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[发明专利]复合双极板及电化学氢气压缩装置-CN202010552871.X有效
发明人：邹杰鑫;金依琦;文曾银;邢爽;王亚军;李辉;王海江 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01M8/0258 文献下载
摘要：本申请提供了一种复合双极板及电化学氢气压缩装置，复合双极板包括第一金属板、第二金属板和石墨流场板，第二金属板与第一金属板对应设置，石墨流场板设于第一金属板与第二金属板之间，第一金属板的第一板面上凹设有安装石墨流场板的凹槽，石墨流场板的第一板面与凹槽的内底面贴合，石墨流场板的第二板面上设有流道。则在使用时，仅需将雕刻有流道的石墨流场板镶嵌于第一金属板的凹槽中，便可通过第一金属板对石墨流场板提供良好的支撑，可提高石墨流场板的机械强度，防止石墨流场板产生脆裂，降低金属流场板雕刻流道的难度，有效避免金属流场板上的流道容易发生变形，并便于在第一金属板上快速地拆装或更换具有不同流道的石墨流场板。
复合极板电化学氢气压缩装置

[发明专利]一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法-CN202110965645.9有效
发明人：王文樑;李善杰;李国强;邢志恒;吴能滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型源漏场板结构的HEMT器件及制备方法，包括HEMT结构，在HEMT结构的源极及漏极外侧分别设置源极垂直金属场板及漏极垂直金属场板，在源极及漏极平行于HEMT外延片的方向分别设置源极平行金属场板及漏极平行金属场板，且源极及漏极分别与各自的垂直金属场板及平行金属场板连接，垂直金属场板与平行金属场板通过SiN层与外延结构隔离，在源极和漏极之间设置制备T型栅极以提高HEMT器件的频率特性。
一种具有新型源漏场板结 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种燃料电池电堆金属双极板-CN201910263632.X在审
发明人：陈南昌 -专利权人：陈南昌
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01M8/0206 文献下载
摘要：一种燃料电池电堆金属双极板，包括金属阳极流场板和金属阴极流场板，金属阳极流场板和金属阴极流场板都为复合式双层结构，其中较厚的一层采用耐蚀性一般的金属材质制作，其表面与冷却剂空气(水)接触，较薄的一层采用高耐蚀的金属材质制作，其表面与阴极流场与阳极流场相接触；由复合式双层的金属阳极流场板与金属阴极流场板构成的金属双极板具有结构刚度高，耐蚀性佳，导电性与导热性能好，制成的燃料电池能够长期可靠地工作运行。
一种燃料电池金属极板

[发明专利]采用金属截止场板的半导体器件终端单元结构及制造方法-CN201410614914.7在审
发明人：张世勇;胡强;王思亮 -专利权人：中国东方电气集团有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，具体为采用金属截止场板的半导体器件终端单元结构及制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型场限环，第一导电类型衬底的第一主平面上，设有第一绝缘层；两块场板位于第一绝缘层的上面、且覆盖在第二导电类型场限环的两侧，场板包括金属截止场板和金属延伸场板，金属场板的一端与金属截止场板不接触，其另一端与金属延伸场板不接触。金属截止场板能够压缩电场，金属延伸场板可以延伸电场，从而使电场从新分布，同样实现了减小场限环电场的效果。采用金属充当场板，能够防止第一绝缘层过薄所带来的绝缘层击穿的情况，这样就可以增加场版占终端的面积比例，最大限度的防止污染。
采用金属截止半导体器件终端单元结构制造方法

[发明专利]一种用于半导体功率器件的终端-CN201810873584.1在审
发明人：缪志平 -专利权人：盛廷微电子（深圳）有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种用于半导体功率器件的终端，该用于半导体功率器件的终端包括：集电极、基区、多个场限环以及多个与所述场限环对应的场板组，所述场板组包括相互电性连接的第一多晶硅场板和金属场板，所述第一多晶硅场板、所述金属场板依次位于所述场限环的上方，所述第一多晶硅场板和所述金属场板均与所述场限环电性连接，所述金属场板覆盖所述第一多晶硅场板。
半导体功率器件多晶硅场板金属场板场限环终端电性连接场板电场尖峰场板边缘击穿电压集电极基区减小覆盖

