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[发明专利]电容式MEMS麦克风及其制造方法-CN201810631510.7有效
发明人：王高峰;吴丽翔;王俊力 -专利权人：杭州法动科技有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明公开了电容式MEMS麦克风及其制造方法。由于振膜边缘不容易振动，背电极边缘部分与振膜边缘形成的电容大小对灵敏度有很大的影响。本发明电容式MEMS麦克风，包括衬底、振膜、背电极、接线组件、刻蚀停止环、振膜支撑环、第一绝缘环和第二绝缘环。所述的衬底、刻蚀停止环、振膜支撑环、第一绝缘环、第二绝缘环依次排列并固定在一起。振膜固定在振膜支撑环上。振膜的两个侧面上均开设有多个环形槽。所有环形槽均与振膜同轴设置。氮化硅钝化保护层由保护环和保护盘组成。保护盘的靠近振膜的那侧侧面外凸设置，另一侧侧面内凹设置。导电层由导电环和导电片组成。本发明通过将振膜制作成环状结构实现麦克风的高灵敏度。
电容 mems 麦克风及其制造方法

[发明专利]基于三角形网格布局的多频带MEMS超声换能器阵列-CN201910934486.9有效
发明人： 吴丽翔 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明涉及基于三角形网格布局的多频带MEMS超声换能器阵列。现有MEMS超声换能器阵列无法同时具备多频带和二维波束形成的特性，成像性能上具有局限性。本发明包括三个MEMS超声换能器子阵列，每个子阵列包括多个相同中心频率的MEMS超声换能器单元，构成不同MEMS超声换能器子阵列的MEMS超声换能器单元的中心频率不同。对于一个区域中的三种不同中心频率的MEMS超声换能器单元布置在一个等边三角形的三个顶点处，该等边三角形的边长大于任一MEMS超声换能器单元的外接圆直径，以镶嵌形式平铺成MEMS超声换能器阵列。本发明具有更宽的频带范围，同时具备多频带和二维波束形成的特性，成像性能上更有优势。
基于三角形网格布局频带 mems 超声换能器阵列

[发明专利]一种二维材料纳米带或微米带的制备方法-CN201910003576.6有效
发明人：杨伟煌;李华;吴丽翔;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维材料纳米带或微米带的制备方法，采用化学气相沉积法，把ST‑X切型石英作为二维材料生长的基底，二维材料在基底表面成核之后的生长受到基底各向异性的作用，最终生长成排列整齐且取向一致的纳米带或微米带。本发明所采用的基于各向异性基底的化学气相沉积法，具有低成本、装置简易、易操作、可控性好等特点；通过使用高真空热蒸发镀膜设备在源载体上预先蒸镀指定厚度三氧化钨，有效避免了直接使用三氧化钨粉末作钨源而导致的钨源空间分布不均匀情况的发生；本发明所制备的二维材料纳米带或微米带，晶畴取向可控且一致、整齐排列且覆盖率广，可用于自旋电子器件的开发及研究等。
一种二维材料纳米微米制备方法

[发明专利]一种MEMS麦克风测试系统-CN201711321323.0有效
发明人： 吴丽翔;孙全胜;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H04R29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS麦克风测试系统。是将芯片直接连接在电路板上，通过锡焊将PAD连接到电路中，可重复性差。本发明包括控制模块、电路模块、芯片模块。控制模块与电路模块连接，控制模块控制电路模块中电荷泵的放大级数，得到不同的输出电压；电路模块与芯片模块互连，为芯片提供稳定的偏置电压；芯片模块的输出信号再返回到电路模块。电路模块包括时钟产生电路、电荷泵电路、输入增益放大电路、输出增益放大电路、三个电容和两个电阻。芯片模块是在电路印刷版的中部开设芯片安装孔，正面设置有多个小尺寸的圆形焊盘，背面设置有多个大尺寸的矩形焊盘，通过电路印刷版盲孔技术连接。本发明具有可重复性强、成本低、方便检测的特点。
一种 mems 麦克风测试系统

[发明专利]一种具有低频宽带消音功能的声学超材料及其微加工方法-CN201811487218.9有效
发明人： 吴丽翔;孙全胜 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G10K11/162 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低频宽带消音功能的声学超材料及其微加工方法。目前针对微系统封装和微传感器安全对低频噪声消除的实际需求，宽带消声功能和结构微型化是亟待解决的问题。本发明由下到上依次包括厚度为200～300um的硅衬底层、厚度为1～2um的SiO2刻蚀层、厚度为1～2um的SiNx振膜层。硅衬底层开有直径为400～600um的衬底微孔，SiO2刻蚀层开有直径为600～700um的背腔，背腔和衬底微孔同轴开设，且背腔半径大于衬底微孔半径；SiNx振膜层覆盖在SiO2刻蚀层上。本发明提供的MEMS结构相比于传统结构，声传输损耗增加了22.3％以上，实现了声波衰减的功能。
一种具有低频宽带消音功能声学材料及其加工方法

