度分布以及第二离子束电流密度分布来决定一第三离子束电流密度分布
离子植入系统用于改良均匀调整技术

[发明专利]离子注入系统、确定离子束的轮廓的方法和执行剂量控制的方法-CN201480062577.3有效
发明人：佐藤秀 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01T1/34 文献下载
摘要：提供了一种离子注入系统和方法，其中，离子源产生离子，质量分析器对离子束进行质量分析。束轮廓确定装置在预定时间内沿轮廓确定平面平移通过离子束，其中，束轮廓确定装置与所述平移并发地横跨离子束的宽度来测量束电流，其中限定离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓。束监测装置被配置为测量所述预定时间内在离子束的边缘处的离子束电流，其中限定与时间相关的离子束电流，以及控制器通过将离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓除以与时间相关的离子束电流来确定与时间无关的离子束轮廓，其中抵消离子束电流在所述预定时间内的波动。
用于测量横向强度分布方法

[发明专利]在离子注入器中调节离子束平行的方法和设备-CN02106603.5无效
发明人：约瑟夫·C·奥利桑;安东尼·丽奥 -专利权人：瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：在工件(如半导体晶片)中注入离子的方法和设备，包括产生离子束，测定离子束的平行，根据测定的平行调节离子束到所需的平行程度，测定所调节的离子束的离子束方向，参照所测定的离子束方向以注入角度定向工件，以及使用参照所测定的离子束方向以注入角度定向的工件来实施注入注入可以高度平行离子束来实施。
离子注入调节离子束平行方法设备

[发明专利]一种离子束溅射镀膜用镀膜机、遮挡板及均匀性修正方法-CN202211494952.4在审
发明人：王磊磊;张钦;韩学坤 -专利权人：青岛镭视光电科技有限公司
申请日： 2022-11-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本申请涉及一种离子束溅射镀膜用镀膜机、遮挡板及均匀性修正方法，涉及镀膜的技术领域；离子束溅射镀膜用镀膜机包括工件盘，用于固定基片；遮挡板，位于工件盘下方，用于遮挡部分由沉积系统轰击靶材系统产生的薄膜材料
一种离子束溅射镀膜遮挡均匀修正方法

[发明专利]聚焦离子束杂质鉴定-CN202010100620.8有效
发明人： J.格雷厄姆;L.克拉尔 -专利权人： FEI 公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：聚焦离子束杂质鉴定。具有带电粒子束(CPB)透镜和离子束柱的双束系统可以在分析模式下运行。在所述分析模式下，来自所述离子束柱的离子束可以由CPB偏转为包含主离子束和一个或多个非主离子束的一个或多个分量束。所述双束系统可以鉴定所述非主离子束的离子种类。
聚焦离子束杂质鉴定

[发明专利]离子注入装置以及得到不均匀的离子注入能量的方法-CN200610128503.2有效
发明人：卢俓奉;秦丞佑;李民镛;郑镛洙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子注入装置，包括产生离子束的离子束源；布置在离子束路径上的注入能量控制器用于控制离子束的离子注入能量，从而为第一时间周期产生具有第一注入能量的离子束，为第二时间周期产生具有第二注入能量的离子束；加速离子束的束道；以及安装有衬底的终端站，由束道加速的离子束注入到衬底上。
离子注入装置以及得到不均匀能量方法

[发明专利]一种离子注入机及离子束监测调制方法-CN202310643226.2在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：浙江露语尔半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入机及离子束监测调制方法。为了克服现有技术中离子注入机难以在离子束注入硅片过程中实现实时监测和调制的问题，本发明装置包括分析器磁体，其内部设置磁场空间，离子束经过磁场空间抵达离子束出口后射出，离子束出口处设置若干导电结构，导电结构与测量设备耦合；方法包括离子束由离子源经离子束入口注入分析器磁体内部的磁场空间，经离子束出口射出；离子束出口处的离子束经导电结构实时测量并调制后，沿期望轨迹投射至接收晶片。能够通过实时监测离子束偏转来校正从分析器磁体输出的离子束偏离期望轨迹的偏转，从而使其按照期望轨迹注入硅片。
一种离子注入离子束监测调制方法

