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[发明专利]一种氮化钽薄膜的制备方法-CN201911023958.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京朝歌汉荣科技有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01C17/075 文献下载
摘要：一种氮化钽薄膜的制备方法，包括：通过氩离子束轰击金属钽靶，获得金属样品；通过氮离子束轰击所述金属样品，沉积获得氮化钽薄膜层；通过热处理所述氮化钽薄膜层，获得氮化钽薄膜电阻。
氮化钽薄膜电阻氮化钽薄膜金属样品制备轰击热处理氮离子束高稳定性老化电阻温度系数氩离子束变化率金属钽小电阻附着基底沉积申请

[发明专利]直线加速器重离子微孔膜辐照装置-CN202111097055.5有效
发明人：夏佳文;莫丹;杨雅清;殷学军;杨胜利;胡正国;李运杰;武军霞;曹云;姚庆高;高大庆;许哲;李忠汕 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G21K1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种直线加速器重离子微孔膜辐照装置，包括直线加速器装置、束流散射装置、真空差分装置和重离子微孔膜真空辐照终端；直线加速器装置，被配置为产生重离子束流；束流散射装置，被配置为使重离子束流在束流管道传输中扩散及空间分布均匀；真空差分装置，被配置为逐级降低束流管道的真空度；重离子微孔膜真空辐照终端，密封连接真空差分装置被配置为使得处于真空环境的辐照原膜在重离子束流轰击下形成重离子微孔膜。本发明可以实现重离子微孔膜的高密度辐照生产。
直线加速器重离子微孔辐照装置

[发明专利]一种通过Ga离子轰击对石墨烯掺杂改性的方法-CN201410181561.6有效
发明人：王权;邵盈;任乃飞 -专利权人：江苏大学
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明公开一种通过Ga离子轰击对石墨烯掺杂改性的方法，采用聚焦离子束系统，将样品放在位于密闭腔室中的样品台上，先按照样品的标记位置，移动样品的目标区域至透镜系统正下方，用气体注入系统对密闭腔室抽真空；再用探测器探测样品的位置，将样品此时的位置信号经扫描单元、图形发生器传给计算机；通过计算机和图形发生器在样品上绘制出需要的离子轰击区域；最后通过计算机设置聚焦离子束系统的工作参数对石墨烯进行离子轰击，轰击时，Ga离子源受热液化，在外加电场的作用下形成离子流，离子流在偏转系统的作用下到达样品表面进行离子轰击；在保持石墨烯本征二维结构不变的同时赋予了石墨烯新的电学特性，改变其电学性能的效果明显。
一种通过 ga 离子轰击石墨掺杂改性方法

[发明专利]离子植入系统以及去除其的射束线构件上沉积物的方法-CN202011058388.2在审
发明人：凯文·安葛林;威廉·戴维斯·李;彼得·库鲁尼西;里安·道尼;杰·T·舒尔;亚历山大·利坎斯奇;威廉·M·贺伯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
离子植入系统以及去除射束线构件沉积物方法

[发明专利]一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法-CN201810560536.7在审
发明人：沈洪雪;倪嘉;姚婷婷;杨勇;李刚 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底,去除衬底表面的油污和杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与线性离子源沉积设备，离子束沉积设备采用钨靶为掺杂源，线性离子源沉积设备采用甲烷为碳源；将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室中，开启离子束沉积设备，使氩离子轰击钨靶，同时开启线性离子源沉积设备，进行碳源的注入，钨与碳相反应得到钨掺杂类金刚石薄膜；整个过程中离子束沉积设备与线性离子源沉积设备都是单独工作，不相互干扰，工艺参数各自设定；整个过程碳与钨简单的进行反应，无其它离子存在，工艺简单，可控性较强。
离子束沉积线性离子源沉积设备类金刚石薄膜钨掺杂衬底钨靶制备氩离子轰击衬底表面真空腔室掺杂源可控性甲烷油污去除离子连通清洗

