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[发明专利]电容结构-CN201910707774.0在审
发明人：游思颖;张瑞钰;陈建文 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明揭露了一种电容结构，其包括金属氧化物半导体电容以及金属氧化物金属电容，其中该金属氧化物半导体电容的栅电极、源电极以及漏电极为以第一金属层来制作的第一指状结构，且该金属氧化物金属电容至少包括以第二金属层来制作的第二指状结构
电容结构

[发明专利]电容结构-CN200910173551.7有效
发明人：吴仕先;李明林;赖信助;刘淑芬;陈孟晖;洪金贤 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-09-15 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：本发明提供一种电容结构，其包括：第一电极层；第一介电层，设于该第一电极层上；以及第二电极层，设于第一介电层上，其中第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构，使第一电极层与第二电极层之间具有至少两种不同距离，形成至少两组电容值的并联效果。
电容结构

[发明专利]电容结构-CN200810212161.1有效
发明人：杨明宗 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提供一种电容结构，包括：多个第一导线，平行设置于基底上的导电层中，上述多个第一导线彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组；绝缘层，形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间的区域；第二导线本发明的电容结构能具有更小的电容干扰，保证更稳定的工作。
电容结构

[发明专利]电容结构-CN201310199310.6有效
发明人：托马斯·施泰因克;穆罕默德·约克琴;亚采克·克鲁帕 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01G4/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容结构，包括第一输入接口，其这样设计，使得通过第一输入接口输入第一信号。电容结构还包括第一输出接口，其这样设计，使得通过第一输出接口输出第一信号。电容结构还包括第二输入接口，其这样设计，使得通过第二输入接口输入第二信号。电容结构还包括第二输出接口，其这样设计，使得通过第二输出接口输出第二信号。电容结构还包括多个沟槽单元，其中，多个沟槽单元中的每一个沟槽单元包括第一电极和第二电极。多个沟槽单元的第一电极彼此连接，以便形成电容结构的第一电极。此外多个沟槽单元的第二电极彼此连接，以便形成电容结构的第二电极。此外电容结构的第一电极与第一信号连接，并且电容结构的第二电极与第二信号连接。
电容结构

[发明专利]电容结构-CN201210295005.2有效
发明人：杨明宗 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种电容结构，包括：多个第一导线，平行设置于基底上的导电层中，上述多个第一导线彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组，第一电极群组的第一导线与第二电极群组的第一导线是交替设置的；绝缘层，形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间的区域；第二导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于第一电极群组的上述多个第一导线；第三导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的上述多个第一导线，以及第一过孔结构，形成于绝缘层中，包括多个过孔插栓，第一过孔结构对应多个第一导线其中之一。本发明的电容结构能具有更小的电容干扰，保证更稳定的工作。
电容结构

[发明专利]电容结构-CN201210069410.2有效
发明人：陈建盛 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明公开一种电容结构，其包括介电材料层以及至少两层金属层。金属层间隔设置于介电材料层中。各金属层包括绕行状电极、第一指状电极以及第二指状电极。绕行状电极形成多个第一凹部以及多个第二凹部。
电容结构

[发明专利]电容结构-CN201611126816.4有效
发明人：杜佾璋;蔡丽端;林甘轩 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01G9/15 文献下载
摘要：本发明提供的电容结构，包括：正极；介电层，位于正极上；以及有机‑无机复合物层，位于介电层上；负极；以及导电性共轭高分子电解质，位于有机‑无机复合物层与负极之间。
电容结构

[发明专利]电容结构-CN201610116570.6有效
发明人：篮子为;宋厚宽;庄志禹 -专利权人：扬智科技股份有限公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种电容结构，其包括至少一隔离层、第一金属层、第二金属层，以及第三金属层。第一金属层包括第一电极的第一金属部分。第二金属层包括第一电极的第二金属部分与第二电极的第一金属部分。
电容结构

[发明专利]电容结构-CN200610071463.2有效
发明人：许村来;莫亚楠;廖以义 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种电容结构，包括多层堆叠的导电图案，且各导电图案包括一封闭导电环、多个相互平行并与封闭导电环电性连接的主要导电条，以及多个与主要导电条交错设置且未与封闭导电环电性连接的次要导电条。
电容结构