[发明专利]横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法-CN202211124222.5有效
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊;杨毓龙 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连
横向器件绝缘双极晶体管制造方法

[发明专利]一种场效应管、其制备方法及电子电路-CN202111001372.2在审
发明人：易洪昇;杨钢宜;黄惠东;王汉星 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种场效应管、其制备方法及电子电路，场效应管包括：在衬底上依次层叠的沟道层、控制栅极、钝化层、栅金属层、层间介质层、源漏金属层；其中，栅金属层包括间隔设置的金属栅极和台阶，源漏金属层包括源极、漏极以及与源极电连接的场板，场板从源极向漏极一侧延伸且与漏极断开设置，场板具体包括在衬底上的正投影位于金属栅极与漏极之间的一阶场板和二阶场板，二阶场板为覆盖台阶的部分，一阶场板为除了二阶场板之外的部分通过在栅金属层中形成金属栅极图案的同时增加形成台阶的图案，使源漏金属层覆盖台阶的部分被垫高形成二阶场板，这样整个场板的加工只需要通过一次构图工艺，减少了场板制备工艺的复杂度和工业成本。
一种场效应制备方法电子电路

[实用新型]横向高压半导体器件及其多阶场板-CN201320598229.0有效
发明人：潘光燃;石金成;高振杰;文燕;王焜 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实用新型提供了一种横向高压半导体器件及其多阶场板。所述多阶场板包括设置于栅氧化层上的第一部和设置于场氧化层上的第二部；所述多阶场板还包括至少一个金属场板；所述至少一个金属场板设置于所述第二部上；所述第二部和与其相邻的金属场板之间设置有绝缘介质层并通过接触孔连接；所述第二部的靠近漏极的一端与所述漏极的距离大于所述第一金属场板的靠近漏极的一端与所述漏极的距离。两相邻的金属场板之间设置有绝缘介质层并通过接触孔连接；所述金属场板的靠近所述漏极的一端与所述漏极的距离大于在该金属场板上方并与该金属场板相邻的金属场板的靠近所述漏极的一端与所述漏极的距离。
横向高压半导体器件及其多阶场板

[实用新型]一种用于半导体功率器件的终端-CN201821240990.6有效
发明人：缪志平 -专利权人：盛廷微电子（深圳）有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于半导体功率器件的终端，该用于半导体功率器件的终端包括：集电极、基区、多个场限环以及多个与所述场限环对应的场板组，所述场板组包括相互电性连接的第一多晶硅场板和金属场板，所述第一多晶硅场板、所述金属场板依次位于所述场限环的上方，所述第一多晶硅场板和所述金属场板均与所述场限环电性连接，所述金属场板覆盖所述第一多晶硅场板。
半导体功率器件多晶硅场板金属场板场限环终端本实用新型电性连接场板电场尖峰场板边缘击穿电压集电极基区减小覆盖

[发明专利]氮化镓MISHEMT的制作方法以及结构-CN202010265918.4在审
发明人：刘春利 -专利权人：深圳镓华微电子有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓MISHEMT的制作方法，包括：晶圆开槽并在槽内沉积金属得到源极金属、漏极金属以及栅门金属；表面沉积第一绝缘介质层；将第一绝缘介质层开口以打开源极金属以及漏极金属，并在开口内形成第一链接金属；表面沉积第一金属层；刻蚀第一金属层得到链接源极金属的第一源极金属场板以及链接漏极金属的第一漏极金属场板；表面沉积第二绝缘介质层；将第二绝缘介质层开口以分别打开第一源极金属场板以及第一漏极金属场板，并在开口内形成第二链接金属；表面沉积第二金属层；刻蚀第二金属层得到链接第一源极金属场板的第二源极金属场板以及链接第一漏极金属场板的第二漏极金属场板；表面沉积钝化层。
氮化 mishemt 制作方法以及结构

