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- [发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN200580032508.9有效
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李昔宪
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LG伊诺特有限公司
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2005-08-19
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2007-08-29
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H01L33/00
- 氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二氮化物半导体层。另一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。再一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，和形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。
- 氮化物半导体发光器件及其制造方法
- [发明专利]场效应晶体管-CN200980148577.4无效
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按田义治;石田秀俊;上田哲三
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松下电器产业株式会社
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2009-11-12
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2011-11-09
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H01L21/338
- 本发明的目的在于提供低导通电阻的FET，本发明的FET包括：第一氮化物半导体层(103)；第二氮化物半导体层(104)，第二氮化物半导体层(104)被形成在第一氮化物半导体层(103)上，第二氮化物半导体层(104)的带隙能比第一氮化物半导体层(103)大；第三氮化物半导体层(105)，第三氮化物半导体层(105)被形成在第二氮化物半导体层(104)上；以及第四氮化物半导体层(106)，第四氮化物半导体层(106)被形成在第三氮化物半导体层(105)上，第四氮化物半导体层(106)的带隙能比第三氮化物半导体层(105)大，在第一氮化物半导体层(103)和第二氮化物半导体层(104)的异质结界面形成有沟道
- 场效应晶体管
- [发明专利]半导体结构-CN202111512288.7在审
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陈柏安
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新唐科技股份有限公司
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2021-12-07
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2023-02-17
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H01L29/778
- 一种半导体结构，该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及栅极电极。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层依序堆叠于基板之上。源极电极以及漏极电极设置于第一氮化物半导体层之上。第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层、第三氮化物半导体层以及栅极电极依序堆叠于第二氮化物半导体层的顶面且位于源极电极以及漏极电极之间。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层具有P型掺杂。
- 半导体结构
- [发明专利]半导体器件-CN202110123134.2有效
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郝荣晖;黄敬源
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英诺赛科（苏州）半导体有限公司
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2020-10-14
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2022-02-15
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H01L29/778
- 半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一p型掺杂氮化物半导体层、栅极结构、源极、漏极以及第二p型掺杂氮化物半导体层。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层与栅极结构之间。源极以及漏极设置于第二氮化物半导体层上。第二p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层上，其中漏极至第二氮化物半导体层的顶面的高度大于第二p型掺杂氮化物半导体层至第二氮化物半导体层的顶面的高度，且至少一部分的第二p型掺杂氮化物半导体层于第二氮化物半导体层的垂直投影落在漏极于第二氮化物半导体层的垂直投影内
- 半导体器件
- [发明专利]氮化物半导体器件-CN200910004817.5有效
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尹皙胡;朴基镐;孙重坤
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三星电机株式会社
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2009-01-19
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2010-06-16
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H01L33/00
- 本发明提供了一种氮化物半导体器件。根据本发明一方面的氮化物半导体器件可包括：n型氮化物半导体层；p型氮化物半导体层；活性层，设置在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间，并具有彼此交替地堆叠的量子肼层和量子垒层；电子阻挡层，设置在活性层和p型氮化物半导体层之间，并具有多个第一氮化物层和多个第二氮化物层，第一氮化物层由带隙能比量子垒层的带隙能高的材料形成，第二氮化物层由带隙能比第一氮化物层低的材料形成，第一和第二氮化物层彼此交替地堆叠，以形成堆叠结构，其中，多个第一氮化物层具有以预定倾斜度弯曲的能级，越接近p型氮化物半导体层，第一氮化物层的能级倾斜度越小。
- 氮化物半导体器件
- [发明专利]半导体装置-CN201610064455.9在审
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吉冈启;洪洪;矶部康裕
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株式会社东芝
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2016-01-29
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2017-03-22
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H01L29/778
- 根据实施方式，半导体装置具备第一氮化物半导体层与第二氮化物半导体层交替积层而成的第一积层型氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、漏极电极、源极电极、及栅极电极。第一氮化物半导体层包含含有碳的氮化镓。第二氮化物半导体层包含氮化铝铟。第三氮化物半导体层设置在第一积层型氮化物半导体层之上，且包含氮化镓。第四氮化物半导体层设置在第三氮化物半导体层之上，且包含氮化铝镓。漏极电极与源极电极设置在第四氮化物半导体层之上。栅极电极隔在漏极电极与源极电极之间。
- 半导体装置
- [实用新型]一种具有高可靠性的氮化物器件-CN202021997202.5有效
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刘扬;何亮
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中山大学
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2020-09-14
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2021-05-11
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H01L29/778
- 本实用新型涉及一种具有高可靠性的氮化物器件。包括衬底、生长在衬底上的半导体外延层、栅极、源极以及漏极；外延层自下至上依次包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层、p型氮化物层、二次外延氮化物势垒层和二次外延绝缘介质层；p型氮化物层仅保留在栅极区域一次外延氮化物势垒层之上；二次外延氮化物势垒层生长过程无掩膜；二次外延氮化物势垒层和二次外延绝缘介质层位于一次外延氮化物势垒层和栅极区域的p型氮化物层之上；栅极形成含二次外延绝缘介质层、二次外延氮化物势垒层、p型氮化物层和一次外延氮化物势垒层的堆叠结构。
- 一种具有可靠性氮化物器件
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