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[实用新型]一种砷化镓聚光太阳能电池-CN201620773820.9有效
发明人：易德福;守建川 -专利权人：江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种砷化镓聚光太阳能电池，包括聚光器、砷化镓电池组件、散热架和水冷管道，所述砷化镓电池组件设置在聚光器的聚光焦斑所在区域，所述砷化镓电池组件包括框架和从上至下依次层压并装在框架内的透光保护层、第一填充层、砷化镓电池、第二填充层和背板，所述砷化镓电池组件的背面固定连接有若干条形散热架，所述散热架沿砷化镓电池组件背面宽度方向设置，并沿砷化镓电池组件背面长度方向均匀分布，所述散热架之间相互平行，
一种砷化镓聚光太阳能电池

[发明专利]利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法-CN201510463227.4有效
发明人：吴洁君;程玉田;纪骋;韩彤;于彤军;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公布一种利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法，包括将砷化镓衬底正面沉积形成一层低温防分解籽晶层；在上述衬底的背面与侧面通过沉积用致密材料进行保护；处理得到的砷化镓衬底外延生长氮化镓材料得到氮化镓复合衬底，进一步制备得到自支撑氮化镓衬底。低温防分解籽晶层为石墨烯、Al2O3、ZnO、GaN、AlN或InN；厚度为150‑800nm。本发明引入低温防分解籽晶层，有效抑制了在外延过程中砷化镓的分解，同时为后续外延提供了优质的衬底，提高外延层晶体质量。砷化镓与GaN相接近的热膨胀系数有效缓解外延层中的应力，降低制备高质量GaN材料的技术难度与成本。
利用低温分解籽晶砷化镓衬底生长氮化方法

[发明专利]一种基于范德华外延剥离的砷化镓太阳电池及其制备方法-CN202210258630.3在审
发明人：施祥蕾;周丽华;孙利杰;王鑫;宋琳琳;杨慧;朱慧;王训春 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德华外延剥离的砷化镓太阳电池及其制备方法，其制备方法包含以下工序：S1，在砷化镓太阳电池衬底表面制备二维材料，得到二维材料衬底；S2，采用两步生长退火法制备砷化镓过渡层；S3，将砷化镓太阳电池功能层生长到所述砷化镓过渡层表面，得到太阳电池外延层；S4，分别在所述太阳电池外延层和聚酰亚胺材料表面制备金属层；S5，利用键合技术进行键合，得到聚合物衬底；S6，对所述聚合物衬底施加机械力，进行剥离下来，得到聚合物衬底上的外延层；S7，在所述聚合物衬底上的外延层表面制备电极和减反射膜，切割，得到所需尺寸的砷化镓太阳电池。基于上述方法制备得到的砷化镓太阳电池大大避免了对外延层的损伤。
一种基于范德华外延剥离砷化镓太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种光电器件及其制备工艺-CN202310572708.3在审
发明人：张岚;黄文勇;唐豪;许明;谈杰 -专利权人：平湖科谱激光科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电器件及其制备工艺；首先在砷化镓衬底的第一表面上形成光电器件，其次利用碱性溶液处理砷化镓衬底的第二表面，以去除第二表面上的自然氧化层，最后利用蒸镀工艺在第二表面上依次形成包括金属粘接层和金属导电层的金属接触层，金属粘接层的材料为镍或铂，金属粘接层和砷化镓衬底分层设置；本申请通过利用碱性溶液去除砷化镓衬底表面的自然氧化层，并抑制水分子在砷化镓衬底的表面吸附，并采用IPA干燥使得衬底表面无水分子和杂质碳吸附，在常温下利用蒸镀工艺在砷化镓衬底的表面形成金属接触层，以使金属接触层与砷化镓衬底直接实现欧姆电接触，使得晶圆无需经高温退火工艺实现欧姆电接触，提高了晶圆制备的良率。
一种光电器件及其制备工艺

[发明专利]一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法-CN03141886.4有效
发明人：董业民;程新利;陈猛;王曦;张峰 -专利权人：上海新傲科技有限公司
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提出了一种厚膜图形化SOI材料的制备方法，先采用SIMOX技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化SOI材料，其特征在于然后利用CVD气相外延方法在衬底表层外延形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种，或在锗硅薄膜上继续外延单晶硅形成应变硅的结构。具体工艺步骤包括4步：(1)在硅衬底上光刻阻挡离子注入的掩模；(2)离子注入；(3)高温退火；(4)CVD外延生长单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。外延层厚度通过沉积速率调节，其厚度为0.7～50μm。本发明所制备的厚膜图形化SOI材料为MEMS和MOEMS集成提供了衬底材料。
一种图形绝缘体材料制备方法

[发明专利]一种单晶砷化镓薄膜制备技术-CN201310036262.9无效
发明人：向勇;闫宗楷;刘振鹏;臧亮 -专利权人：向勇
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种单晶砷化镓薄膜制备技术，属于半导体制造技术领域，该技术可以有效缓解生产难度，提高生产效率，其步骤包括：a.提供可供预处理的砷化镓基底；b.清洗；c.将清洗好的砷化镓基底送入真空的腔体中；d.在砷化镓基底上表面生长一层砷化铝；e.在砷化铝上生长砷化镓；f.刻蚀；g.抛光。本技术中砷化铝有效将砷化镓和砷化镓衬底分隔开，为后续工艺的剥离做准备，提高了效率，而且该技术利用了不同物质的腐蚀速率不同进行了砷化镓的分离，非常方便有效，它降低了制作成本和操作难度，具有很好的推广利用价值
一种单晶砷化镓薄膜制备技术

