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[实用新型]具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管-CN201320813652.8有效
发明人：丁国建;宋京;张荣勤;罗惠英;王晓晖 -专利权人：天津中环新光科技有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管，设有：砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上设有布拉格反射层，布拉格反射层上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,多量子阱有源区上设有p型限制层；p型限制层上设有p型磷化镓（GaP）窗口层，其中，p型磷化镓（GaP）窗口层上设有砷磷化铝镓（Al_xGa_1-x As_yP_1-y）表面粗化层；通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。本实用新型通过在外延阶段，直接在磷化镓（GaP）窗口层上继续外延生长一薄层砷磷化铝镓（Al_xGa_1-x As_yP_1-y）；使生长出来的砷磷化铝镓（Al_xGa_1-x As_yP_1-y）薄层表面粗化；解决了在对外延片表面粗糙化的过程中，
具有外延表面粗化层磷化铝镓铟发光二极管

[实用新型]一种基于砷化镓SRR双缝结构的太赫兹波调制器-CN202021182560.0有效
发明人：杨勇;邓钦元;黄磊;马文英 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型属于太赫兹波调制器技术领域，公开了一种基于砷化镓SRR双缝结构的太赫兹波调制器，为了解决现有太赫兹波调制器调制速率过慢以及不易集成的问题。本实用新型的基于砷化镓SRR双缝结构的太赫兹波调制器包括三层结构，基底层、砷化镓层和金属层，基底层上层为砷化镓层，最上层为金属层，金属层为一种SRR双缝结构，该结构由一个铜片开多个长方形槽构成谐振环，具有结构简单的特点
一种基于砷化镓 srr 结构赫兹调制器

[发明专利]实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构-CN201110147409.2有效
发明人：郑婉华;陈微;张建心;渠红伟;付非亚 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：一种实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构，包括：一砷化镓衬底；一光子晶体区域，该光子晶体区域制作在砷化镓衬底上，用来实现基模的大面积振荡；一过渡层，该过渡层制作在光子晶体区域上；一上限制层，该上限制层制作在过渡层上，用来限制光场向上的泄露；一接触层，该接触层制作在上限制层上，用来与金属形成上电极，这样便形成实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构。
实现大功率横向发散半导体激光器结构

[发明专利]砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备-CN202011218194.4有效
发明人：苏言杰;施祥蕾;周大勇;孙利杰;霍婷婷 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备，其结构为由背反射层、N型砷化镓、P型单壁碳纳米管，图形化金电极、减反射层等组成。电池由以下步骤制备：(1)在超薄外延生长N型砷化镓表面利用光刻技术制备由图形化镍锗金电极与介电层阵列组成的背反射层；(2)采用剥离工艺将沉积有背反射层的超薄N型砷化镓从基底表面剥离，并将其朝上放置；(3)旋涂制备P型单壁碳纳米管薄膜，并依次沉积图形化金电极和减反射层。本发明中砷化镓与单壁碳纳米管同时贡献光电流，利用两者之间超薄耗尽层缩短光生载流子的输运距离。同时，本发明通过图形化背电极和介电材料阵列来增加光子吸收长度，提高光电转换效率。
砷化镓纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备

[发明专利]一种硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法-CN201510097914.9在审
发明人：王丛;刘铭;周立庆;王经纬;高达 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提出了一种硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法。其包括：砷层形成步骤：在硅衬底的上表面上采用砷束流进行表面钝化，以在所述硅衬底的上表面上形成砷层；碲化锌缓冲层形成步骤：在所述砷层的上方通过碲束流外延单个碲层，在所述单个碲层的上表面上通过锌束流外延单个锌层，以形成第1个周期层，其中，周期层包括单个碲层和设置于所述单个碲层上表面上的单个锌层，在所述第1个周期层的上表面上顺次叠置n-1个周期层，以形成包括n个周期层的碲化锌缓冲层，n为正整数。采用外延工艺方法得到的碲化锌缓冲层的单晶化好，结晶度高，并且提高硅基碲化镉复合衬底的质量。
一种硅基碲化锌缓冲分子外延工艺方法