[发明专利]电容结构-CN200610071590.2有效
发明人：卓威明;陈昌升;赖颖俊;徐钦山 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明提供了一电容结构，采用交错耦合状的设计，达到导线或是电极板间可以使一电极上下左右与另一电极互相耦合，达到最小面积最高电容值的效果，且采用的导孔数少，此电容在最小面积上有最大的电容值。应用在高频高速模块或系统中可以提升电容性基板噪声抑制能力。
电容结构

[发明专利]电容结构-CN200510126985.3无效
发明人：许村来;严国辉;陈威良 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种电容结构，包括第一电容器以及第二电容器。第一电容器包括第一电极、第二电极与第一绝缘层，其中第二电极配置于第一电极下方，且第一绝缘层配置于第一电极与第二电极之间。第二电容器配置于第一电容器下方，且与第一电容器并联。第二电容器包括构成第三、第四电极的多个图案化金属层与多个介层窗插塞，以及第二绝缘层。
电容结构

[发明专利]电容结构-CN200510129744.4无效
发明人：陈文吉;陈东波 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容结构，其包括下电极、上电极及电容介电层。其中，下电极配置于基底上，为第一电源线。上电极沿着下电极的走向配置于下电极上，并电连接至第二电源线。电容介电层配置于下电极与上电极之间。
电容结构

[实用新型]电容结构-CN201821598132.9有效
发明人：王晓玲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电容结构，该电容结构包括：一基板，具有多个间隔的电容触点；多个电容柱，电容柱形成于所述基板上，并与电容触点接合，电容柱由内而外包括第一上电极层、第一介电层、下电极层、第二介电层及第二上电极层；顶部支撑层，平行于所述基板，多个电容柱贯穿于顶部支撑层，形成位于顶部支撑层上方的电容柱延伸部和下方的电容柱本体部；固定层，形成于所述电容柱延伸部的外围，固定层在垂直于所述基板方向上全部或部分地覆盖所述电容柱延伸部该电容结构改善了加高的空心电容柱本身不稳定、易倒塌的问题，同时也避免了其形成过程中湿法刻蚀易出现的晃动及倒塌现象，大大提高了电容结构的稳定性和器件性能。
电容柱电容结构顶部支撑层延伸部基板多个电容电极层固定层介电层电容触点倒塌本实用新型基板方向器件性能湿法刻蚀下电极层接合晃动加高平行垂直外围贯穿覆盖

[实用新型]电容结构-CN201821598184.6有效
发明人：王晓玲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电容结构，该电容结构包括：一基板，具有多个间隔的电容触点；多个电容柱，电容柱形成于基板上，并与电容触点接合，电容柱由内而外包括第一上电极层、第一介电层、下电极层、第二介电层及第二上电极层；固定层，平行于所述基板，多个电容柱贯穿于所述固定层，形成位于固定层上方的电容柱延伸部和下方的电容柱本体部，固定层在垂直于所述基板方向上全部或部分地覆盖所述电容柱延伸部。该电容结构改善了加高的空心电容柱本身不稳定、易倒塌的问题，避免了形成过程中湿法刻蚀易出现的晃动及倒塌现象，此外，该电容结构无顶部支撑层，在保证电容器件性能稳定的前提下又节约了工艺成本，具有很好的工业化前景
电容柱电容结构固定层基板多个电容电极层介电层延伸部电容触点倒塌本实用新型顶部支撑层电容器件工艺成本基板方向湿法刻蚀下电极层接合晃动加高平行垂直节约覆盖贯穿保证

[实用新型]电容结构-CN202222105082.9有效
发明人：邹道华;高谷信一郎;刘昱玮;黄仁耀 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种电容结构，包括：衬底；位于所述衬底上的第一电极层，所述第一电极层在所述衬底上具有第一投影图形；位于所述第一电极层上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第二电极层，所述第二电极层在所述衬底上具有第二投影图形因此第一电极层和第二电极层的相对应的各边沿在垂直于所述衬底表面的方向相互错开，避免所述第一电极层和所述第二电极层的边沿放电在垂直于所述衬底表面方向形成正对，减少由于正对的放电击穿所述第一绝缘层的问题，提升所述电容结构的击穿电压和电容结构的可靠性
电容结构

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