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[发明专利]导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺-CN200410086564.8有效
发明人：彭晖;彭刚;罗威 -专利权人：金芃
申请日： 2004-10-26 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示大直径高质量的导电和绝缘两种准氮化镓基晶片及其在硅晶片上生长的技术和工艺，以及分别在导电和绝缘准氮化镓基晶片上生长垂直和横向结构的大功率氮化镓基半导体发光二极管的技术。在硅晶片上生长准氮化镓基晶片的工艺流程包括：在硅晶片上生长第一中间媒介层，外延生长氮化镓基外延层，层叠反射/欧姆层，键合支持衬底，剥离硅生长衬底，得到氮化镓基外延层键合在支持衬底上，构成准氮化镓基晶片。
导电绝缘氮化生长衬底及其低成本生产技术工艺

[发明专利]一种应力平衡薄型砷化镓太阳电池的制备方法-CN201810386281.7在审
发明人：范襄;于振海;雷刚;陈超奇;付坤;石梦奇;杨洪东;姜德鹏;王训春 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种应力平衡薄型砷化镓太阳电池的制备方法，其特征在于，薄型砷化镓太阳电池包含应力匹配柔性支撑衬底、砷化镓太阳电池材料、金属电极、减反射膜，其制备方法包括：键合金属层制备、外延键合、临时键合、器件制作，所述应力匹配柔性支撑衬底为线膨胀系数低于11×10‑6/℃的金属薄膜或耐高温聚合物薄膜，与砷化镓太阳电池材料热力学性能匹配良好。所制备的砷化镓太阳电池翘曲小、平整度好、可焊性高、易于太阳电池组件的研制，空间应用可靠性高。
砷化镓制备薄型太阳电池材料柔性支撑应力平衡衬底匹配耐高温聚合物太阳电池组件键合金属层线膨胀系数减反射膜金属薄膜金属电极空间应用临时键合器件制作性能匹配可焊性平整度热力学键合翘曲薄膜

[发明专利]一种传感器、X射线探测器及其应用-CN202210357116.5在审
发明人：钟韬;秦文辉;余肖鹏;赖晓春 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种传感器、X射线探测器及其应用，该传感器包括沿Y方向依次间隔排列的传感单元及屏蔽层，其中，传感单元包括沿Y方向依次设置的第一电极层传感器层及第二电极层；第一电极层包括沿X方向依次间隔排列的多个收集电极用于收集信号；于相邻两收集电极之间间隔设置至少一漂移电极，以降低收集电极面积，进而有效地降低输入电容、减小信号波形宽度、提升信号均匀性，提高探测器性能；传感器层包括砷化镓、铬补偿砷化镓、铬掺杂砷化镓或铝掺杂砷化镓中的一种；第二电极层包括至少一阴极；屏蔽层位于相邻两个传感单元之间，包括物理屏蔽、电屏蔽中的至少一种，防止信号串扰。
一种传感器射线探测器及其应用

[发明专利]从砷化镓工业废料中回收镓和砷的方法-CN200510031531.8无效
发明人：郭学益;李平;黄凯;刘荣义 -专利权人：中南大学
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： C22B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从砷化镓工业废料中回收镓和砷的方法。是以砷化镓工业废料为原料，采用原料研磨、硝酸自催化浸出、硫化物选择性沉淀砷、氢氧化物沉淀镓、氢氧化镓碱溶、电解回收镓等工艺，电解得到纯度为4N金属镓可进一步提纯到纯度为6N高纯金属镓，砷硫化物作为原料可按现行工艺进一步深加工处理得到高纯砷，这样得到的高纯镓和砷可作为砷化镓半导体合成的原料，从而实现砷化镓工业废料循环回收利用，镓和砷回收率高、成本低廉、可操作性强的特点。
砷化镓工业废料回收方法

[实用新型]一种VCSEL-CN202122114534.5有效
发明人：潘德烈 -专利权人：深圳市德明利光电有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种VCSEL，包括从上至下依次层叠的p‑DBR层、MQW、n‑DBR层、n型奥姆接触层和薄型砷化镓衬底，所述薄型砷化镓衬底的下方通过钼铟共金键合形成连接氮化铝衬底的钼金属层。
一种 vcsel

