“硅场限环”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1909447个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体功率器件的终端结构及其制造方法-CN201510845704.3在审
发明人：高文玉;孙娜;陈智勇 -专利权人：宁波达新半导体有限公司;上海达新半导体有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件的终端结构，包括多个P型场限环；介质隔离条将P型场限环之间的N型半导体材料表面完全覆盖；SIPOS层覆盖在各P型场限环的表面上并延伸到介质隔离条表面上；在SIPOS层表面覆盖有介质保护层SIPOS层和P型场限环直接接触，SIPOS层和N型半导体材料间隔有所述介质隔离条，本发明通过介质隔离条来减少SIPOS层和底部半导体材料接触的面积从而减少漏电，通过SIPOS层和P型场限环直接接触来提高耐压一致性
半导体功率器件终端结构及其制造方法

[发明专利]一种具有沟槽场限环结构的碳化硅器件及其制备方法-CN202310433701.3在审
发明人：王洪;司张旭;胡晓龙 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有沟槽场限环结构的碳化硅器件及其制备方法.所述沟槽场限环结构的碳化硅器件包括漏电极、N型掺杂衬底层、N型外延层、P型离子注入区和P型基区，其中，P型基区上设置有P型源区和N型源区，N型外延层设置有多个沟槽结构；在N型外延层外围终端区域设置有数个P型场限环，这些场限环位于沟槽区域处。本发明相对于传统碳化硅场限环而言，可以有效的改善SiC功率器件结边缘电场集中现象，有效的提高了击穿电压与终端效率。
一种具有沟槽场限环结构碳化硅器件及其制备方法

[发明专利]一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法-CN202111416691.X在审
发明人：杜蕾;喻双柏;和巍巍;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：包括，元胞区和元胞区外围的终端区，终端区和元胞区包括共同的衬底和沿衬底一侧延伸的外延层，在元胞区中，外延层远离衬底的一侧设置有主结区，主结区设置于外延层的表面，在终端区中，外延层远离衬底的一侧设置有多组场限环，多组场限环与外延层的表面间隔设置，且在所述终端区的最外围设置有截止环，多组场限环依次间隔排列于主结区和截止环之间。本发明制备一种具有体内多段场限环的终端结构，将场限环从器件表面转移到器件体内，可以达到将电场从表面移动到体内，从而避免受到表面电荷的影响，实现电压的稳定特别是实现更理想的绝缘栅双极型晶体管的可靠性。
一种功率半导体器件场限环终端结构制备方法

[发明专利]一种耐高温平面结构型超高压二极管芯片-CN201210437350.5有效
发明人：裘立强;汪良恩;谢盛达;葛宜威 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述芯片本体呈薄片状，芯片本体上部设有主结和顶面电极，芯片本体下部设有衬底和底面电极，在所述主结外圈还设有3-5圈场限环；在最外圈场限环的外部还设有一圈截止环；所述至少两圈场限环的顶面高度与所述主结顶面高度一致，所述至少两圈场限环的深度与所述主结的深度一致；所述截止环的顶面高度与所述主结的顶面高度一致；各所述场限环的宽度不等。
一种耐高温平面结构超高压二极管芯片

[发明专利]半导体器件的横向变掺杂结终端结构及其制造方法-CN201510716907.2有效
发明人：李学会 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的横向变掺杂结终端结构的制造方法，包括步骤：提供第一导电类型的衬底；在衬底表面形成场限环离子注入的掩膜，露出位于主结和截止环之间的多个场限环离子注入窗口；各个注入窗口的宽度和间距沿截止环指向主结的方向逐渐增大；通过所述掩膜进行场限环离子注入，注入第二导电类型的离子；进行热扩散，使通过掩膜注入的离子形成场限环。本发明将VLD终端结构离子注入浓度线性变化、终端技术效率高的优点和场限环承担耐压的优点很好地结合在一起，解决了常规VLD设计中耐压过于集中的问题，使耐压分布均匀，Idss有较大的减小，从而能制造出低成本
半导体器件横向掺杂终端结构及其制造方法