[实用新型]一种石墨烯/砷化镓太阳电池-CN201420516526.0有效
发明人：林时胜;李晓强 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种石墨烯/砷化镓太阳电池，该石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次有背面电极、n型掺杂或p型掺杂的砷化镓层、石墨烯层和正面电极，其中石墨烯层的石墨烯为1～10层。本实用新型的石墨烯/砷化镓太阳电池利用石墨烯材料的高载流子迁移率、高透光性及高导电性，结合砷化镓优异的半导体性质，有利于在低成本及简单工艺的基础上制造高转化效率的太阳电池。
一种石墨砷化镓太阳电池

[发明专利]一种降低砷化镓薄膜材料中缺陷的方法-CN201910776538.4有效
发明人：王智勇;兰天;代京京 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低砷化镓薄膜材料中缺陷的方法，包括：提供表面为GaAs薄膜材料的基片；将基片置于真空退火炉内，在600℃‑1250℃进行退火处理；随后在GaAs薄膜材料的表面制备一层保护层；将带有保护层的基片放置于离子注入机内进行Ga离子注入；再把该保护层腐蚀去除后，将基片放置于真空退火炉中，装入在热处理温度下产生特定砷蒸汽压时所需保护砷；抽真空，调节压力和温度，进行退火处理，退火温度为600℃‑1250℃；将炉内温度降至室温，本发明的方法简单快捷，可用于改善砷化镓薄膜的质量，从而用于制备高质量的砷化镓基光电器件以及电力电子器件。
一种降低砷化镓薄膜材料缺陷方法

[发明专利]一种砷化镓基的二极管器件结构及制作方法-CN201910962088.8在审
发明人：陈建星;林易展;邱文宗;王淋雨;郑伯涛;林伟;郭一帆;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓基的二极管器件结构及制作方法，其中方法包括如下步骤：在逐层外延生长的N+型砷化镓、I型砷化镓和P+型砷化镓的衬底上制作P型欧姆接触金属、P型台面、N型欧姆接触金属和N型台面；沉积第一氮化物层并蚀刻出通孔；制作P型连接金属、N型连接金属和下极板；沉积第二氮化物层并蚀刻出通孔，覆盖下极板的第二氮化物层作为介电层；制作聚酰亚胺层并蚀刻出通孔作为空气桥结构的桥墩；在介电层和P型连接金属的位置制作空气桥结构。本发明采用聚酰亚胺层对二极管器件进行保护，聚酰亚胺层的存在加大了器件间的隔离度，增大电容结构的击穿电压，降低了器件的高低差，使后续的空气桥制程变得稳定。
蚀刻聚酰亚胺层氮化物层连接金属砷化镓通孔制作二极管器件空气桥结构介电层下极板沉积电容结构击穿电压砷化镓基外延生长高低差隔离度空气桥衬底制程桥墩金属覆盖

[发明专利]一种铝掺锑化铟薄膜、磁阻传感元件及其制造方法-CN202010704973.9在审
发明人：黄靖云;尤健;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：制备方法为：将基底的温度升至350～400℃，同时加热蒸发InSb源、AlSb源，真空蒸镀制得In1‑xAlxSb层，这种方法制得的In1‑xAlxSb薄膜，具有比硅和砷化镓更高的电子迁移率，同时通过掺杂调节禁带宽度的手段，禁带宽度被调控至接近硅或者砷化镓由本发明的In1‑xAlxSb薄膜制得的磁阻传感元件，工作温度高于纯InSb磁阻器件，达到硅和砷化镓磁阻器件的工作温度，同时又具有比硅和砷化镓磁阻器件更高的灵敏度。
一种铝掺锑化铟薄膜磁阻传感元件及其制造方法

[发明专利]利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法-CN200510054469.4无效
发明人：李凯;叶小玲;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明一种利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤3：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤4：在该砷化铟叠层上外延生长砷化镓薄盖层；步骤5：退火，砷化铟叠层脱缚，完成砷化铟纳米环的生长。
利用砷化铟铟铝砷叠层点制备纳米生长方法

[发明专利]一种GaAs基PMOS界面结构-CN201611079791.7在审
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种GaAs基PMOS界面结构，其结构依次为一N型掺杂的砷化镓沟道层，一在砷化镓沟道层上生长的N型掺杂的In0.51Ga0.49P界面层；一在该In0.51Ga0.49P界面层上生长的4纳米厚度的Al2O3介质层；一在该Al2O3介质层上沉积的100纳米铝栅金属层。
一种 gaas pmos 界面结构

[实用新型]红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片及其电路-CN201020552757.9有效
发明人：吴质朴;何畏 -专利权人：深圳市奥伦德光电有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片，其由底层依次向上层叠有P电极(1)、P砷化镓外延层(2)、N砷化镓外延层(3)、N砷化镓衬底层(4)、N电极(6)，该N电极(6)全部覆盖于N砷化镓衬底层(4)上而形成全电极结构。
红外 gaas 电极二极管芯片及其电路

[发明专利]新结构肖特基毫米波混频二极管-CN200310122345.6无效
发明人：张海英 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2003-12-16 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明一种新结构肖特基毫米波混频二极管，其芯片的外延结构为：在砷化镓衬底上生长一层重掺杂砷化镓第一外延层，在第一外延层的上面生长一层轻掺杂砷化镓第二外延层。本发明优化设计了外延层结构。
结构肖特基毫米波混频二极管

[发明专利]制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法-CN201510012713.4有效
发明人：杨涛;高凤;罗帅;季海铭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤步骤1选择一磷化铟衬底；步骤2在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4在铟镓砷磷薄层上制备多周期的砷化铟量子点有源层，所述铟镓砷磷薄层是砷化铟量子点有源层的下势垒层；步骤5在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，本层为砷化铟量子点有源层的上势垒层。
制作光谱砷化铟磷化量子激光器有源方法

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