[发明专利]离子探针质谱仪及其成像方法-CN202011052319.0有效
发明人：刘宇;唐国强;李秋立 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种离子探针质谱仪及其成像方法。具体地，所述离子探针质谱仪包括：压缩偏转板，被配置为通过施加第一电压将样品经一次离子束扫描并轰击产生的二次离子束按时序压缩；质谱仪，被配置为对经过压缩的二次离子束进行分析；解压偏转板，被配置为通过施加第二电压将经过所述质谱仪的二次离子束按时序解压；其中，所述第一电压和所述第二电压的频率相同；以及成像组件，被配置为获取经过所述解压偏转板解压的二次离子束图像。通过这样的技术方案，在离子显微镜模式的基础上，通过对二次离子束的压缩和解压，实现对质量分辨率的提高，同时能够满足点对点的显微功能，具有成像效率高的优势。
离子探针质谱仪及其成像方法

[发明专利]一种中子发生管-CN201710749135.1在审
发明人：李三庆;郭长立;杨鹏飞;罗罡;李尚哲;刘百来;张文荣;王霞 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H05H3/06 文献下载
摘要：本发明要克服现有技术存在的轰击靶子产生的脉冲中子波形具有几微秒到几十微秒的延迟，达不到锐截止的问题。所提供的技术方案是，一种中子发生管，包括离子源、外壳、栅极、加速极和靶子，所述外壳内的真空腔体中，离子源与加速极之间设置有薄片状的栅极，所述栅极由金属钼材料制备，其上设置有网状的孔格。栅极相当于控制离子束的“门”，开启时，离子束从离子源引出经加速轰击靶面产生中子，关闭时无离子束从离子源引出，中子管不产生中子。
一种中子发生

[发明专利]一种离子注入设备-CN201710007968.0有效
发明人：张豪峰;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入设备，设有用于产生离子的离子源和用于引出离子束的引出电极系统，所述引出电极系统的电极板上设有离子束引出口；其特征在于：引出电极系统的外壁设置有螺旋线圈，所述螺旋线圈持续通入直流电，形成沿离子束流方向的磁场；所述磁场的磁场强度满足所述离子束的离子在洛伦兹力的作用下做圆周运动的直径小于引出电极系统的电极板上引出口的直径或宽度；本发明通过在引出电极系统的外壁设置螺旋线圈，使离子垂直磁场方向的分速度受磁场中洛伦兹力的作用，在引出电极系统中无法产生有效的持续的横向移动，从而克服了离子束轰击在电极板上产生污垢的问题。
一种离子注入设备

[发明专利]一种离子注入设备及系统-CN201611124178.2有效
发明人：严鹏;顾孛;刘明 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入设备及系统，该离子注入设备包括离子源腔室、加速管、磁分选仪、隔离腔室以及目标离子通道。离子源腔室用于生成离子束。加速管与所述离子源腔室相连接，用于对所述离子束加速。磁分选仪与所述加速管相连接，用于对加速后的所述离子束进行分选。隔离腔室设置在磁分选仪的出口，用于接收经分选后的杂质离子。目标离子通道供所述目标离子通过以注入到半导体器件中。通过设置隔离腔室，可将离子束中的杂质离子吸收，使杂质离子不会轰击到磁分选仪上，避免对磁分选仪产生损害和产生额外的杂质，进而提高离子注入工艺的生产质量。
磁分选离子束离子注入设备离子源腔室隔离腔室目标离子杂质离子加速管分选离子注入工艺半导体器件轰击吸收损害出口生产

[发明专利]束致变蚀方法-CN94118843.4无效
发明人：韩阶平;王守武;王培大;杜甲丽;李秀琼;陈梦真;刘辉;徐卫东 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 1994-12-09 - 公布日： 2000-06-21 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀方法。本发明包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂组合物层；在一定温度下经过用氮鼓泡的氟化氢溶液的混合气体中腐蚀可使选择轰击二氧化硅表面的二个区的腐蚀速率比达到１∶１００，刻蚀分辨率为亚微米级，正负图形可变并且清晰完整，可靠性高。
束致变蚀方法

