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[发明专利]基于超低能团簇离子束自组装制备功能纳米结构的方法-CN202210802816.0在审
发明人：瓦西里·帕里诺维奇;曾晓梅 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超低能团簇离子束自组装制备功能纳米结构的方法。本发明通过调控团簇离子束的组分原子能、衬底法线与团簇离子轰击方向之间的夹角、团簇离子剂量、团簇离子种类、衬底温度等工艺参数，即可高效可控制备出尺寸均匀、方向特定、排列有序的纳米结构。
基于低能离子束组装制备功能纳米结构方法

[发明专利]一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光方法和装置-CN202110686101.9在审
发明人：曾晓梅;瓦西里·帕里诺维奇;付德君;杨兵;刘传胜 -专利权人：武汉大学深圳研究院
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及团簇离子应用领域，具体涉及一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光方法和装置。团簇离子束对靶材抛光过程中，靶材表面会产生半球形结构孔洞，孔洞在600℃高温条件下可以消除孔洞的环形边缘，但孔洞本身依然存在，使抛光效果达不到预期。本发明提供的方法在团簇离子束轰击靶材的过程中将靶材温度控制在400℃～800℃，加快靶材原子运动，从根源上消除孔洞；设备上采用导热性优良金属材质的样品台，通过连接电源的电阻式加热丝给样品台加热，样品台将热量传递给放置在样品台上的靶材
一种温度可控范围离子束高温抛光方法装置

[发明专利]一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光装置-CN202210474022.6在审
发明人：曾晓梅;瓦西里·帕里诺维奇;付德君;杨兵;刘传胜 -专利权人：武汉大学深圳研究院
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明涉及团簇离子应用领域，具体涉及一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光装置。团簇离子束对靶材抛光过程中，靶材表面会产生半球形结构孔洞，孔洞在600℃高温条件下可以消除孔洞的环形边缘，但孔洞本身依然存在，使抛光效果达不到预期。本发明提供的方法在团簇离子束轰击靶材的过程中将靶材温度控制在400℃～800℃，加快靶材原子运动，从根源上消除孔洞；设备上采用导热性优良金属材质的样品台，通过连接电源的电阻式加热丝给样品台加热，样品台将热量传递给放置在样品台上的靶材
一种温度可控范围离子束高温抛光装置

[发明专利]制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法-CN201711467108.1有效
发明人：孟军华;张兴旺;尹志岗;吴金良 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法，其包括如下步骤：在氧化镁MgO(111)单晶衬底上外延一预定厚度的过渡金属单晶薄膜，形成样品；将样品置于离子束溅射沉积系统的腔室内，抽真空，然后在氢气气氛中升温并原位退火；关闭氢气，使离子束溅射沉积系统内的腔室恢复至真空环境，然后向腔室内通入氩气；利用离子源轰击置于离子束溅射沉积系统腔室内的高纯氮化硼靶材，使得溅射的硼、氮原子在样品表面沉积，生长形成六方氮化硼二维原子晶体
制备大面积单一取向氮化二维原子晶体方法

[发明专利]磁存储器件的制作方法-CN201710369411.1在审
发明人：何川;金光耀;陈炯 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器件的制作方法，包括：提供一叠层，包括第一电极层、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和第二电极层；形成掩膜；采用惰性元素离子束轰击去除该预定区域的第一电极层和第一磁性层；钝化处理非预定区域的第一电极层的侧部和第一磁性层侧部以去除部分侧部的第一电极层和第一磁性层并在侧部形成第一钝化层；采用惰性元素离子束轰击该预定区域以去除该预定区域的隧穿层、第二磁性层和第二电极层。本发明在进一步刻蚀隧穿层和第二磁性层、第二电极之前，在第一磁性层和第一电极的侧部利用化学反应形成钝化层并去除损伤层，以避免第一磁性层和第一电极被后续轰击出的导电材料溅射到，从而致使两个磁性层和两个电极造成连接
磁性层第一电极预定区域去除第二电极隧穿层轰击惰性元素离子钝化层磁存储器件化学反应存储器件导电材料钝化处理损伤层电极叠层溅射刻蚀掩膜制作

