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[发明专利]一种利用气体团簇溅射靶材引出离子束流的方法及离子源-CN201910047089.X有效
发明人：曾晓梅;瓦西里·帕里诺维奇;谢尔盖·别雷赫;亚历山大·托斯托古佐夫;付德君 -专利权人：武汉江海行纳米科技有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用气体团簇溅射靶材引出离子束流的方法，首先利用气体团簇离子源产生气体重团簇；接着气体重团簇轰击纳米靶材，溅射出靶物质，包括单体和小团簇；最后溅射出的单体、小团簇与电子碰撞被电离成离子，离子经过电场加速并进行磁质分离获得离子束流。本发明同时提供了一种基于所述方法的气体团簇溅射固体离子源，包括由依次连通的气体团簇离子源管段、溅射室和靶材原子溅射管段组成的真空腔室，所述靶材原子溅射管段依次设有第一离化器、第一加速器、单透镜和电磁铁。本发明提供的一种利用气体团簇溅射靶材引出离子束流的方法及离子源，成本低、安全可靠、无污染，能在不使用铯和钽丝的情况下获得离子束。
一种利用气体溅射引出离子束方法离子源

[发明专利]一种氧化铝薄膜的制备方法-CN201110396374.6无效
发明人：王金晓;冯煜东;王艺;王志民;赵慨;速小梅;王虎;杨淼 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所
申请日： 2011-12-04 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：将柔性聚合物薄膜基底放在真空室内，对真空室抽真空至真空室内压强≤2.0×10-3Pa；用离子源对基底进行氩离子轰击处理，提高镀制膜层的附着力；其中氩气流量为15sccm，离子束放电电压为280V，离子束电流为1A；采用氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术沉积氧化铝薄膜，靶源为铝靶。
一种氧化铝薄膜制备方法

[发明专利]离子束增强沉积制备氮化铜薄膜的方法-CN200810235537.0无效
发明人：袁宁一;丁建宁;李锋 -专利权人：江苏工业学院
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束增强沉积制备氮化铜薄膜的方法，将高纯度的铜作为溅射靶，并用纯N₂或Ar∶N₂为1∶5的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击，垂直注入到溅射沉积膜上，离子束的加速电压为10～50kV，束流强度为1～4mA，利用样品台的公转和样品自转实现均匀注入，保证薄膜在后续的结晶热处理后得到均匀的、高取向Cu₃N多晶结构，通过在SiO
离子束增强沉积制备氮化薄膜方法

[发明专利]一种SiC基底表面改性层的制备方法-CN201911225068.9在审
发明人：邓淞文;公发全;李刚 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：与目前主流的磁控溅射技术制备SiC基底改性层不同，本发明使用射频离子束溅射技术。主要原理是使用高纯度的单晶硅靶为原材料。在真空下，使用无污染的射频离子源发射高能离子束轰击硅靶，当轰击粒子能量大于材料逸出功时，Si原子被溅射出靶材表面，以极高的动量沉积在SiC基底表面，最终形成改性层。
一种 sic 基底表面改性制备方法

[发明专利]等离子显示屏用MgO保护层的制备方法以及包含其的彩色等离子体显示屏及彩色等离子体电视-CN200910171688.9无效
发明人：闫梁臣 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2009-09-07 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在制备有ITO透明电极、BUS电极和介质层的彩色等离子体显示屏的玻璃基板上形成MgO薄膜保护层的方法，包括在富氧气氛中利用电子束扫描盛有MgO颗粒的容器，同时采用离子束发生装置向该玻璃基板发射离子束，离子束轰击在该玻璃基板的表面上形成的MgO薄膜，最终在该介质层上蒸镀厚度为600～800nm的MgO薄膜保护层。本发明还提供一种包括上述方法获得的MgO薄膜保护层的彩色等离子体显示屏和包括该彩色等离子体显示屏一种彩色等离子体电视。本发明的MgO薄膜保护层在PDP前基板中，一方面保护电极和介质层免受惰性气体辉光放电产生的等离子体的轰击，以提高PDP的使用寿命；另一方面可以降低放电延迟时间，并提供一定的受激发的二次电子，以降低着火电压
等离子显示屏 mgo 保护层制备方法以及包含彩色等离子体电视