[发明专利]基于脉冲式单一离子束沉积工艺系统-CN202111262838.4在审
发明人：徐均琪;张威 -专利权人：江苏奥普钛克光电科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供一种基于脉冲式单一离子束沉积工艺系统，包括如下步骤：步骤一：将工作气体引入放电室内，在气压和磁场的双作用下产生等离子体；步骤二：通过引出栅极将离子束引出到放电室外；离子束辅助沉积系统，依次包括放电室、离子束引出栅、聚焦磁场、离子能量选择器、能量调节电磁场及扩束磁场。在薄膜制备或生长过程中，采用单能量的离子束进行轰击正在生长的薄膜，从而使膜层更加致密，与基体的附着力增强，改善成膜质量；利用该技术，可镀制性能良好的金属反光膜、棱镜分色膜、增透膜、滤光膜、抗电磁绝缘膜、
基于脉冲单一离子束沉积工艺系统

[发明专利]离子束增强沉积合成氮化钛薄层的方法-CN90102976.9无效
发明人：郑志宏;王曦;周祖尧;杨根庆;柳襄怀;黄巍;邹世昌;杨碕 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1990-11-01 - 公布日： 1997-06-18 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明是一种用氙或氩或其它惰性气体离子束增强沉积合成氮化钛薄层的方法。属于用离子束对物件表面改性处理技术，本发明方法是将物件置于离子束增强沉积系统的靶室中，在电子束蒸发、沉积钛时，利用活性钛对通入靶室氮的吸附，用惰性气体离子束轰击沉积在物件表面的钛及其吸附的氮，以形成高质量氮化钛保护层
离子束增强沉积合成氮化薄层方法

[发明专利]应用于离子束抛光工艺的离子束确定性添加装置及离子束抛光系统-CN201210135948.9有效
发明人：戴一帆;李圣怡;廖文林;解旭辉;周林;袁征 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于离子束抛光系统的离子束确定性添加装置，包括支撑架、支撑架中装设的离子源和受该离子源发出的离子束轰击的靶材，支撑架包括有固定靶材的靶材固定夹具，支撑架上设置有用于截取靶材溅射原子流的光阑；支撑架底部装设有用于安装至离子束抛光系统的安装法兰。本发明还公开了一种离子束抛光系统，包括真空室以及相互连接的运动系统和离子源系统，离子束抛光系统中设有前述添加装置，正对添加装置的离子束发射方向布置有材料去除工艺用夹具，正对添加装置的溅射原子流方向布置有材料添加工艺用夹具
应用于离子束抛光工艺确定性添加装置系统

[发明专利]一种离子注入机的靶盘装置-CN201710456645.X有效
发明人：康晓旭;曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01J37/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入机的靶盘装置，包括靶盘平台和支撑架，支撑架的上端安装靶盘平台，用于放置待加工晶圆，高能离子束进入所述靶盘装置，入射在待加工晶圆上，实现离子注入工艺，其中，还包括石墨电极单元和供电单元本发明提供的一种离子注入机的靶盘装置，放置硅片的靶盘面积小于硅片面积，同时在靶台后面放置石墨电极，并在其上施加一定电压，对轰击在其上的束流进行减速，从而避免高能离子束轰击靶盘装置的其他部件，产生二次污染离子和轰击产生的颗粒
一种离子注入装置

[发明专利]一种微牛顿级推进器离子束自动中和的方法-CN202210455961.6在审
发明人：切尔坤·埃里克斯 -专利权人：北京星空动力空间技术有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微牛顿级推进器离子束自动中和的方法，通过栅板机构的正离子与辅助机构接触，通过发射器推进器外的中和发射机构发射出中和电子，中和电子与轰击机构相碰撞，接触了辅助机构的正离子与轰击后的中和电子进行中和，辅助机构由冷高电子发射材料组成，冷高电子发射材料的一侧设置有推进器筒体，冷高电子发射材料安装于推进器筒体的一侧，轰击机构由嵌入物组成，嵌入物安装于中和发射机构的一侧。本发明利用辅助机构和轰击机构的设置，离子束与辅助机构内的冷高电子发射材料接触，中和电子枪发射出的中和电子轰击轰击机构内的嵌入物，这种方式具有仔细的磁剖面和羽流形状，同时降低了中和时的功耗，提高了资源的利用率
一种牛顿推进器离子束自动中和方法