[发明专利]离子束照射方法和离子束照射装置-CN201110306186.X无效
发明人：宇根英康;田中浩平;滨本成显;藤田秀树 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供离子束照射方法和离子束照射装置，在用两台离子束供给装置对基板的上半部分和下半部分进行离子照射的串联式离子束照射装置中，即使在一台离子束供给装置停止或在处理中途异常结束的情况下，也可以对基板的整个面注入所希望的剂量在进行一个往返的离子束照射处理后，控制基板转动机构，使基板转动180度后，再将基板放入离子束照射装置，对没有完成离子束照射处理的范围进行离子束照射，从而对基板的整个面进行离子束照射。
离子束照射方法装置

[发明专利]具有离子束跳动回复的快速离子束偏转的晶圆扫描离子布植机-CN200680004113.2有效
发明人：罗素·J·罗;郭登·C·安裘 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2006-02-03 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子布植机的一分析器模组包括与一解析开口相邻的离子束偏转装置，其中一离子束的一末端离子束部分自离子束偏转装置发出。回应于一第一操作条件中的实质上零伏特的一第一值的一离子束偏转电压，离子束偏转装置将离子束的一来源离子束部分导向解析开口以产生末端离子束部分。当离子束偏转电压具有一在一第二操作条件中的高的第二值时，离子束偏转装置将来源离子束部分的种类导离解析开口，以使得末端离子束部分实质上是熄灭的。在第二操作条件过程中操作离子束控制电路以借由自第二值快速地切换离子束偏转电压为第一值而转变离子布植机为第一操作条件。一种布植方法，使用布植机的特点以在布植过程中自跳动回复且借此改良所布植的晶圆的良率。
具有离子束跳动回复快速偏转圆扫描离子布植机

[实用新型]一种多晶硅提纯装置-CN201120017725.3无效
发明人：明瑞法;杨强;肖实生;杨建云;杨旸 -专利权人：江西开昂新能源科技有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型的目的是提供一种改进的多晶硅提纯装置，包括：电磁感应熔炼单元(001)，以电磁感应加温熔融金属硅料生成高温硅液；等离子冶炼炉(200)，在真空环境下离子束吹气氧化冶炼高温硅液；恒温石英导管(101)，将等离子冶炼炉(200)内的高温硅液恒温导入电子束熔炼炉(305)；电子束熔炼炉(305)，在真空环境下以高能电子束轰击高温硅液；定向凝固单元(401)，使从电子束熔炼炉(305)流出的高温硅液在上下温度梯度下定向冷却凝固并均匀拉坯本实用新型将离子束吹气氧化和电子束熔炼在各自独立的真空环境进行，提供最优除杂提纯工艺。设备简单，成本低廉，工艺可控，减少中间污染环节，实现了低能耗、快速高效生产太阳能级多晶硅。
一种多晶提纯装置

[发明专利]一种回旋离子束加工装置-CN202010542689.6在审
发明人：任明俊 -专利权人：上海琳鼎光学科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种回旋离子束加工装置，属于离子加工设备技术领域。它包括工作台、离子源、离子束引出装置、离子束速度选择器、离子束聚焦组件、末端离子束束流检测器、三维移动平台。通过均匀磁场使得离子束做回旋运动，三维移动平台控制离子束逐渐接近工件表面，对工件材料表面进行加工，由于离子束做回旋运动，加工完成后完全射出磁场，不会继续对工件表面造成损伤，因此，去除量一致性较好，工件表面更加平整；末端离子束束流检测器能够判断离子束与工件表面的接触情况以及当前接触点的材料去除是否已经完成。
一种回旋离子束加工装置

[实用新型]一种回旋离子束加工装置-CN202021105156.3有效
发明人：任明俊 -专利权人：霖鼎光学（上海）有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种回旋离子束加工装置，属于离子加工设备技术领域。它包括工作台、离子源、离子束引出装置、离子束速度选择器、离子束聚焦组件、末端离子束束流检测器、三维移动平台。通过均匀磁场使得离子束做回旋运动，三维移动平台控制离子束逐渐接近工件表面，对工件材料表面进行加工，由于离子束做回旋运动，加工完成后完全射出磁场，不会继续对工件表面造成损伤，因此，去除量一致性较好，工件表面更加平整；末端离子束束流检测器能够判断离子束与工件表面的接触情况以及当前接触点的材料去除是否已经完成。
一种回旋离子束加工装置

