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[实用新型]一种终端结构以及功率器件-CN202220207437.2有效
发明人：袁俊 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种终端结构以及功率器件，包括：第一外延层；位于第一外延层一侧的掩埋层；贯穿掩埋层的第一掺杂区，第一掺杂区与掩埋层的掺杂类型相反；位于掩埋层背离第一外延层一侧的第二外延层，第二外延层内具有主结扩展区以及场限环；位于第二外延层背离所述掩埋层一侧的氧化层；其中，第二外延层和第一外延层均与掩埋层的掺杂类型相反；在第一方向上，场限环位于主结扩展区与第一掺杂区之间，第一方向垂直于第一外延层指向第二外延层的方向。
一种终端结构以及功率器件

[实用新型]一种减小器件漏电的高压IGBT器件终端-CN201621232479.2有效
发明人：徐承福;白玉明;张海涛 -专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及高压IGBT器件终端技术领域，尤其是一种减小器件漏电的高压IGBT器件终端，包括n‑漂移区、第一p环注入基区、第二p环注入基区、终端截止环、第一终端金属场板、第二终端金属场板、二氧化硅绝缘层和第三终端金属场板本实用新型的减小器件漏电的高压IGBT器件终端通过在第三终端金属长板下面引入多晶硅场板和栅氧层，让第三金属场板不直接和二氧化硅绝缘层接触，通过优化复合中心的第三终端金属场板结构，提高器件的可靠性，减小器件的漏电流
一种减小器件漏电高压 igbt 终端

[实用新型]一种空调用过滤装置-CN202020530218.9有效
发明人：孙金玲;张芳羽;张书国 -专利权人：孙金玲
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： F24F13/28 文献下载
摘要：本实用新型属于过滤装置技术领域，尤其为一种空调用过滤装置，包括框架，所述框架的表面设置有第一限压环，所述第一限压环的表面设置有第二限压环，所述框架和第一限压环之间以及第一限压环和第二限压环之间均设置有滤网，所述框架、第一限压环和第二限压环的表面均安装有支撑钢条，所述支撑钢条与滤网接触，所述第一限压环和第二限压环的表面一体成型有限位凸起；通过框架侧表面设置的第一限压环和第二限压环，同时第一限压环和第二限压环通过螺杆与框架固定连接，且两个滤网分别安装在框架和第一限压环之间以及第一限压环和第二限压环之间，同时滤网的边缘通过限位凸起和限位凹槽定位，滤网的中部通过支撑钢条进行支撑。
一种调用过滤装置

[发明专利]半导体器件、半导体器件的制造方法及电子设备-CN202310382963.1在审
发明人：左义忠;刘维;杨彦刚;高宏伟 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件、半导体器件的制造方法及电子设备，通过将沟槽中的第一场板多晶硅设置呈多个层叠设置的L形结构，并通过分压环金属连接同一层的第一场板多晶硅形成分压级联沟槽场板结构。如此，通过增加单位沟槽深度中的分压级联场板数量，可以使漂移区中的电场分布更接近矩形分布，实现更高的耐压效率，从而实现增加有源区漂移区的面积，降低漂移区的电阻率，提高器件的电流密度。
半导体器件制造方法电子设备

[发明专利]半导体高压终端结构及其制造方法-CN200810203922.7有效
发明人：龚大卫;邵凯 -专利权人：上海芯能电子科技有限公司
申请日： 2008-12-03 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体高压终端结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：首先提供硅基板，于该硅基板上形成场氧化层，并在场氧化层上层引入易腐蚀层；利用光刻掩膜版定义高压终端结构区；然后利用湿法腐蚀场氧化层，形成具斜角的斜坡氧化层；利用斜坡氧化层作为自对准掩膜进行离子注入，引入横向扩散的初始杂质；最后在斜坡氧化层的起始端形成具有渐变横向掺杂梯度的高压保护环；在斜坡氧化层上淀积高掺杂多晶硅或金属形成斜坡场板。该半导体高压终端结构包括硅基板、设置在硅基板上的斜坡氧化层、利用该斜坡氧化层作为自对准掩膜注入的渐变横向掺杂梯度的高压保护环，以及淀积在斜坡氧化层上的高掺杂多晶硅或金属斜坡场板。
半导体高压终端结构及其制造方法

