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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]考虑射束功率输入的晶片温度控制-CN201880055598.0有效
发明人：约翰·巴格特;乔·费拉拉;布莱恩·特里 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在离子注入系统中注入离子期间维持工件温度的系统和方法，其中使用一组预定的参数集来表征离子注入系统。在第一温度下设置受热夹盘，其将工件加热到第一温度。在加热的同时将离子注入到工件中，并通过离子注入将热能施加到工件中。通过选择性在受热夹盘上将工件加热到第二温度，在离子注入期间将工件的期望温度维持在期望精度内。至少部分地基于离子注入系统的表征来维持期望温度。通过在第二温度下选择性在受热夹盘上加热工件，减少从注入施加到工件中的热能。
考虑功率输入晶片温度控制

[发明专利]用于离子束加速的射频谐振器-CN201880055563.7有效
发明人：舒·佐藤 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01J37/248 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频馈通装置具有空心的电绝缘锥体，该锥体在第一端和第二端处包括具有第一直径和第二直径的第一开口和第二开口。第一直径大于第二直径，从而限定锥体到拐点的锥形侧壁。杆体耦接到锥体的第二端并穿过第一开口和第二开口。凸缘耦接到锥体的第一端并包括具有第三直径的凸缘开口。第三直径小于第一直径。杆体穿过凸缘开口而不接触凸缘。凸缘将锥体耦接到腔壁通孔。可以使锥体的接触部分金属化。锥体和凸缘使杆体穿过通孔，同时使杆体与腔壁电绝缘。
用于离子束加速射频谐振器

[发明专利]使用二甲基氯化铝作为源材料以产生铝离子束时的氟基分子共伴气体-CN202180069395.9在审
发明人：尼尔·科尔文;奈尔·巴森;爱德华·摩尔 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：提供了具有气态铝基离子源材料的离子注入系统、离子源和方法。气态铝基离子源材料可以是或包括二甲基氯化铝(DMAC)，其中DMAC是在室温下转变为气相的液体。离子源接收并电离气态铝基离子源材料以形成离子束。低压气瓶通过主气体管路将DMAC作为气体提供到离子源的电弧腔。分开的次气体管路将共伴气体(例如含氟分子)提供到离子源，其中共伴气体和DMAC降低了高能碳交叉污染和/或增加了双电荷铝。
使用甲基氯化铝作为材料产生离子束分子气体

[发明专利]用于改善工件温度均匀性的混合式高温静电夹具-CN202180070357.5在审
发明人：阿图尔·古普塔;斯科特·加利卡 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：热静电夹具具有与工件的中心区域相关联的中心静电部分。中心主体具有夹持表面以及与中心主体相关联的一个或多个电极。一个或多个电极基于通过其中的电流选择性地将工件的至少中心区域静电地夹持到夹持表面。中心主体的一个或多个第一加热器选择性地将中心静电部分加热到第一温度。与工件的周边区域相关联的非静电周边部分具有环绕中心主体的周边主体，周边主体被间隙隔开。周边主体被定位在工件的周边区域的下方。周边部分并不静电地夹持工件的周边区域。周边主体的一个或多个第二加热器选择性地将非静电周边部分加热到第二温度。
用于改善工件温度均匀混合式高温静电夹具

[发明专利]蚀刻氮化铝或氧化铝以产生铝离子束-CN202180068072.8在审
发明人：尼尔·科尔文;奈尔·巴森;徐晓 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：提供了离子注入系统101、离子源108和方法，其中离子源配置为电离铝基离子源材料113、112并形成离子束112和包括非导电材料的副产物。蚀刻剂气体混合物具有预确定含量的氟和与离子源流体连通的稀有气体。预确定含量的氟与预确定的健康安全水平相关联，所述健康安全水平例如为氟的最大含量的约20％。蚀刻剂气体混合物可以具有含量低于约5％的氩气的共伴气。铝基离子源材料可以是陶瓷构件，例如推斥极轴、屏蔽件或所述离子源内的其他部件。
蚀刻氮化氧化铝产生离子束

[发明专利]用于最小发散离子束的调整装置-CN202180043809.0在审
发明人：舒·佐藤;威廉·普拉托维 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：离子注入系统，具有配置成形成离子束的离子源。质量分析器对离子束进行质量分析，扫描元件在水平方向上扫描离子束，平行化透镜将成扇形散出的经扫描射束转化为平行移动扫描的离子束。对于不仅需要平均入射角度，还需要高度对齐的离子入射角度和紧密角度分布的应用，狭缝装置设置在平行化透镜的水平和/或垂直前焦点处。离子束在工件上的最小水平和/或垂直角度分布是通过控制扫描元件上游的射束聚焦透镜以获得通过狭缝系统的最佳射束传输来实现的。
用于最小发散离子束调整装置

[发明专利]漂移模式和减速模式下具备束角控制的离子注入系统-CN201880036357.1有效
发明人：伯·范德伯格;爱德华·艾伊斯勒 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子注入系统具有形成离子束的离子源。质量分析器沿射束路径限定并改变经质量分析的射束。可动质量解析孔径组件具有解析孔径，响应于质量分析器改变射束路径而选择性改变该解析孔径的位置。定位的偏转减速元件选择性偏转射束路径并选择性使经质量分析的射束减速。控制器在漂移模式和减速模式下选择性操作离子注入系统。控制器在漂移模式下使经质量分析的射束沿第一路径穿过解析孔径而不会发生偏转或减速，而在减速模式下使射束沿第二路径偏转并减速。选择性改变解析孔径的位置是基于穿过质量分析器和偏转减速元件的射束路径变化。
漂移模式减速具备控制离子注入系统