[发明专利]一种砷化镓晶体的退火方法及得到的砷化镓晶片-CN201811125280.3在审
发明人：朱铁军;谈笑天;肖亚东 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种砷化镓晶体的退火方法，所述方法包括下述步骤：将砷化镓晶棒切割成晶片；在真空条件下、砷蒸气气氛中，对所述晶片进行退火。还公开了通过所述砷化镓晶体的退火方法制备得到的砷化镓晶片。本申请的砷化镓晶体的退火方法能够提高得到的砷化镓晶片的电性能和表面质量，从而提高晶片的成品率。
退火砷化镓晶体的砷化镓晶片晶片晶棒切割真空条件成晶片成品率电性能砷蒸气申请制备

[发明专利]一种铟镓砷红外探测器材料制备方法-CN201710508453.9有效
发明人：王庶民;潘文武 -专利权人：超晶科技（北京）有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓砷红外探测器件材料的制备方法，包括：1)在磷化铟供体衬底上外延生长缓冲层；2)在缓冲层上形成铟铝砷牺牲层，在牺牲层上形成InP外延薄层；3)在外延薄层上形成InAlAs牺牲层与InP外延薄层；4)重复步骤3)至得到N个InAlAs牺牲层与InP外延薄层；5)从外延薄层侧进行离子注入，在最上一层的牺牲层内形成缺陷层，后将最上一层的外延薄层与硅受体衬底键合，并进行退火处理，使顶层薄膜剥离，对剥离部分表面的InAlAs牺牲层进行表面处理；重复本步骤得到N个Si基InP柔性衬底和含牺牲层的InP供体衬底；6)在柔性衬底上进行InGaAs探测器结构外延生长。本发明为衬底可重复利用、柔性衬底可大规模集成、省去减薄工艺的铟镓砷红外探测器件制备方法。
一种铟镓砷红外探测器材料制备方法

[发明专利]一种砷化镓薄膜太阳电池及制作方法-CN202110304745.7有效
发明人：李俊承;徐培强;吴洪清;白继锋;米万里;熊珊;潘彬;王向武;张银桥 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L31/046 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓薄膜电池技术领域，尤其涉及一种砷化镓薄膜太阳电池及制作方法。一种砷化镓薄膜太阳电池，包括外延层、聚酰亚胺薄膜层和键合层，外延层上均匀间隔开设有腐蚀槽，腐蚀槽把外延层分割成具有间距的阵列状外延层，与外延层接触的键合层上均匀间隔开设有走道，走道把与外延层接触的键合层分割成具有间距的阵列状键合层一种砷化镓薄膜太阳电池的制作方法，使用ICP或化学腐蚀的办法，外延层和键合层被分割为具有间距的微小的阵列，并且实现阵列之间的互联，使得有源层进行小面积分割互联，有效减少的外延层应力的释放，解决了由于聚酰亚胺薄膜无法抵抗外延层的应力而造成整个器件是弯曲的问题
一种砷化镓薄膜太阳电池制作方法

[发明专利]一种砷化镓多晶的制备方法-CN202110946742.3有效
发明人：罗小龙;周铁军;易明辉;曾国治 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓多晶的制备方法，涉及多晶合成技术领域。本发明提供的砷化镓多晶的制备方法包括如下步骤：(1)将单质砷、单质镓置于真空装置炉中，炉内抽真空；(2)将所述真空装置炉的炉温升温至第一目标温度；(3)将炉温从所述第一目标温度降温至第二目标温度；(4)将炉温从所述第二目标温度降温至第三目标温度，得到所述砷化镓多晶。本发明砷化镓多晶的制备全程在真空环境下进行，原料采用单质砷和单质镓，单质砷和单质镓在第一目标温度下生成熔融状态的砷化镓，再通过炉内的分阶段降温，使不同高度的砷化镓的温度出现差异，从而实现砷化镓凝固成预定形态的多晶棒
一种砷化镓多晶制备方法