[发明专利]一种具有砷化镓层器件上形成金属触点及其制造方法-CN201410670765.6无效
发明人：李军安;蔡桂钧;何卫华 -专利权人：广西智通节能环保科技有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种在具有砷化镓层器件上形成金属触点的方法，包括：在砷化镓层上沉积钯层；在所述钯层上沉积锗层；在所述锗层上沉积金属覆盖层；并且将所述具有砷化镓层器件加热，以形成布置在所述吸收层和所述金属覆盖层之间的钯锗合金层，其中，所述钯锗合金层为渐变层，所述渐变层在靠近所述吸收层处包含最高浓度的钯和最低浓度的锗，具有延伸至所述金属覆盖层的梯度，在靠近所述金属覆盖层处包含最高浓度的锗和最低浓度的钯。本发明的制造方法能够在低温下制备具有砷化镓层器件上形成金属触点，使得器件的性能得以保持。
一种具有砷化镓层器件形成金属触点及其制造方法

[发明专利]砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法-CN200510084937.2无效
发明人：陈诺夫;白一鸣;梁平;王晓晖 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-07-25 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法，包括如下步骤：顶电池以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；在顶电池的外延片的砷化镓层上面制作正电极；在外延片底层的重掺杂的n型砷化镓层制作顶电池的背电极；底电池以锑化镓单晶片为衬底；在底电池的外延片上面制作正电极，在衬底的下面制作背电极；顶电池与底电池采用机械级联的方式制成机械迭层太阳电池，然后进行封装
砷化镓锑化镓迭层聚光太阳电池制作方法

[发明专利]化合物半导体器件的外延结构及其制备方法-CN202210300212.6在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种化合物半导体器件的外延结构及其制备方法，该方法包括：在硅Si衬底上外延形成n型惨杂的氮化镓GaN系材料的集电层；在集电层上外延形成p型掺杂的砷化镓GaAs基极层；在基极层上外延形成n型惨杂的砷化铝镓AlGaAs发射层。由于本申请的HBT的外延结构将材料外延层制作在Si衬底上，从而可以利用大尺寸硅晶圆以降低芯片的制造成本。同时，由于具有本申请的HBT的外延结构的HBT器件采用GaN系材料作为集电层，从而可以使用较高的工作电压，进而有利于增加该HBT器件的输出功率，克服GaAs HBT器件的功率限制，以及更好地满足5G通信高频与高功率的需求
化合物半导体器件外延结构及其制备方法

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN97190576.2无效
发明人：阿部弘光 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 1997-05-29 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具有双异质结构的光发射层形成部分包括一铝镓铟磷基化合物半导体的n型包覆层，一激活层和一P型包覆层依次外延制作在n型砷化镓基片上，P型包覆层的载流子浓度达1×1016到5×1016/立方厘米。P型铝镓砷化合物半导体的电流扩散层生长在P型包覆层上，并再制作P侧和n侧电极，当晶体生长时包覆层中的P型杂质向电流扩散层的扩散被减少，从而元件的发光效率和亮度得到改善。
半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]一种GaAs基PMOS器件制作方法-CN201611079685.9在审
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓PMOS器件的制作方法。其制作步骤依次是在半绝缘砷化镓衬底(101)上生长100纳米厚度的N型掺杂的砷化镓沟道层(102)；在N型掺杂砷化镓沟道层(102)上生长1纳米厚度磷化镓界面层(103)；在磷化镓界面层(103)表面生长
一种 gaas pmos 器件制作方法