[发明专利]一种基于带限变形傅里叶网络的无监督医学图像配准方法-CN202310062802.4有效
发明人：邱兆文;贾曦;端金鸣;肖辛 -专利权人：东北林业大学
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06T7/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于带限变形傅里叶网络的无监督医学图像配准方法，属于医学图像处理技术领域，为解决目前基于自编码器结构的配准模型中存在的冗余的模块所带来的配准速度不够快，同时无法达到较高精度的问题。本发明基于带限变形傅里叶网络的无监督网络模型包括编码器模块、解码器模块和Warping模块；可将浮动图像和固定图像编码为带限傅里叶域中的形变场的低维特征图；再将其从带限傅里叶域重构到全分辨率空间域上生成形变场；最后，将浮动图像和形变场输入空间变换网络中，得到配准图像；通过计算配准图像与固定图像之间的相似性损失以及形变场的正则化平滑损失，训练网络模型。
一种基于变形傅里叶网络监督医学图像方法

[发明专利]一种MOS控制晶闸管的制造方法-CN202011157039.6有效
发明人：王彩琳;苏乐;杨武华;杨晶 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS控制晶闸管的制造方法，步骤包括：1)在衬底外延形成n‑漂移区；2)在有源区形成n区；3)形成栅氧化层；4)淀积多晶硅层并进行磷掺杂；5)形成p基区和终端p型场限环；6)形成n+阴极区；7)形成n体区和终端n型截止环；8)形成p++源区；9)表面平坦化；10)
一种 mos 控制晶闸管制造方法

[发明专利]硅波导增强片上太赫兹振动吸收光谱的器件及方法-CN202210775310.5在审
发明人：金金燕;郭世辉;严德贤;李向军 -专利权人：浙江中环检测科技股份有限公司;中国计量大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01P3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅波导增强片上太赫兹振动吸收光谱的器件及方法。该器件从上至下依次是硅波导、苯丙环丁烯介质层和石英衬底，硅波导上开设有贯通至苯丙环丁烯介质层表面的太赫兹入射通道、太赫兹出射通道以及样品承载区；样品承载区位于硅波导的中心，太赫兹入射通道和太赫兹出射通道分别连接在样品承载区的两侧；双锥形长波导沿太赫兹入射通道、样品承载区、太赫兹出射通道平铺于苯丙环丁烯介质层表面。本发明利用通道波导、中间样品承载区域以及锥形长波导增强周围的局域光场，当分析物处于通道和样品承载区时，增强的光场充分与待测物相互作用，能够显著提高太赫兹吸收光谱强度，该方法具有对太赫兹吸收光谱的适用性。
波导增强片上太赫兹振动吸收光谱器件方法

[实用新型]一种硅波导增强片上太赫兹振动吸收光谱的器件-CN202221711019.3有效
发明人：金金燕;郭世辉;严德贤;李向军 -专利权人：浙江中环检测科技股份有限公司;中国计量大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01P3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅波导增强片上太赫兹振动吸收光谱的器件。该器件从上至下依次是硅波导、苯丙环丁烯介质层和石英衬底，硅波导上开设有贯通至苯丙环丁烯介质层表面的太赫兹入射通道、太赫兹出射通道以及样品承载区；样品承载区位于硅波导的中心，太赫兹入射通道和太赫兹出射通道分别连接在样品承载区的两侧；双锥形长波导沿太赫兹入射通道、样品承载区、太赫兹出射通道平铺于苯丙环丁烯介质层表面。本实用新型利用通道波导、中间样品承载区域以及锥形长波导增强周围的局域光场，当分析物处于通道和样品承载区时，增强的光场充分与待测物相互作用，能够显著提高太赫兹吸收光谱强度，该方法具有对太赫兹吸收光谱的适用性
一种波导增强片上太赫兹振动吸收光谱器件