[发明专利]离子注入装置-CN200880004331.5有效
发明人：辻康之 -专利权人：三井造船株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明的离子注入装置(10)包括：离子源(22)，产生离子束；离子束整形部(20)，将产生的离子束整形为带状离子束；射束输送部(30)，在使带状离子束的厚度方向上的厚度变薄并使其收敛后，使带状离子束照射到处理基板(62)上；处理部(60)，将带状离子束照射到处理基板(62)上；透镜单元(40)，对带状离子束的电流密度分布进行调整，在该电流密度分布中带状离子束的射束厚度方向的电流密度的和值是以射束宽度方向的分布来表示的，其中，所述透镜单元(40)按照在离子束的收敛位置(52)附近区域调整对离子束的电流密度分布进行调整的方式设置。根据该构成，将带状离子束的一部分在带状离子束的内面稍微弯曲，从而能够精度良好地调整电流密度分布。
离子注入装置

[实用新型]一种晶圆吸盘保护装置-CN201420176357.0有效
发明人：李大勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型的晶圆吸盘保护装置在晶圆受到离子束轰击的同时，使得所述晶圆吸盘在所述第二保护结构的保护下避免受离子束轰击，延长了所述第一保护结构的使用寿命，降低了生产成本。
一种吸盘保护装置

[发明专利]核聚变装置及方法-CN202180030630.1在审
发明人：叶夫根尼·齐佩 -专利权人：叶夫根尼·齐佩
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G21B1/00 文献下载
摘要：第一离子束及第二离子束在活性空间内依次沿着第一路径及第二路径定向。在每一个别离子束的每一路径内的点，每一离子束具有每一离子束内的离子的基本均匀能量及具有每一离子束内的离子的基本均匀速度矢量。所述第一离子束及所述第二离子束在所述活性空间中的反应区内实质相互正面碰撞，而所述第一离子束的离子的能量与所述第二离子束的离子的能量的比等于各自的离子质量的反比。所述第一离子束及所述第二离子束的散射离子的能量被回收，而且冷离子从所述活性空间排空。
聚变装置方法

[发明专利]离子束抛光方法-CN201510331466.4有效
发明人：吴丽翔;邱克强;曾思为;付绍军 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束抛光方法。该离子束抛光方法应用的离子束抛光设备包括工件台、离子束发生器和运动控制系统。其中，工件放置于工件台上，离子束发生器发出形状和大小实时可控的离子束束斑(2)；运动控制系统驱动工件台和/或离子束发生器运动，离子束束斑(2)在工件表面移动，实现对工件的抛光。本发明中，离子束束斑的形状和大小均可控，从而提高了离子束抛光设备的可控性和控制精度。
离子束抛光设备应用方法

[发明专利]复合带电粒子束装置和控制方法-CN202010064843.3有效
发明人：杉山安彦;广濑菜绪子;大庭弘 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本发明提供复合带电粒子束装置和控制方法，能够根据会聚离子束的期望的加速电压来设定会聚离子束的射束助推器的电压的值。复合带电粒子束装置具有：离子供给部，其供给离子束；加速电压施加部，其通过向离子供给部所供给的离子束施加加速电压，而使离子束加速；第1会聚部，其使离子束会聚；射束助推电压施加部，其向离子束施加射束助推电压；第2会聚部，其使离子束会聚而向试样照射；电子束照射部，其向试样照射电子束；以及控制部，其根据如下设定值设定射束助推电压施加部向离子束施加的射束助推电压的值，该设定值是根据加速电压施加部向离子束施加的加速电压的值和会聚后的离子束的焦距而预先确定的
复合带电粒子束装置控制方法

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