[实用新型]一种具有语音识别装置的多功能壁灯-CN201922183436.X有效
发明人：王彬潇;吴丽翔;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有语音识别装置的多功能壁灯，包括本体，所述本体右侧固定连接有语音识别装置，所述本体前表面固定连接有防护外壳，所述辅助转轴外侧套嵌有第一连接杆，所述第一连接杆一侧活动连接有限位转轴，所述限位转轴一侧活动连接有第二连接杆，通过设有的可调整部件与其内部包括的可调节块与可调节螺栓，两者相配合，可以很好的调节伸缩杆与夹板的位置，同时设置的伸缩杆与夹板，可以很好的去卡扣固定不同程度的照明部件的型号与尺寸，可以很好的便于使用者拆卸与安装，同时便于调节照明部件的位置，设计合理，操作简便，避免了往往因某一处零件损坏，需要整体进行更换的情况。
一种具有语音识别装置多功能壁灯

[实用新型]双频压电式微机械超声换能器-CN201920504375.X有效
发明人： 吴丽翔 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了双频压电式微机械超声换能器。目前还没有基于单个振动膜片的双频压电式微机械超声换能器。本实用新型由上至下依次包括金属上电极层、压电薄膜层、金属下电极层、硅器件层、埋氧层、硅衬底层。埋氧层和硅衬底层内开有微腔。压电薄膜层包括位于同一平面的方形外框和设置在外框内的圆形片。金属上电极层包括位于同一平面互不接触的两个圆环形上电极；金属下电极层包括位于同一平面互不接触的两个圆环形下电极。外环上、下电极，以及内环上、下电极的圆环形金属片形状和尺寸相同，位置对应。本实用新型能够在单个振动膜片上同时发出两种不同中心频率的宽带超声，工艺简单，有利于波束形成，适用于双频带片上超声系统。
双频压电式微机械超声换能器

[发明专利]一种基于电容式电桥结构的超声阵列气体传感器-CN201711318381.8有效
发明人： 吴丽翔;卓文军;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G01N29/036 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电容式电桥结构的超声阵列气体传感器。现有产品不便于集成至移动设备。本发明包括可变电阻、第一电阻、第二电阻、可变电容、参考电容。可变电阻的一端与可变电容的一端连接后接电源VCC，可变电阻的另一端与第一电阻的一端连接后作为输出电压Vout的正极，可变电容的另一端、参考电容的一端和第二电阻的一端连接后作为输出电压Vout的负极。可变电容和参考电容结构相同，均采用超声阵列电容，其中可变电容的表面可吸附气体，电容会发生变化，参考电容表面不吸附气体，只作为参照组。本发明可最大限度地放大气体传感器的微弱信号，单个超声单元结构可靠性高，形成的超声阵列冗余度高，传感器具备高鲁棒性。
一种基于电容电桥结构超声阵列气体传感器

[发明专利]一种具有气体传感功能的二维材料源跟随器-CN201711321321.1有效
发明人： 吴丽翔;孙全胜;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有气体传感功能的二维材料源跟随器。现有产品在传感器与IC的互连中，易产生寄生效应，对传感信号产生影响。本发明包括两个用二维材料WS2制作的晶体管，其中M1当作气体传感器，M1的漏极接电源电压，栅极接基准电压，使M1工作在饱和区，M1的源极接M2的漏极，M2的栅极接基准电压，使第二NMOS管M2工作在饱和区，M2的源极接地，M2的漏极接输出，将第二NMOS管M2用绝缘材料覆盖住。本发明采用的是二维材料WS2制成的晶体管，将传感器与信号处理电路集成在一个晶圆上的器件结构，将气体传感器和信号处理电路设计在同一块Wafer上，不仅使器件结构更紧凑，也大大提高了传感性能。
一种具有气体传感功能二维材料跟随

[发明专利]基于六边形网格布局的多频带MEMS超声换能器阵列-CN201910933627.5在审
发明人： 吴丽翔 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： G01D5/48 文献下载
摘要：本发明涉及基于六边形网格布局的多频带MEMS超声换能器阵列。现有MEMS超声换能器阵列无法同时具备多频带和二维波束形成的特性，成像性能上具有局限性。本发明包括六个MEMS超声换能器子阵列，每个子阵列包括多个中心频率相同的MEMS超声换能器单元，构成不同MEMS超声换能器子阵列的MEMS超声换能器单元的中心频率不同。对于一个区域中的六种不同中心频率的MEMS超声换能器单元布置在一个正六边形的六个顶点处，正六边形的边长大于任一MEMS超声换能器单元的外接圆直径，以镶嵌形式平铺成MEMS超声换能器阵列。本发明的具有更宽的频带范围，同时具备多频带和二维波束形成的特性，在成像性能上更有优势。
超声换能器单元超声换能器阵列中心频率多频带子阵列超声换能器波束形成成像性能正六边形二维六边形网格顶点处外接圆边长平铺镶嵌