[发明专利]一种加速器分析磁铁后疑似离子束的甄别方法及其装置-CN201510303403.8有效
发明人：任晓堂 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种加速器分析磁铁后疑似离子束的甄别方法及其装置。本发明在分析磁铁后加装一对与疑似离子束行进方向平行的对称的静电偏转板；疑似离子束通过静电偏转板到达离子束位置探测器，通过在离子束位置探测器上偏离中心的距离，判断是否为实验所需离子束，并获得所占的份额为多少本发明对产生疑似离子束的加速器类型没有限制；对静电加速器产生的疑似离子束，相关甄别计算更为方便；对疑似离子束的种类和数目没有限制；对疑似离子束的束流稳定性没有要求；对疑似离子束的束流强度没有严格要求，只要该疑似离子束能被所使用的离子束位置探测器测量到即可
一种加速器分析磁铁疑似离子束甄别方法及其装置

[发明专利]一种准分子激光退火后对多晶硅薄膜表面粗糙度进行改善的方法及装置-CN201611191016.0在审
发明人：吕明仁 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供的方法包括经过一次ELA后，对多晶薄膜表面进行Ar离子植入。本发明提供的装置包括电子束产生装置和离子源，电子束产生装置用于产生电子束，所述电子束用于轰击离子源，以产生含有Ar离子的离子束。
一种准分子激光退火多晶薄膜表面粗糙进行改善方法装置

[发明专利]用于扫描束注入机的束轮廓确定速度提升-CN201580071116.7有效
发明人：安迪·雷;爱德华·C·爱斯纳 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入系统和方法，其中离子束被调节到第一工艺处方。沿扫描平面以第一频率扫描该离子束，限定第一扫描离子束。将束轮廓确定装置平移通过所述第一扫描离子束，并在所述第一扫描离子束的宽度的范围测量所述第一扫描离子束的一个或多个属性，由此限定与所述第一扫描离子束相关联的第一束轮廓。然后，沿扫描平面以第二频率扫描所述离子束，由此限定第二扫描离子束，其中，第二频率小于第一频率。至少部分地基于所述第一束轮廓确定与所述第二扫描离子束相关联的第二束轮廓。随后，经由所述第二扫描离子束将离子注入到工件中。
用于扫描注入轮廓确定速度提升

[发明专利]自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置及利用其镀膜的方法-CN201110418126.7无效
发明人：王浪平;王小峰;陆洋;姜巍 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置及利用其镀膜的方法，它涉及电子束蒸镀的装置及方法。本发明是要解决现有的电子束蒸镀方法的膜层与基体之间的结合力低，离子束辅助电子束蒸镀的方法成膜速度慢的技术问题。自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置由电子束蒸镀装置和射频辉光放电系统和真空系统组成；其中射频辉光放电系统由射频放电电极和射频电源组成。镀膜方法：将基体放在样品架上，成膜物质放置于坩埚中，抽真空后，启动烘烤装置加热基体，启动电子束蒸发源产生电子束，加热坩埚内物质，形成蒸汽，启动射频电源2和射频放电电极，同时对样品架加电压，镀膜后，得到膜层
离子轰击辅助电子束装置利用镀膜方法

[发明专利]一种离子束传输光路-CN201811201399.4有效
发明人：彭立波;张赛;易文杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束传输光路，包括用于产生包含目标元素离子的离子源、用于引出包含目标元素离子的离子束的引出电极、用于对离子束进行筛选的分析器、设有光栏缝的分析光栏、用于离子束聚焦的聚焦透镜、用于提升离子束能量的加速管、用于对离子束进行对称扫描以将离子束扩张为扇形扫描离子束的对称静电扫描电极、以及用于对扇形扫描离子束的角度进行矫正以形成平行离子束的均匀磁场平行透镜，所述离子源、引出电极、分析器、分析光栏、聚焦透镜、加速管
一种离子束传输