[发明专利]一种功率器件终端结构及其制备方法-CN201810966199.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市南硕明泰科技有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件终端结构及其制备方法，所述终端结构包括：主结区域和场限环耐压区，在主结区域的主结增加一个主结补偿注入区，在场限环耐压区的场限环增加偏移结，并且主结和场限环采用分次驱入形成，通过在主结位置引入补偿注入区，可以对主结浓度进行极大的补偿，实现更高的耐压及更高的可靠性，在单个场限环内引入P+偏移结，进一步提升器件耐压，同时，将补偿注入区与环区第二次驱入同时驱入，实现阶梯状的主结形貌，可以更好的对有源区扩展过来的耗尽层进行扩展
主结场限环终端结构注入区功率器件耐压区偏移结耐压制备形貌提升器件耗尽层阶梯状引入环区源区

[发明专利]一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片及其生产工艺-CN201610021877.8有效
发明人：孙澜;刘韵吉;杨敏红;单慧 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、终端结构和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从右向左依次为芯片、N+截止环、终端结构和P+阳极。采用偏置金属场板场限环和浮动场限环的复合终端结构，在远离P+阳极区域采用偏置金属场板场限环，短路了芯片表面电荷，解决了高压快恢复二极管在HTRB老化中耐压衰减失效问题，在靠近P+阳极区域采用浮动场限环，避免引入多晶场板，从而节省了芯片制造成本。
快恢复二极管芯片场限环芯片阳极金属场板阳极区域终端结构截止环偏置生产工艺浮动快恢复二极管半导体芯片二极管多晶场板复合终端击穿电压开关损耗失效问题芯片表面芯片制造电荷低成本漏电流短路耐压衰减老化引入

[实用新型]一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片-CN201620032556.3有效
发明人：孙澜;刘韵吉;杨敏红;单慧 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：一种高HTRB的高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、终端结构和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从右向左依次为芯片、N+截止环、终端结构和P+阳极。采用偏置金属场板场限环和浮动场限环的复合终端结构，在远离P+阳极区域采用偏置金属场板场限环，短路了芯片表面电荷，解决了高压快恢复二极管在HTRB老化中耐压衰减失效问题，在靠近P+阳极区域采用浮动场限环，避免引入多晶场板，从而节省了芯片制造成本。
一种 htrb 高压恢复二极管芯片

[发明专利]一种具有终端保护结构的IGBT芯片及其制造方法-CN201210513798.0有效
发明人：赵哿;高明超;刘江;金锐 -专利权人：国网智能电网研究院;国家电网公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子领域的功率器件及其制造方法，具体涉及一种具有终端保护结构的IGBT芯片及其制造方法，终端保护结构包括P型连续场限环结构和多级场板结构；将所述P型连续场限环结构与多级场板结构通过接触孔电极互连结构和金属电极互连结构进行等电位连接制造方法包括下述步骤：（一）制作IGBT芯片P型连续场限环结构；（二）制作IGBT芯片场氧化膜结构；（三）制作IGBT芯片栅极结构和多级场板部分结构；（四）制作IGBT芯片有源区结构和P型连续场限环的延伸结构
一种具有终端保护结构 igbt 芯片及其制造方法

[实用新型]一种具有终端保护结构的IGBT芯片-CN201220657945.7有效
发明人：赵哿;高明超;刘江;金锐 -专利权人：国网智能电网研究院;国家电网公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及电力电子领域的功率器件，具体涉及一种具有终端保护结构的IGBT芯片，终端保护结构包括P型连续场限环结构和多级场板结构；将所述P型连续场限环结构与多级场板结构通过接触孔电极互连结构和金属电极互连结构进行等电位连接IGBT芯片制造方法包括下述步骤：（一）制作IGBT芯片P型连续场限环结构；（二）制作IGBT芯片场氧化膜结构；（三）制作IGBT 芯片栅极结构和多级场板部分结构；（四）制作IGBT芯片有源区结构和P型连续场限环的延伸结构
一种具有终端保护结构 igbt 芯片

