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[发明专利]离子束照射装置和离子束照射装置的运转方法-CN201310081172.1有效
发明人：松本武 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供离子束照射装置和离子束照射装置的运转方法，能对离子束照射装置进行清洗，并且能显著提高装置的运转率。所述离子束照射装置包括：基板输送部（102），在盒（7）和处理室（5）之间对未处理的基板与离子束照射处理过的基板进行多次基板更换作业；以及离子束供给部（101），用于向处理室（5）供给离子束（3），与至少一次的基板更换作业并行地，对离子束供给部（101）的运转参数进行设定变更并对离子束供给部（101）内进行清洗。
离子束照射装置运转方法

[实用新型]离子束抛光设备-CN201520408818.7有效
发明人：吴丽翔;邱克强;曾思为;付绍军 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种离子束抛光设备。该离子束抛光设备包括：工件台、离子束发生器和运动控制系统。其中，工件放置于工件台上，离子束发生器发出形状和大小实时可控的离子束束斑；运动控制系统驱动工件台和/或离子束发生器运动，离子束束斑在工件表面移动，实现对工件的抛光。本实用新型中，离子束束斑的形状和大小均可控，从而提高了离子束抛光设备的可控性和控制精度。
离子束抛光设备

[发明专利]一种热障涂层的制备方法-CN201110141323.9有效
发明人：高巍;巩水利;张华芳;武洪臣;刘亮;雷新更;彭丽平 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明是一种热障涂层的制备方法，本发明方法是在电子束蒸发沉积涂层的同时用离子束对沉积基体进行轰击，电子束蒸气的能量大约为0.1～1电子伏特，该能量在沉积涂层过程中不足以使原子很好地迁移。离子束的能量可以达到几千电子伏特，该能量足以干扰柱状晶的生长，使晶界和亚晶界增加，显微孔洞增大或增多，从而减小声子和光子散射平均自由程，降低热障涂层的热导率。通过离子的活化电离作用，可以提高蒸气云的能量，与常规EB-PVD相比可以在较低温的沉积温度达到相同的性能。另外离子辅助沉积还可以调控柱状晶的形貌、结构和应力，从而提高热障涂层的使用寿命。
一种热障涂层制备方法

[发明专利]离子束均匀度检测装置及检测方法-CN201910305464.6有效
发明人：李斌;庞闻;苏文华;李家军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束均匀度检测装置及检测方法，所述离子束均匀度检测装置包括离子分束电流采样单元和分析计算单元，离子分束电流采样单元用于接收离子束，并获得离子束内多个位置的离子分束电流；分析计算单元根据多个位置的离子分束电流得到所述离子束均匀度是否满足控制要求通过对多个位置的离子分束电流的分析，可以实时、精准的获知离子束的均匀度情况，及时调整离子植入机台以优化离子束，从而避免因离子束均匀度不好而导致的产品报废的问题，提高了产品良率。
离子束均匀检测装置方法

[实用新型]离子注入设备-CN201721040144.5有效
发明人：何川;洪俊华;张劲;陈炯;杨勇 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子注入设备，包括离子源、一与该真空腔相连通的掺杂气体供应装置、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整气态掺杂源和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。
束流掺杂源氢离子离子束流检测装置离子注入设备传输路径氢气供应装置偏转本实用新型掺杂气体供应装置检测结果偏转元件供应量氢气离子源真空腔采样检测

[实用新型]离子注入设备-CN201721039656.X有效
发明人：何川;洪俊华;张劲;陈炯;杨勇 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子注入设备，包括离子源、一与该真空腔相连通的加热腔体、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整掺杂源的升华温度和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。
离子注入设备

[发明专利]一种基于荧光探针扫描的离子束控制装置-CN202110508180.4有效
发明人：伦俊杰;孙宗丽;孟凡瑞 -专利权人：昌乐县人民医院
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于荧光探针扫描的离子束控制装置，所述装置至少包括设置有离子束偏转组件的加速器和控制单元，控制单元用于控制离子束偏转组件以调节离子束的照射位置和深度，在离子束的发射路径上设置有深度调节单元，所述深度调节单元至少包括深度调节板和至少一个能够使得离子束聚焦的离子聚焦组件，所述离子聚焦组件将通过所述深度调节板的扩散的离子束聚焦在靶区。与现有技术中离子束直接照射在肿瘤组织的靶区相比，本发明能够调整离子束的路径并使得离子束聚焦，根据肿瘤位置的位移直接进行离子束的聚焦点的适应性调整，照射的精确度更高，对健康组织的损害更小。
一种基于荧光探针扫描离子束控制装置

[发明专利]离子束植入电流、点宽与位置调校-CN200580033847.9有效
发明人：张升吾;安东尼勒·可雀帝;约瑟·P·迪宰桔雷斯契;葛列格里·R·吉本雷洛;罗扎里欧·马雷卡;葛桔·A·洛里斯;约瑟·C·欧尔森;马黎耶·J·威尔旭 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2005-10-07 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
离子束植入电流位置调校

[发明专利]离子束调整-CN201180045304.4有效
发明人：常胜武;约瑟·C·欧尔森;法兰克·辛克莱;马太·P·麦卡伦 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01J37/10 文献下载
摘要：一种束线式离子植入机，包括：离子源，其被配置为用以产生离子束；扫描器，其被配置为用以对离子束进行扫描，从而产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束；以及聚焦元件，其具有聚焦场，位于扫描器的上游，被配置为用以使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点一种离子束调整方法包括：产生离子束；使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点；以及对离子束进行扫描，以产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束。
离子束调整