[发明专利]功率半导体器件终端及制造方法-CN202211122924.X在审
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：超结MOS器件包括：形成在半导体衬底上的有源区和终端区，有源区和终端区内均设置有相互交替的N柱和P柱，终端区表面设置有场氧化层，场氧化层的上方设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板，多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，每段金属微场板与对应的一段多晶硅微场板通过接触孔相连，形成多级阶梯场板；N柱与下一级P柱相接面位于任意两段多晶硅微场板之间间隔区域的下方，所述P柱与下一级N柱相接面位于任一多晶硅微场板的下方。
功率半导体器件终端制造方法

[发明专利]一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器-CN201210091687.5无效
发明人：董树荣;曾杰;吴健;钟雷;韩雁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器，包括：P衬底层；P衬底层上设有并排相连的N阱和P阱；N阱上嵌有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P阱上嵌有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区
一种基于场限环可控硅结构瞬态电压抑制器

[实用新型]硼硅太阳电池-CN202123142692.8有效
发明人：眭山;郑清吉;戴睿哲;芮亚豪;吴星;周文波 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硼硅太阳电池。该硼硅太阳电池包括硅基底、发射极层、正电极层、背电极层、铝背场层以及硼硅背场层；硅基底具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，发射极层位于第一表面，正电极层位于发射极层远离硅基底的表面；铝背场层位于第二表面，硼硅背场层自第二表面渗入硅基底，背电极层设于硼硅背场层远离硅基底的表面。在该硼硅太阳电池中，主要通过硼硅背场层的设置能够有效减少少子的复合，另外，背电极层设于硼硅背场层远离硅基底的表面，通过硼硅背场层和背电极层导出电流，可以是电子流出路径变短，串阻降低，这样可以进一步优化背电极处的电流收集
太阳电池

[实用新型]工具用断电延时电子开关-CN201621015679.2有效
发明人：韦锦壮 -专利权人：江苏金鼎电器有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H03K17/965 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种工具用断电延时电子开关，电子开关的电路包括输入和输出两部分，设置在输入和输出电路上的部件包括启动按钮、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、限压二极管、二极管、第一场效应管、第二场效应管和第三场效应管；第一电阻和限压二极管构成限流限压保护电路；第二电容、第三电阻和第四电阻构成延时电路；第二电阻、第一电容和第三场效应管构成泄放电电路。
工具断电延时电子开关

[实用新型]大厚度氧化层场板结构-CN201020613969.3有效
发明人：沈华 -专利权人：嘉兴斯达半导体有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种大厚度氧化层场板结构，它包括硅基板、嵌入硅基板的大厚度场氧化层、大厚度场氧化层与器件有源区间的掺杂保护环，以及淀积在大厚度场氧化层上的高掺杂多晶硅或金属场板；所述的场氧化层为二氧化硅层，氧化层厚度介于
厚度氧化板结

[实用新型]一种便于清洗的保温反应釜-CN202221663328.8有效
发明人：余邦豪;关紫焰;叶俊;程捷;贺一朴;吴飞 -专利权人：湖北华丹医药科技股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型属于反应釜技术领域，公开了一种便于清洗的保温反应釜，包括釜体，所述釜体的下方固定连接有支撑腿，所述釜体的上方固定连接有下法兰，所述釜体的内部插接有储料斗、右限料环、左限料环和出料管，所述右限料环和左限料环铰接在储料斗上方，且右限料环和左限料环相贴合，所述出料管贯穿连接在储料斗的下方内部，便于更好的将储料斗、右限料环、左限料环和出料管插接在釜体的内部，使得储料斗、右限料环、左限料环和出料管可从釜体的内部进行更好的取出，同时右限料环和左限料环可进行打开，此时可对储料斗、右限料环和左限料环内壁残留的尘垢进行更好的清洗。
一种便于清洗保温反应