[发明专利]基于正方形网格布局的多频带MEMS超声换能器阵列-CN201910934512.8在审
发明人： 吴丽翔 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明涉及基于正方形网格布局的多频带MEMS超声换能器阵列。现有MEMS超声换能器阵列无法同时具备多频带和二维波束形成的特性，成像性能上具有局限性。本发明包括四个MEMS超声换能器子阵列，每个MEMS超声换能器子阵列包括多个相同中心频率的MEMS超声换能器单元，不同MEMS超声换能器子阵列的MEMS超声换能器单元的中心频率不同。对于一个区域中的四种不同中心频率的MEMS超声换能器单元布置在一个正方形的四个顶点处，该正方形的边长大于任一MEMS超声换能器单元的外接圆直径，以镶嵌形式平铺成MEMS超声换能器阵列。本发明的具有更宽的频带范围，同时具备多频带和二维波束形成的特性，在成像性能上更有优势。
超声换能器单元超声换能器阵列超声换能器中心频率多频带子阵列波束形成成像性能二维正方形网格顶点处外接圆边长平铺镶嵌

[发明专利]光顺加工的光顺区域的规划方法-CN201610836418.5有效
发明人： 吴丽翔;魏朝阳;邵建达;程鑫 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种规划光顺区域的方法，其主要流程包括：一、测量待加工表面；二、功率谱密度分析；三、基于Fourier级数提取中频面形误差；四、规划光顺区域。通过排除不适合光顺的区域，既能提高光顺效率，又可防止局部区域低频面形迅速恶化。
加工区域规划方法

[发明专利]一种基于双层压电薄膜的双频压电式微机械超声换能器-CN201910619684.6在审
发明人： 吴丽翔 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双层压电薄膜的双频压电式微机械超声换能器。现有技术在同一个平面设置两个顶电极影响双频压电式微机械超声换能器的性能。本发明包括双层压电薄膜和三层电极，其基本单元结构为截面是正多边形的棱柱，由上而下依次包括金属上电极层、上层压电薄膜、中间金属电极层、下层压电薄膜、金属下电极层、硅器件层、埋氧层、硅衬底层。沿硅衬底层的中心轴开有微腔，埋氧层将微腔顶部封盖。本发明在两层压电薄膜的中间设置一个公用电极，再在双层压电薄膜的顶部和底部分别设置一个电极，取代之前设置在同一个表面的两个顶电极，避免两个电极在位置和间距上的限制，优化了电极参数，提高了双频压电式微机械超声换能器性能。
双层压电薄膜机械超声压电薄膜电极双频压电硅衬底层顶电极换能器埋氧层微腔基本单元结构金属上电极层中间金属电极换能器性能电极参数顶部封盖公用电极硅器件层平面设置下电极层正多边形中间设置中心轴棱柱两层三层下层上层金属优化

[发明专利]一种深硅刻蚀制作高精度通孔的方法-CN201710842404.9有效
发明人： 吴丽翔;王俊力;卓文军;陈曦;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种深硅刻蚀制作高精度通孔的方法。现有方法刻蚀深度空间分布不均匀，从而改变硅通孔的侧壁及底部轮廓。本发明方法首先在基底上依次制备SiO₂薄膜层和多晶硅薄膜，然后通过紫外光刻将所设计圆环相间的图形转移到裸硅片背面的光刻胶上，再按照图案进行深硅刻蚀，将基底刻穿至刻蚀截止层，去除裸硅片背面残余的光刻胶后重新旋涂光刻胶，将所设计的基准通孔图案通过紫外光刻转移到光刻胶上；显影后，将整个硅片浸入氢氟酸溶液中，对截止层进行湿法腐蚀，基准通孔区域内的圆环完全脱落，形成高精度通孔。本发明方法可以解决深硅刻蚀过程中因负载效应所导致的通孔侧壁轮廓形状畸变问题，提高微型通孔的刻蚀精度。
一种刻蚀制作高精度方法

[发明专利]条形束斑离子束抛光的面形重构及扫描路径规划方法-CN201610817186.9有效
发明人： 吴丽翔;魏朝阳;邵建达;胡晨 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2016-09-12 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种条形束斑离子束抛光的面形重构及扫描路径规划方法，使条形束斑离子束适用于复杂曲面抛光，提高了离子束抛光效率和节省加工成本。根据本发明公开的表面材料去除量空间分布表示方法，可将任意连续光滑曲面分解为一系列一维分布的正弦波曲面，这样可极大减小了后续驻留时间算法中问题求解的计算复杂度，也可显著简化离子束抛光的扫描路径。
条形离子束抛光面形重构扫描路径规划方法

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