[实用新型]氮化镓MISHEMT结构-CN202020496854.4有效
发明人：刘春利 -专利权人：深圳镓华微电子有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓MISHEMT结构，包括晶圆，晶圆形成有源极金属、漏极金属以及栅门金属，在源极金属、漏极金属以及栅门金属上方覆盖有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层于源极金属以及漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第一链接金属，第一链接金属上方覆盖有第一源极金属场板以及第一漏极金属场板，第二绝缘介质层覆盖第一源极金属场板、第一漏极金属场板以及露出的第一绝缘介质层，第二绝缘介质层于源极金属以及漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第二链接金属，第二链接金属表面覆盖有第二源极金属场板以及第二漏极金属场板，在第二源极金属场板和第二漏极金属场板表面覆盖有钝化层，能够有效提高器件抗压性能。
氮化 mishemt 结构

[发明专利]LDMOSFET器件及其制造方法-CN201910686718.3在审
发明人：许昭昭 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOSFET器件，包括：在漂移区的选定区域中形成有漂移区场氧；多晶硅栅的第二侧延伸到漂移区场氧的表面上并组成第一场板，第一场板底部的漂移区场氧组成第一场板介质层；在多晶硅栅的第二侧到漂移区场氧的第二侧之间形成有第二场板介质层和第二场板，第二场板介质层由漂移区场氧和顶部金属硅化物阻挡介质层叠加而成，第二场板由形成于金属硅化物阻挡介质层表面上的金属硅化物组成，第二场板的金属硅化物由第一多晶硅层经过金属硅化反应形成；第一和第二场板通过正面金属层连接在一起且都连接到由正面金属层组成的栅极
场板漂移区场氧金属硅化物介质层正面金属层多晶硅栅阻挡介质多晶硅层金属硅化选定区域优化器件制造延伸

[发明专利]一种微型燃料电池流场板的制作工艺-CN201010010086.8无效
发明人：刘冲;李苗苗;梁军生;王大志;孙焕丽;吕志平 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明一种微型燃料电池流场板的制作工艺属于燃料电池领域，特别涉及一种燃料电池流场板的制作方法。该制作工艺步骤为：首先采用热压技术以具有燃料电池流场结构的金属模具为热压母板制作聚合物流场板，其次制作与聚合物流场板结构相匹配的金属板作为集电层或直接以金属网作为集电层，最后将集电层与聚合物流场板密封完成燃料电池流场板的制作此工艺也可先将聚合物流场板与金属板或金属网集电层密封，然后在金属板上制作与聚合物流场板相匹配结构的金属板集电层。本发明通过热压成型的方法，完成流场板的一次性加工。制作的流场板表面粗糙度好，沟道尺寸精度高，重量轻。本发明提供了一种微小尺寸沟道流场板的批量化生产方法。
一种微型燃料电池流场板制作工艺

[发明专利]一种具有金属场板的共聚物有机半导体功率器件-CN202310369621.6在审
发明人：沈希舟;梁宇翔;胡晨晨;潘柯宇;崔竞榆;朱越;张珺;姚佳飞;陈静;郭宇锋 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10K10/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有金属场板的共聚物有机半导体功率器件，包括器件本体和金属场板；器件本体包括从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极金属电极；有机半导体层中埋置有源极金属电极和漏极金属电极；位于栅极金属电极和漏极金属电极之间的有机半导体层形成为横向漂移区，横向漂移区的长度不超过40um；金属场板沉积在横向漂移区正上方的栅极绝缘层表面，金属场板的厚度等于栅极金属电极的厚度；金属场板为三角场板、条状场板和条状阵列场板中的一种，具体根据横向漂移区的长度进行选择。
一种具有金属共聚物有机半导体功率器件

[发明专利]功率半导体器件终端及制造方法-CN202211122924.X在审
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：超结MOS器件包括：形成在半导体衬底上的有源区和终端区，有源区和终端区内均设置有相互交替的N柱和P柱，终端区表面设置有场氧化层，场氧化层的上方设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板，多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，每段金属微场板与对应的一段多晶硅微场板通过接触孔相连，形成多级阶梯场板；N柱与下一级P柱相接面位于任意两段多晶硅微场板之间间隔区域的下方，所述P柱与下一级N柱相接面位于任一多晶硅微场板的下方。
功率半导体器件终端制造方法

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