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[发明专利]高散热垂直腔面发射激光器及其制作方法-CN202111027071.7有效
发明人：蔡文必;曾评伟 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请提供一种高散热垂直腔面发射激光器的制作方法，将砷化镓衬底正面的出光孔圈区域刻蚀至不超过衬底厚度，并于刻蚀位置沉积砷化铝层。在衬底正面外延生长N‑DBR层、MQW层和P‑DBR层，并在P‑DBR层形成内部构成出光孔径的氧化层。该制作方法可以在外延生长前生长砷化铝层，在MQW层累积的热量向下传导时由于砷化铝的导热系数优于砷化镓，其散热传导至背面金属电极效率更高、散热更快，进而提升整个器件的散热性能，并且砷化铝和砷化镓晶格常数相匹配，对衬底进行刻蚀并沉积砷化铝层后进行外延生长的影响也较小。本申请还提供一种高散热垂直腔面发射激光器，通过形成于衬底的刻蚀凹槽内的砷化铝层可以提升器件的散热能力。
散热垂直发射激光器及其制作方法

[发明专利]一种砷化镓基半导体器件的制作方法-CN201510207719.7有效
发明人：郭佳衢 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓基半导体器件的制作方法，包括有以下步骤提供一底材，所述底材包括一砷化镓基半导体晶片，晶片形成有至少一基极区、发射极区及集电极区，其中相邻电极区之间具有高度差并于高度落差处形成外凸尖角；于底材上形成一与之形状相匹配或基本匹配的绝缘层；通过光蚀刻工艺蚀刻绝缘层，以露出各电极区；通过光蚀刻工艺蚀刻剩余绝缘层，使绝缘层对应底材表面高度落差的区域平滑过渡；于上述结构上方形成一金属层。通过绝缘层表面的平缓化处理，避免了金属层产生裂痕的问题。
一种砷化镓基半导体器件制作方法

[发明专利]一种石墨烯基内建电场铟镓砷探测器-CN201811002938.1在审
发明人：汤乃云;王倩倩;单亚兵;杜琛;徐浩然 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，采用磷化铟为衬底材料，依次在衬底上向上生长一层p掺杂的铟镓砷材料层、一层本征铟镓砷材料层、一层n掺杂的铟镓砷材料层、一层氧化硅介质层；在氧化硅介质层中央区域转移或沉积单层石墨烯层，在氧化硅介质层上单层石墨烯层两侧生长源电极和漏电极，在磷化铟衬底下生长背栅电极。
氧化硅介质铟镓砷材料内建电场铟镓砷探测器单层石墨烯石墨烯基磷化铟电导率光生载流子背栅电极沉积单层衬底材料漂移运动石墨烯层向上生长源漏电流中央区域电极漏电极迁移率生长源探测器本征衬底探测生长

[发明专利]一种侧壁粗化高亮度发光二极管及其制备方法-CN201610418650.7在审
发明人：张银桥;潘彬 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种侧壁粗化高亮度发光二极管及其制备方法，包括砷化镓永久衬底，在砷化镓永久衬底的上面依次设置有缓冲层、发光层、窗口层和第一电极，缓冲层为n型砷化镓，发光层包括AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、AlGaInP有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层和P‑GaP粗化层，P‑GaP粗化层包含P‑GaP正面粗化层和P‑GaP侧壁粗化层两部分，在P‑GaP正面粗化层上设置第一电极，P‑GaP侧壁粗化层呈V型槽结构，窗口层为SiN光学薄膜，在砷化镓永久衬底的下面设有第二电极。粗糙化表面经过钝化膜SiN的包覆，不仅可以较小发光层同封装材料间的折射率差，有助于光的取出，而且可以保护发光区减少漏电异常，提升产品可靠性。
一种侧壁粗化高亮度发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种双面太阳能柔性薄膜电池及其制备方法-CN202111278523.9在审
发明人：李琳琳 -专利权人：南京瑞宇能源科技有限公司;南京中科河途智能物联网科技研究院有限公司
申请日： 2021-10-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：其技术方案要点是包括砷化镓电池层，所述砷化镓电池层的两侧分别设有正电极和负电极，所述砷化镓电池层设有正电极的一侧形成有透明支撑膜。本发明达到了提高太阳能电池转换效率的效果。
一种双面太阳能柔性薄膜电池及其制备方法

[发明专利]一种含有火焰合成镍金纳米球阵列的砷化镓太阳电池及其制备-CN202111207027.4在审
发明人：李国强;莫由天;朱利宏;邓曦 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池的技术领域，公开了一种含有火焰合成镍金纳米球阵列的砷化镓太阳电池及其制备。所述砷化镓太阳电池包括从下到上依次层叠的背面电极、砷化镓衬底、镍金纳米球阵列层、石墨烯层、正面电极；所述镍金纳米球阵列层是通过以下方法制备得到：在基底上依次蒸镀隔离层，镍层和金层，蒸镀后置于火焰内焰中进行燃烧本发明还公开了砷化镓太阳电池的制备方法。本发明采用火焰处理法制备镍金纳米球阵列层，所制备的镍金纳米球阵列提升了石墨烯/砷化镓异质结太阳电池的光电转换效率。本发明的火焰处理法更加便捷。
一种含有火焰合成纳米阵列砷化镓太阳电池及其制备