[发明专利]一种三结太阳能电池及其制备方法与应用-CN202210377745.4有效
发明人：刘建庆;刘雪珍;高熙隆;杨文奕 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种三结太阳能电池及其制备方法与应用，该三结太阳能电池依次包括以下各层：依次包括以下各层：图形化砷化镓衬底；应力缓冲层；和子电池组。本发明还公开该太阳能电池制备方法，其包括以下步骤：S1、在砷化镓衬底上刻蚀出台状图形，得所述图形化砷化镓衬底；S2、在图形化砷化镓衬底上生长所述应力缓冲层；S3、在所述应力缓冲层表面生长所述子电池组。
一种太阳能电池及其制备方法应用

[发明专利]面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件-CN201710556125.6有效
发明人：廖小平;陈友国 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供的一种面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件，主要包括MESFET和热电偶。在源漏栅的金层四周制作一层二氧化硅，化学机械抛光后，制作热电偶的金属Au型热电臂和砷化镓型热电臂，蒸金连接两种热电偶臂，将源漏栅的热电偶电极进行金属连线，留下两个热电偶电极作为塞贝克电压的输出极。该砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件根据塞贝克效应，可以将器件工作产生的热能转换为电能，实现能量收集的同时缓解了散热问题。通过检测输出塞贝克电压的大小来实现对热耗散功率大小的检测。
热电转换砷化镓基热电偶电极热电臂热电偶物联网源漏表面微机械加工化学机械抛光能量转换功能热耗散功率塞贝克效应二氧化硅金属连线能量收集热电偶臂热能转换散热问题半绝缘砷化镓输出极检测衬底金层蒸金制作金属输出缓解

[发明专利]窗层结构的发光二极管-CN93120628.6无效
发明人：黄国欣 -专利权人：黄国欣
申请日： 1993-12-07 - 公布日： 1997-04-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：其特征在于它包含第一导电性的半导体基层，一个基体的铝镓铟磷双异体，以及带第二导电性的两窗层半导体窗层结构，窗层部分则由一层砷化镓和一层磷化镓组成。先将第一窗层砷化镓以有机金属源气相外延(OMVPE)技术生长在铝镓铟磷双异体上。再将第二窗层磷化镓以OMVPE或气相外延(PVE)技术生长在第一窗层上。由于第一窗层砷化镓的介入，增加了导体电流的流散而提高了二极管的发光效率和生产的成品率。
结构发光二极管

[发明专利]一种自对准GaAs-PMOS器件结构-CN201610613952.X有效
发明人：王勇;王瑛;丁超 -专利权人：东莞华南设计创新院;广东工业大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种自对准GaAs沟道PMOS器件结构，其结构如下：一N型砷化镓沟道层；一在该N型砷化镓沟道层源端上的InGaP刻蚀截止层；一在该InGaP刻蚀截止层上的P型GaAs欧姆接触层；一在该P型GaAs欧姆接触层上形成的源端金属电极；一在该N型砷化镓沟道层与源端材料层上的氧化铝介质层；一在该氧化铝介质层上形成的栅金属电极；一在该N型砷化镓沟道层上形成的P型欧姆接触区域；一在该P型欧姆接触区域上形成的漏端金属电极
一种对准 gaas pmos 器件结构

[实用新型]一种侧壁粗化高亮度发光二极管-CN201620574883.1有效
发明人：张银桥;潘彬 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种侧壁粗化高亮度发光二极管，包括砷化镓永久衬底，在砷化镓永久衬底的上面依次设置有缓冲层、发光层、窗口层和第一电极，缓冲层为n型砷化镓，发光层包括AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、AlGaInP有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层和P‑GaP粗化层，P‑GaP粗化层包含P‑GaP正面粗化层和P‑GaP侧壁粗化层两部分，在P‑GaP正面粗化层上设置第一电极，P‑GaP侧壁粗化层呈V型槽结构，窗口层为SiN光学薄膜，在砷化镓永久衬底的下面设有第二电极。粗糙化表面经过钝化膜SiN的包覆，不仅可以缩小发光层同封装材料间的折射率差，有助于光的取出，而且可以保护发光区减少漏电异常，提升产品可靠性。
一种侧壁粗化高亮度发光二极管