[发明专利]一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法-CN201911385181.3在审
发明人：黄开松 -专利权人：珠海市东恒电子有限公司
申请日： 2019-12-28 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H03H7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种平衡非平衡射频转换元器件制程方法，所述平衡非平衡射频转换元器件包括隔热层、绝缘层、基层板、集电层和保护层，S1、将基层板表面清洗干净，厚度控制在1mm‑3mm之间；S2、基层板底部涂覆绝缘层，并在绝缘层的底部镀上一层隔热层；S3、将集电层固定在基层板的顶部，制成半成品，然后在半成品的上表面喷涂保护层，本发明涉及射频转换器技术领域。该平衡非平衡射频转换元器件制程方法，步骤简洁，且集电层与成品可以分开进行，降低企业的经济负担，加工效率较高，集电层由硅晶片和砷化镓材料制成，结合了硅和砷化镓材料共同的特性，使该射频转换元器件具有较高电子迁移率的同时
一种平衡射频转换元器件方法

[发明专利]运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备-CN201110206038.0有效
发明人：周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；步骤3：采用KOH湿法刻蚀在沟槽的硅衬底上形成V形沟槽；步骤4：分别用piranha、SC2、HF和去离子水，清洗沟槽底部衬底的V形沟槽；步骤5：采用低压MOCVD的方法，先在沟槽内生长GaAs缓冲层，然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层；步骤6：采用化学机械抛光的方法，将超出沟槽的GaAs顶层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平，完成材料的制备。
运用沟槽硅基砷化镓材料制备

[发明专利]一种高迁移率CMOS集成单元-CN201210480455.9无效
发明人：孙兵;刘洪刚;王盛凯;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该高迁移率CMOS集成单元采用高电子和空穴迁移率的铟镓锑作为沟道材料，将铟镓锑沟道CMOS集成单元平面集成到砷化镓衬底上，具有取代传统硅基CMOS器件的潜力，在后摩尔时代具有实际的应用价值。
一种迁移率 cmos 集成单元

[发明专利]砷化镓晶圆用除氧托盘-CN201611116809.6有效
发明人：王干;赵玉华 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓晶圆用除氧托盘。该砷化镓晶圆用除氧托盘包括底座和定位组件；底座开设有贯通底座且用于安装砷化镓晶圆的安装孔，安装孔的侧壁上设有限位凸起；定位组件能够与底座固定连接，且定位组件与限位凸起能够分别与砷化镓晶圆的相对的两个表面的边缘相抵接而夹持固定砷化镓晶圆上述砷化镓晶圆用除氧托盘能够简化砷化镓晶圆的除氧工艺的操作、提高除氧效率且能够较为稳固地固定砷化镓晶圆。
砷化镓晶圆用托盘

[实用新型]TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块-CN201721552715.3有效
发明人：匡珩;黄贞松 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本实用新型是TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块，包括标准封装引线框、氮化铝基板、三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片和硅驱动芯片，其中氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片粘接在标准封装引线框中心金属衬底上，三个PIN二极管芯片粘接在氮化铝基板上，一个PIN二极管作为发射通道，其它二个PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路作为接收支路，接收支路后级连一个高集成砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道，开关电路的切换由硅驱动芯片实现优点：1）一体化集成度高，通用性好，工作安全可靠；2）多芯片组装和裸芯片直接粘接加工，降低热阻，提升可靠性，降低使用成本。
低噪放芯片氮化铝基板驱动芯片砷化镓接收前端模块标准封装接收支路开关电路引线框一体化粘接本实用新型驱动发射通道工作安全接收通道开关元件直接粘接中心金属集成度多芯片高集成裸芯片衬底级连热阻串联组装加工

[发明专利]制备硅基砷化镓材料的方法-CN201210032751.2有效
发明人：周旭亮;于红艳;张心;潘教青;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种制备硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：在硅衬底1上生长二氧化硅层；采用全息曝光和ICP方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；采用MOCVD的方法，先在沟槽内生长第一缓冲层，然后在沟槽内的第一缓冲层上生长第二缓冲层，其厚度超出二氧化硅层；接着在第二缓冲层和二氧化硅层上生长第三缓冲层，然后在第三缓冲层上生长顶层；各层采用本发明可制备高质量Si基GaAs材料，为Si基GaAs器件奠定衬底基础，特别是高迁移微电子器件和解决硅基发光提供了一种可行方案。
制备硅基砷化镓材料方法