[发明专利]场限环结构的制备方法及系统-CN202111050598.1在审
发明人：车鑫川;张洁;刘东栋 -专利权人：上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种场限环结构的制备方法及系统，所述制备方法包括：预设环推进信息表，环推进信息表存储有制备场限环结构的高温炉管的环推进信息与应用场景的映射表，环推进信息包括环推进温度和环推进时长，应用场景包括应用设备和应用环境；获取当前场限环结构的当前应用场景；根据环推进信息表获取与当前应用场景对应的当前环推进信息；在当前场限环结构的环推进阶段基于当前环推进信息进行制备。本发明通过改变场限环结构的炉管推进的时间及温度，进一步实现有效增加终端柱状结的曲率半径，减少电场集中，使得原本器件击穿电压降低的问题得到解决，最终达到在不增加器件功耗的基础上提高了器件的击穿电压性能。
场限环结构制备方法系统

[发明专利]一种缩小版场效应管的制造方法-CN201410427093.6有效
发明人：于波;董彬 -专利权人：天津中环半导体股份有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法首先在N型硅外延片上制作场限环、终端扩展及主结过渡区结构，然后制作出N型截止环及多晶结构，再制作出接触孔和正面金属结构电极，最后制作出背面金属结构。通过采用场限环和终端扩展技术，经优化的尺寸结构、注入剂量及能量、推进温度及时间，成功制造出缩小版场效应管。在保证原有芯片性能的前提下，较原有采用电阻场板技术的场效应管芯片面积缩小了17.8%，以6寸硅片计算，单片硅片所制作出的芯片数由1070支增加到1257支，芯片数量增加17.47%，大大降低了单位芯片的成本
一种缩小场效应制造方法

[发明专利]功率器件终端结构及其形成方法-CN201911204755.2在审
发明人：汪旭东;王聪;宋飞;梁昕;王珏;陈政 -专利权人：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述形成方法包括：在有源区外的至少一个环形区域内注入氧离子，并对所述半导体衬底进行第一退火工艺制程，形成氧化硅隔离区；在所述有源区外的至少两个环形区域内注入掺杂离子，并对所述半导体衬底进行第二退火工艺制程，形成场限环通过上述方法形成的功率器件终端结构，包括间隔设置的氧化硅隔离区和场限环，相邻的两个场限环之间设有一个所述氧化硅隔离区，该功率器件终端结构通过扩宽耗尽区的方法改善了器件终端的电场分布，提高器件耐压能力；而且氧化硅隔离区不仅可以防止场限环向有源区扩散，还可以防止相邻的场限环之间的互扩散，从而形成了具有更优的隔离性能的功率器件终端结构。
场限环功率器件终端结构隔离区氧化硅源区环形区域退火工艺衬底制程半导体注入氧离子扩散掺杂离子电场分布隔离性能间隔设置耐压能力耗尽区扩宽终端

[发明专利]复合终端结构及其制备方法-CN202110695000.8有效
发明人：李伟聪;林泳浩;姜春亮;王雯沁 -专利权人：珠海市浩辰半导体有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请公开一种复合终端结构及其制备方法，该复合终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P‑型半导体VLD区的一侧面与P型半导体场限环的部分另一侧面共面，N+型半导体场限环的另一侧面与所述N‑型半导体漂移区的另一侧面齐平；P‑型半导体VLD区中的掺杂离子的浓度小于P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度；一个或间隔的多个第一场板，自P‑型半导体VLD区的上表面向外延伸，第一场板覆盖绝缘介质层的部分上表面并填充接触孔。
复合终端结构及其制备方法

[发明专利]一种电力电子半导体芯片的终端结构-CN201410614283.9在审
发明人：张世勇;王思亮;胡强 -专利权人：中国东方电气集团有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为一种电力电子半导体芯片的终端结构，包括多个横向并排排列的电力电子半导体芯片的终端单元结构，电力电子半导体芯片的终端单元结构包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型场限环，第一导电类型衬底的第一主平面上，设有第一绝缘层；第一绝缘层上、且位于第二导电类型场限环的两侧各设有一块场板；本申请的终端单元结构设计新颖，现有技术中没有出现过类似结构，且其制造工艺简单，本申请着重于场板的结构改进，本申请设计的场板与第二导电类型场限环是相连的，截止场板能够压缩电场，延伸场板可以延伸电场，从而使电场从新分布，同样实现了减小场限环电场的效果。
一种电力电子半导体芯片终端结构