[发明专利]用于碳注入物的磷化氢共伴气体-CN201780072376.5有效
发明人：尼尔·科尔文;哲-简·谢 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及用于碳离子注入的方法和系统，包括在离子源腔室(300)中利用磷化氢作为氧化碳气体的共伴气体。在一种或多种实施方案中，使用磷化氢共伴气体的碳注入与镧钨合金离子源组件组合，这会有利地尽量减少阴极(306)和阴极护罩(316)以及离子源腔室内其他组件的氧化。
用于注入磷化氢气体

[发明专利]使用氯基离子源材料时的共伴氢气-CN202180049630.6在审
发明人：尼尔·科尔文;奈尔·巴森;吴向阳 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入系统，其包括三氯化铝源材料。离子源配置为离子化所述三氯化铝源材料并形成离子束。三氯化铝源材料的离子化进一步形成包含含氯的非导电材料的副产物。引氢装置配置为将含氢的还原剂引入所述离子源。所述还原剂配置为改变所述非导电材料的化学性质，以产生挥发性气体副产物。束线总成配置为选择性地输送所述离子束，以及终端站配置为接受所述离子束以将离子注入到工件中。
使用离子源材料氢气

[发明专利]碘化铝用作离子源材料时的共伴氢气-CN201880034266.4有效
发明人：尼尔·科尔文;哲-简·谢;尼尔·巴森 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入系统，其离子源配置成由碘化铝形成离子束。束线总成选择性将离子束输送到终端站，该终端站配置成接受离子束以将铝离子注入到工件中。电弧腔室由碘化铝形成等离子体，其中来自电源部的电弧电流配置成从碘化铝中离解出铝离子。一个或多个引出电极从电弧腔室中引出离子束。共伴氢气源进一步引入共伴氢气以使残余碘化铝与碘化物发生反应，其中从所述系统中排空反应后的残余碘化铝和碘化物。
碘化用作离子源材料氢气

[发明专利]具有改良屏蔽的阶梯式间接加热阴极-CN202180043817.5在审
发明人：威廉·普拉托维;奈尔·巴森;舒·佐藤;保罗·西尔弗斯坦;马文·法利 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：用于形成一等离子体的离子源，具有阴极，该阴极具有一空腔及界定阴极阶梯的阴极表面。灯丝安置于该空腔内。一阴极屏蔽件具有至少部分地包围所述阴极表面的阴极屏蔽件表面。一阴极间隙形成于所述阴极表面与阴极屏蔽件表面之间，界定用于限制该等离子体穿过该间隙的弯曲路径。所述阴极表面可具有由第一阴极直径及第二阴极直径所界定的阶梯式圆柱形表面，该第一阴极直径及第二阴极直径彼此不同，以界定该阴极阶梯。该阶梯式圆柱形表面可为一外表面或一内表面。该第一阴极直径及第二阴极直径可为同心的或轴向偏心的。
具有改良屏蔽阶梯间接加热阴极

[发明专利]镧钨离子源及束线组件-CN201780025607.7有效
发明人：尼尔·科尔文;哲-简·谢;保罗·西尔弗斯坦 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入系统，其具有一个或多个导电组件，所述导电组件由镧钨以及与预定百分比的稀土金属形成合金的耐熔金属中的一种或多种组成。所述导电组件可以是离子源的组件，诸如阴极、阴极护罩、推斥极、内衬、孔板、电弧腔室主体和撞击板中的一个或多个。所述孔板可以与引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个相关联。
离子源组件

[发明专利]使用电荷剥离机制的离子注入系统中金属污染控制的装置和方法-CN202180012915.2在审
发明人：卡森·任;舒·佐藤;吉尼斯·博纳克斯;威廉·宾茨 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种用于将高电荷态离子注入到工件中同时减轻痕量金属污染的方法包括从离子源中的所需物质产生处于第一电荷状态的所需离子，以及在第一离子束中产生污染物质的痕量金属离子。所需离子和痕量金属离子的荷质比相等。从离子源中提取所需离子和痕量金属离子。从所需离子中剥离至少一个电子以限定处于第二电荷状态的所需离子和痕量金属离子的第二离子束。仅来自第二离子束的所需离子选择性地仅穿过电荷选择器以限定处于第二电荷状态的所需离子的最终离子束并且没有痕量金属离子，并且将第二电荷状态的所需离子注入到工件中。
使用电荷剥离机制离子注入系统金属污染控制装置方法

[发明专利]用于碳注入物的三氟化磷共伴气体-CN201780072343.0有效
发明人：尼尔·科尔文;哲-简·谢 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及用于碳离子注入的方法和系统，其包括利用三氟化磷(PF3)作为氧化碳气体的共伴气体，在某些实施方案中，这与镧钨合金离子源组件组合有利地尽量减少阴极(306)和阴极护罩(316)的氧化。此外，观察到电弧腔室(300)内部组件上可接受水平的积碳以及显著减少卤素循环，即减少形成WFx。
用于注入氟化磷共伴气体

[发明专利]增强基于RF的注入机的能量及射束电流的方法-CN202080052962.5在审
发明人：佐藤秀 -专利权人： 艾克塞利斯科技公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本申请提供了一种离子注入系统的方法和系统，其配置用于在不改变离子源处的电荷状态的情况下将射束电流增大至高于来自离子源的第一电荷状态的最大动能。从离子源提供具有第一电荷状态的离子，这些离子被选入第一RF加速器并被加速至第一能量。对离子进行剥离以将其转化为具有各种电荷状态的离子。电荷选择器接收该各种电荷状态的离子并选择在第一能量下的最终电荷状态。第二RF加速器将离子加速至最终能谱。最终能量过滤器过滤离子以将处于最终能量和最终电荷状态的离子提供给工件。
增强基于 rf 注入能量电流方法

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