[发明专利]一种高摩擦系数的石墨烯及其制备方法-CN202210739641.3在审
发明人：岳文;邬晓媛;段天应;康嘉杰;佘丁顺;孟德忠;王青青 -专利权人：中国地质大学（北京）;中国地质大学（北京）郑州研究院
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明一种高摩擦系数的石墨烯及其制备方法涉及石墨烯材料制备领域，提出一种利用离子束辅助沉积设备制备高摩擦系数石墨烯的方法，采用微机械剥离法制备石墨烯薄膜，将样品放置到离子束辅助沉积设备的炉内，通过设置不同离子束系统的工作参数对石墨烯进行离子轰击进而产生不同程度的缺陷
一种摩擦系数石墨及其制备方法

[发明专利]一种基于PEMFC燃料电池金属双极板碳基薄膜镀膜设备-CN202211384630.4在审
发明人：吴玉程;夏正卫;刘东光;罗来马 -专利权人：合肥工业大学;安徽纯源镀膜科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了基于PEMFC燃料电池金属双极板碳基薄膜镀膜设备，包括真空腔室、离子束清洗源和碳基薄膜磁控溅射源，具有可启闭装配的室门；真空腔室内具有转架以及设置于转架上用于定位待镀的燃料电池双极板的夹具，离子束清洗源用于发射离子束起弧辉光放电对清洁燃料电池双极板的待镀面进行清洁及改性，碳基薄膜磁控溅射源用于产生电磁场结合镀膜工艺气体产生辉光，并轰击附着于燃料电池双极板表面形成膜层。利用IONBEAM离子束对金属双极板进行表面清洗及表面改性的之后利用磁控溅射碳基薄膜镀膜源对金属双极板进行碳基薄膜镀膜，利用碳基薄膜膜层的特性即：高导电性、致密性、抗腐蚀性能好、摩擦系数小等优点，从而提高金属双极板的导电性
一种基于 pemfc 燃料电池金属极板薄膜镀膜设备

[发明专利]基于FIB设备定制AFM探针的方法及原子力显微镜-CN202111172714.7有效
发明人：董业民;胡康康;黄亚敏;王刘勇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：方法包括步骤：提供FIB设备，将针尖基底和悬臂梁基底固定于样品台上并置于FIB设备的工艺腔室内；利用聚焦离子束刻蚀从针尖基底上切取所需长度的针梢，且利用聚焦离子束刻蚀在悬臂梁基底的一端刻蚀出安装面；将针梢的一端放置于安装面上，并利用聚焦离子束沉积将针梢的一端和安装面相固定；利用聚焦离子束刻蚀对针梢进行轰击削尖，以将针梢加工成所需尺寸的针尖而得到所需的AFM探针。
基于 fib 设备定制 afm 探针方法原子显微镜

[发明专利]一种平行束角度测量法拉第装置-CN200710175968.8有效
发明人：唐景庭;伍三忠;袁卫华;彭立波;孙勇 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入机的平行束角度测量法拉第装置，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：本发明采用一个法拉第收集框，一个电子抑制板，一个收集框底板，七个固定角度法拉第杯和一个移动法拉第杯组成，一个移动法拉第杯，所述的法拉第收集框收集入射离子束流，所述的抑制电子板抑制离子束轰击法拉第杯金属体产生的电子溢出，所述的角度收集底板用于真空连接密封法拉第收集框和法拉第杯，七个固定角度法拉第杯测得离子束电流大小，结合靶室区布置的移动法拉第来确定注入离子束的中心位置，当平行束是与晶平面垂直入射的束线时，此时移动法拉第的挡束中心位置与固定法拉第测束中心一致
一种平行角度测量法拉第装置

[发明专利]一种通电离子源挡板-CN201910299448.0有效
发明人：刘海洋;邱勇;刘小波;李娜;程实然;王铖熠;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种通电离子源挡板，包括金属挡板、高压电源、配重块和挡板旋转驱动装置；金属挡板同轴设置在离子源和晶圆之间的蚀刻腔体内，金属挡板面积大于离子源的离子束出口面积；金属挡板和高压电源电连接，金属挡板表面具有正电荷；配重块设置在金属挡板底部，邻近配重块的金属挡板与挡板旋转驱动装置相连接，并在挡板旋转驱动装置的驱动作用下，进行旋转转动；离子源包括射频、加速电场和中和器。本发明不仅可以阻挡不必要的离子束流对晶圆的损坏，而且使得挡板不受离子束的轰击产生不必要的颗粒，污染真空环境，使其更换周期极大限度的延长。同时，挡板材料可以使用普通金属，极大的降低了成本。
一种通电离子源挡板