[实用新型]砷磷化铝镓铟发光二极管-CN201621414656.9有效
发明人：丁国建;刘佩;陈宇;张业民;罗惠英 -专利权人：天津中环新光科技有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种砷磷化铝镓铟发光二极管，设有砷化镓(GaAs)衬底，砷化镓(GaAs)衬底上设有超晶格分布布拉格反射层(DBR)，分布布拉格反射层(DBR)上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源层,多量子阱有源层上设有p型限制层，p型限制层上设有p型磷化镓(GaP)窗口层，其中，分布布拉格反射层(DBR)是由砷化铝(AlAs)和多层砷化镓、砷化铝(GaAs/AlAs)m超晶格结构组成的[AlAs通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。本实用新型不仅大幅降低分布布拉格反射层的串电阻，改善了反射光谱的特性；而且，还改善了发光二极管的工作电压，增加了光提取效率，提高了发光二极管的亮度和稳定性。
磷化铝镓铟发光二极管

[发明专利]一种向砷化镓材料引入杂质并加以激活的方法-CN201811485333.2有效
发明人：秦国刚;李磊;张黎莉;徐万劲;张健 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
一种砷化镓材料引入杂质加以激活方法

[发明专利]砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法-CN201510659597.5在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
砷化镓多晶磁场生长以及方法

[发明专利]太赫兹近场探测器、光电导天线及其制作方法-CN201610349988.1有效
发明人：丁庆;彭世昌;潘奕;李辰 -专利权人：深圳市太赫兹系统设备有限公司;深圳市太赫兹科技创新研究院
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：所述光电导天线包括衬底，粘合在衬底上的低温砷化镓波片层，粘合在低温砷化镓波片层上的偶极天线，偶极天线为低温砷化镓薄片，设置在偶极天线上的绝缘层，以及设置在绝缘层上的带孔金属板。
赫兹近场探测器电导天线及其制作方法

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备-CN201310510132.4有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺及其设备

[实用新型]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备-CN201320662632.5有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长设备

[发明专利]硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片-CN202210884713.3在审
发明人：张臻琢;赵德刚;杨静;梁锋;陈平;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片，硅基氮化镓外延层的生长方法包括：将硅基衬底放入反应室中；在硅基衬底上生长氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上生长氮化镓铝缓冲层；在氮化镓铝缓冲层上生长氮化镓铟插入层；在氮化镓铟插入层上生长氮化镓外延层；其中，生长氮化镓铟插入层的温度低于生长氮化镓铝缓冲层和氮化镓外延层的温度。在氮化镓铝缓冲层上降温生长一层氮化镓铟插入层，降温过程中氮化铝缓冲层和氮化镓铝缓冲层中出现裂纹，释放缓冲层中的部分应力，同时氮化镓铟插入层的生长能够覆盖裂纹，随后升温生长氮化镓外延层，能够使氮化镓外延层生长时受到更大更久的压应力
氮化外延生长方法

[发明专利]一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法-CN200910081986.9无效
发明人：彭银生;徐波;叶小玲;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，包括：在半绝缘砷化镓衬底上，外延生长一定厚度的AlGaAs牺牲层；在AlGaAs牺牲层上外延生长一定厚度的砷化镓；在砷化镓层上外延生长一定密度InAs量子点；外延生长一定厚度的砷化镓，将InAs量子点埋住；在砷化镓上采用等离子体化学气相淀积法(PECVD)镀上一层SiO2薄膜；在SiO2薄膜上悬涂一层电子束胶；采用电子束曝光法在电子束胶上制作光子晶体图形；
一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直方法

[发明专利]砷化镓晶圆的划切方法-CN202310075103.3在审
发明人：张兴华 -专利权人：深圳西斯特科技有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请提出一种砷化镓晶圆的划切方法，包括：将砷化镓晶圆的背面贴上胶膜；标记贴有胶膜的砷化镓晶圆的晶体方向，并基于砷化镓晶圆的晶体方向确定CH1方向和CH2方向，砷化镓晶圆的晶向为CH1方向和CH2方向的直角平分线；将贴有胶膜的砷化镓晶圆固定在划片机的工作盘上；使划片机上的划片刀以第一划切参数对砷化镓晶圆进行CH1方向的划切，划片刀的划切深度与砷化镓晶圆的厚度相等；使划片机上的划片刀以第二划切参数对砷化镓晶圆进行CH2方向的划切，其中划片刀的划切深度大于砷化镓晶圆的厚度，且小于砷化镓晶圆和胶膜的厚度之和；获取划切后的砷化镓晶圆。上述的划切方法能够在保证砷化镓晶圆正面、背面、侧面划切质量的前提下，提高划切效率。
砷化镓晶圆方法