|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 5365412个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种剥离侧墙制程的方法-CN201310055067.0无效
-
景旭斌;李芳;刘文燕
-
上海华力微电子有限公司
-
2013-02-20
-
2013-06-05
-
H01L21/8238
- 本发明涉及一种剥离侧墙制程的方法，在常规的氮化硅侧墙刻蚀和源漏离子注入后增加一步通过快速高温氧化来制备氧化层的步骤，在该步骤中制备氧化膜时，在氮化硅侧墙表面上形成的快速高温氧化膜的厚度小于其他部分表面形成的快速高温氧化膜的厚度，因此能够在后续的氢氟酸去除覆盖侧墙表面的快速高温氧化膜时仍保留硅基板上的快速高温氧化膜，在去除了侧墙上覆盖的快速高温氧化膜后，继续采用热磷酸去除所述侧墙，及用氢氟酸去除剩余的氧化层。该方法能够在侧墙剥离时有效保护硅基板，进而避免了硅基板在受到损伤后容易在后续的金属硅化物工艺中形成管状缺陷的问题。
- 一种剥离侧墙制程方法
- [发明专利]双向硅控整流器-CN201010532157.0无效
-
王云强
-
精拓科技股份有限公司
-
2010-10-29
-
2012-05-23
-
H01L29/87
- 本发明公开了一种双向硅控整流器，包括第一导电型态的基板，位于基板上且呈第二导电型态的埋入层、位于埋入层上且呈第一导电型态的第一井与第二井、位于第一井与第二井之间且呈第二导电型态的第三井，与位于第一半导体区与第三半导体区之间且呈第二导电型态的掺杂区域此种双向硅控整流器藉由改变半导体载子浓度或使用标准制程中不同载子浓度的半导体，调节其接面的崩溃电压，可解决集成电路的I/O电压远高于工作电压时，不会有误动作的问题发生，并达成面积小与高静电防护之效，藉此解决现有硅控整流器触发电压受限的问题
- 双向整流器
- [发明专利]一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法-CN201110008499.7无效
-
缪燕;彭仕敏
-
上海华虹NEC电子有限公司
-
2011-01-17
-
2012-07-18
-
H01L21/316
- 本发明公开了一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法，包括步骤：在硅衬底上形成栅氧化层、多晶硅栅极和侧墙；漏源注入及快速热退火；淀积SACVD PSG薄膜；淀积HDP PSG薄膜；刻蚀接触孔。该方法可以避免衬底硅因接触孔过刻蚀而受到损伤，且用该方法制备的PSG薄膜具有优良的填孔性能和易于刻蚀的膜质结构。在制备时，先用SACVD淀积工艺生长一层PSG薄膜，然后再用HDP CVD淀积工艺生长高掺杂PSG薄膜，利用SACVD PSG薄膜磷掺杂量均一的特点，提高HDP PSG薄膜花状外壳底部起始点的位置，增大接触孔选择性刻蚀的工艺窗口，从而避免了衬底硅因过刻蚀而受到损伤，有效地维护了器件的性能。
- 一种掺杂玻璃薄膜制备方法
- [发明专利]硅基片上有序纳米碳管阵列的制备方法-CN01113646.4无效
-
巴龙;雷威;王保平
-
东南大学
-
2001-05-28
-
2001-11-21
-
H01J9/02
- 硅基片上有序纳米碳管阵列的制备方法是一种场致发射阴极的制备方法,属于平板显示器件制造的技术领域,其制备方法如下(1)基片上沉积厚度为5微米到50微米的铝膜;(2)用电化学反应中的阳极氧化法得到孔径在10～100纳米可调、孔排列有序的纳米孔阵列;(3)减薄纳米孔底部与硅基片的由于氧化形成的氧化铝绝缘层的厚度,使其贯通,并保持剩余铝层完整,电解硫酸亚铁溶液得到沉积在孔洞底部的铁催化剂颗粒或纳米线;(4)用碳源气体和稀释气体在纳米孔内裂解,形成长度、直径可调的,与硅基片接触良好的多壁纳米碳管阵列;(5)将反应产物用碱溶液处理,得到纳米碳管阵列。
- 硅基片上有序纳米阵列制备方法
|