[发明专利]TEM样品的制备方法-CN201010531228.5有效
发明人：李明;段淑卿;芮志贤;赵燕丽;陈祯祥 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：包括步骤：提供检测样片，所述检测样片上具有待检测图形；从所述检测样片中切割出样片，所述样片包括待检测图形；从所述样片的两个相对的切割面减薄所述样片，并在减薄的一个切割面上贴固定环；夹持固定环，利用Ga离子束对所述样片的具有所述待检测图形一面的待检测图形两侧的区域进行轰击，从而在所述待检测图形两侧形成凹坑；夹持固定环，利用Ar离子束对所述减薄的切割面进行轰击，将待检测图形所在区域继续减薄，从而提高了效率，降低了成本。
tem 样品制备方法

[发明专利]一种宽度可调的宽带束离子注入机-CN202210341801.9在审
发明人：欧欣;刘仁杰;彭强祥;林家杰 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提出一种宽度可调的宽带束离子注入机，包括离子束发生组件、离子束分析组件、离子束汇聚组件、离子束发散组件及离子束调节组件，离子束发生组件产生带状离子束，离子束分析组件与离子束发生组件配合，由离子束分析组件对离子束发生组件产生的离子束进行分析，离子束汇聚组件与离子束分析组件配合，由离子束汇聚组件对分析后的离子束进行分区汇聚，形成若干相互分离的离子束，离子束发散组件与离子束汇聚组件配合，由离子束发散组件对分区汇聚后的离子束进行发散，使相邻离子束相互交叠，离子束调节组件与离子束发散组件配合，由离子束调节组件将离子束发散组件发散后的离子束调节形成平行离子束，并对其宽度进行调节，以提升离子注入效率。
一种宽度可调宽带离子注入

[发明专利]通过表面改性提高离子束生成取向层的稳定性-CN01819829.5有效
发明人：阿利桑德洛·C·卡勒加里;普拉文·朝德哈利;弗德·E·德尼;詹姆斯·P·德勒;艾琳·A·格里甘;格利斯·G·浩哈姆;詹姆斯·H·格勒尼阿;詹姆斯·A·拉瑟;连水池;陆珉华;阿伦·E·罗森布鲁斯;杨界雄 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-11-30 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：作为根据本发明的淬火和/或离子束处理的结果，形成了化学改性表面(117)，在离子束中引入反应气体以使表面上的悬挂键饱和。层(117)现在基本没有能够降低液晶显示器特性的悬挂键和自由基。用离子轰击表面并用反应成分对其进行淬火以使表面上的悬挂键饱和。
通过表面改性提高离子束生成取向稳定性

[发明专利]亚纳米多孔石墨烯渗透膜及其制备方法和应用-CN201811399417.4有效
发明人：王德强;何石轩;谢婉谊;方绍熙;周大明 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚纳米多孔石墨烯渗透膜及其制备方法和应用，本发明的亚纳米多孔石墨烯渗透膜能够对海水中的水分子和钾离子、钠离子、氯离子进行选择性过滤，从而应用于海水的淡化处理，主要通过石墨烯渗透膜上的孔隙直径为本发明还提供了亚纳米多孔石墨烯渗透膜的制备方法，依次采用镓离子源的聚焦离子束轰击聚脂薄膜衬底、将单层石墨烯转移到聚脂薄膜衬底上、采用氦离子源的聚焦离子束轰击石墨烯形成高密度规则阵列缺陷、以及采用等离子刻蚀阵列缺陷部位形成亚纳米多孔石墨烯渗透膜
纳米多孔石墨渗透及其制备方法应用

[发明专利]在医用热解碳和TiN薄膜上制备富银抗菌膜的方法-CN200610013385.0无效
发明人：赵杰;唐慧琴;郭希明;刘谦祥 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：方案：在热解碳上a.抛光清洗；b.抽真空；c.1keV的氮离子束溅射清洗5分钟；d.银离子注入：能量70、30keV，束流：2－8mA，剂量2×10¹⁴/cm²⁺离子溅射Ti靶，同时：20－40keV、束流：2－8mA的高能N⁺离子束轰击10－20分钟；50－350eV、束流：10－30mA的低能N⁺离子束轰击60－180分钟辅助沉积，N₂气压8×10³Pa；e.银离子注入：30－80keV，束流：2－8mA，剂量1×10¹⁷/cm²－5×10¹⁸/cm²，形成均匀富银TiN抗菌薄膜抗菌率达到90％。
医用热解碳 tin 薄膜制备抗菌方法

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