[发明专利]聚焦离子束样品清洁方法及装置-CN202111475885.7有效
发明人：王娅茹;李威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种聚焦离子束样品清洁方法及装置。所述聚焦离子束样品清洁方法包括如下步骤：倾斜一聚焦离子束样品，使得所述聚焦离子束样品朝向一离子束的传输路径、且所述聚焦离子束样品中待清洁的第一表面与所述传输路径平行；控制所述样聚焦离子束样品自转第一预设角度，使得所述第一表面朝向所述传输路径；驱动所述离子束沿所述传输路径射向所述第一表面，以清洁所述第一表面。本发明从而改善聚焦离子束样品的清洁效果，提高了聚焦离子束工艺制备的TME图片质量。
聚焦离子束样品清洁方法装置

[发明专利]工件的离子束铣削及其程度的确定和控制-CN200580036411.5无效
发明人： D·博古斯拉夫斯基;V·彻里平;C·史密思 -专利权人：西拉半导体工程实验室有限公司
申请日： 2005-08-24 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：用于对工件进行受到引导的经过多次偏转的离子束铣削并确定和控制其程度的方法、装置和系统。提供离子束；并且引导所述提供的离子束并使所述提供的离子束产生至少两次偏转从而形成受到引导的经过多次偏转的离子束，其中所述受到引导的经过多次偏转的离子束被导向、入射且撞击在所述工件的表面上并且对所述工件表面进行铣削装置包括离子束源组件；和用于引导所述提供的离子束并使所述提供的离子束产生至少两次偏转从而形成受到引导的经过多次偏转的离子束的离子束引导和多次偏转组件，其中所述受到引导的经过多次偏转的离子束被导向、入射且撞击在所述工件的表面上并且对所述工件表面进行铣削
工件离子束铣削及其程度确定控制

[发明专利]一种超宽带状离子束产生装置及离子注入机-CN201310398888.4有效
发明人：张赛;孙雪平;易文杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01J37/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带状离子束产生装置及离子注入机。为了解决现有的超宽离子束的均匀性较差的问题，所述超宽带状离子束产生装置包括离子质量分析磁铁、分析光栏和离子束聚焦磁铁；所述离子质量分析磁铁具有斑状离子束穿过的空间；所述分析光栏具有从所述离子质量分析磁铁出来的汇聚的带状离子束穿行的空间；所述离子束聚焦磁铁具有从所述分析光栏出来的带状离子束穿行的空间；所述离子质量分析磁铁产生第一磁场，所述离子束聚焦磁铁产生第二磁场，所述第二磁场与所述第一磁场方向垂直。本发明在现有斑状离子源的基础上产生超宽带状离子束，并且达到质量分析的目的，并保证整个带状离子束宽度上不变。
一种宽带离子束产生装置离子注入

[发明专利]一种基于离子注入机的离子束注入控制方法及装置-CN202211012019.9在审
发明人：张力夫;陈平阳;谈益强 -专利权人：浙江陶特容器科技股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于离子注入机的离子束注入控制方法及装置，方法包括当检测到离子源射出第一离子束时，基于移动轨迹确定四极透镜的位置；根据位置依次校正波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘，并控制离子源停止射出第一离子束；当检测到离子源射出第二离子束时，对第二离子束进行聚焦压缩处理，并将第二离子束射出至波束扫描磁铁；对第二离子束进行高频扫描处理，并将第二离子束射出至晶圆乘载盘。通过处理后的离子束可保障晶圆乘载盘在离子束的注入过程中避免持续移动，可有效减少保养与故障频率，以及有助于减少因移动所产生的外在污染；另一方面，还可基于处理后的离子束有效控制对晶圆表面积的再次注入过程，进而极大缩短离子束的输入时间
一种基于离子注入离子束控制方法装置

[发明专利]多孔聚合物膜的制造方法及多孔聚合物膜-CN201480018296.8在审
发明人：古山了;长井阳三;森山顺一;百合庸介;汤山贵裕;石坂知久;石堀郁夫;吉田健一;前川康成;越川博;八卷徹也;浅野雅春 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C08J7/00 文献下载
摘要：本公开的方法是一种多孔聚合物膜的制造方法，其包括：以横穿离子束的方式运送带状的聚合物膜，由此对该膜照射离子束，从而形成经离子束中的离子碰撞后的聚合物膜的工序；和对形成的聚合物膜进行化学蚀刻，从而在该膜中形成与离子碰撞的轨迹对应的开口和/或通孔的工序，对聚合物膜照射的离子束为将原离子束(51)的尾部通过非线性聚焦法向离子束中心方向折叠而得到的离子束(11)，所述原离子束由在回旋加速器中加速后的离子构成，并且关于与离子束的行进方向垂直的截面的强度分布，所述原离子束具有以离子束中心为最大强度且随着远离该中心束流强度连续降低的分布图。
多孔聚合物制造方法

[发明专利]微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置-CN200910046033.9有效
发明人：张磊;施立群 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：具体涉及一种微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置，包括磁控溅射区和ECR等离子体轰击区以及基板，ECR等离子体放电室，柱状室和环状圆盘，所述的溅射区和等离子体轰击区位于真空室夹角的两端，环状圆盘焊接在柱状室上本发明将高活性的微波等离子体与磁控溅射技术结合起来，能克服双离子束溅射辅助沉积时溅射沉积速率低、辅助轰击效果也相对较低的缺点，可对沉积和等离子体辐照分别控制，制备高质量的薄膜。
微波 ecr 等离子体辅助磁控溅射沉积装置