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[实用新型]一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片-CN202020579112.8有效
发明人：李兵;葛宜威 -专利权人：山东星合明辉电子有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超低漏电流超高浪涌能力的平面型稳压管芯片，它属于稳压管技术领域，包括薄片状的芯片本体，所述芯片本体的上表面设有主结，所述主结的上表面设有顶部电极，所述芯片本体的下表面设有衬底，所述衬底的下表面设有底部电极，环绕所述顶部电极设有腐蚀环，所述腐蚀环的深度不低于所述主结的深度，所述腐蚀环内填充有钝化保护层，环绕所述腐蚀环设有金属放电环，环绕所述金属放电环设有切割槽；本实用新型通过金属放电环，可以有效的控制表面电荷，减少了边缘电场的集中效应，在不同程度上增加了反向击穿时电场和电流的分布均匀性，从而提高了反向耐压值，降低了隧道效应，避免了反向漏电流增加。
一种漏电超高浪涌能力平面稳压芯片

[发明专利]二极管制备方法及二极管-CN202010308038.0在审
发明人：李兵;葛宜威 -专利权人：山东星合明辉电子有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管制备方法及二极管，它属于二极管技术领域，包括以下步骤：在原料的表面涂敷保护层；去除部分保护层，使剩余的保护层在原料的表面形成图形；腐蚀未覆盖保护层的原料的表面，形成若干独立的芯片晶粒；清除芯片晶粒的表面的保护层；在芯片晶粒的表面焊接电极；使用去离子水清洗芯片晶粒，对芯片晶粒的侧面的腐蚀区域上胶，经钝化、固化后，形成成品；本发明中对的原料的浸泡腐蚀在焊接电极工序之前，在焊接电极工序中引入的焊锡、铜电极或镀银电极等重金属材料，在后续的清洗过程中，不会从原子状态，变为游离状态，从而不会在生产过程中出现重金属离子污染，充分的保护了PN结，保证了二极管产品的电参数性能的稳定性。
二极管制备方法

[发明专利]一种喷雾式晶圆附磷工艺-CN201610754888.7在审
发明人：顾延桃;葛宜威;王毅 -专利权人：扬州杰盈汽车芯片有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：一种喷雾式晶圆附磷工艺。提供了一种将液态源雾化的方式在晶圆表面附着磷源，其兼有液态源的低成本性，也有效地改善了常规液态源难以控制磷源在晶圆表面均匀分布的现状，具有显著的实用效应的喷雾式晶圆附磷工艺。包括磷源配制、晶圆附磷、磷源烘干、装舟贮存；其中，磷源配制将磷酸二氢铵、磷酸、无水乙醇、水按照比例配比；磷源喷洒将待喷磷晶圆装入磷源喷洒专用盘，用喷枪将配置好的磷源以雾状的形态均匀喷洒到晶圆表面；磷源烘干；装舟贮存。本发明相比于固、气磷源，每片的物料成本节约相当客观，且对设备需求较低；相比于常见的液态磷源，此法作业效率高，节省较多的人力成本。
一种喷雾式晶圆附磷工艺

[实用新型]扩散舟-CN201620958809.X有效
发明人： 葛宜威;顾延桃;王毅 -专利权人：扬州杰盈汽车芯片有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：扩散舟。涉及扩散舟，尤其涉及半导体晶圆扩散舟。提供了一种结构简单，提高圆晶片压紧可靠性，提高产品加工质量的扩散舟。所述舟体的中间设有容置槽、两端分别设有推拉槽；还包括压紧组件，所述压紧组件包括压块、推杆和定位杆，所述推杆可拆卸连接在压块上，所述压块垂直设在容置槽内，所述推拉槽的端部设有水平通孔和垂直通孔，所述垂直通孔连接水平通孔，所述推杆位于水平通孔内，所述推杆上均布设有若干定位槽，所述定位杆适配地穿过垂直通孔且位于定位槽内。所述压块上设有螺纹孔，所述推杆通过螺纹连接在压块上。本实用新型方便加工，操作简便。
扩散

[实用新型]芯片磨脚器-CN201620963024.1有效
发明人： 葛宜威;王毅 -专利权人：扬州杰盈汽车芯片有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：芯片磨脚器。涉及半导体领域，具体涉及一种雪崩整流二极管的芯片磨脚器。提供了一种结构简单、操作方便、节约资源、不会损坏芯片的芯片磨脚器。所述转子的顶面呈内凹弧形，所述转子设在容纳槽的中间，所述转子下端穿过容纳槽的底部与电机一连接。还包括设在芯片磨脚器上方的芯片夹持器。所述芯片夹持器包括横杆一和设在横杆一末端的吸盘，所述横杆一与电机二连接。所述芯片夹持器包括固定的横杆二和可移动的横杆三，所述横杆二的一端设在轴承中，所述横杆三与电机三连接，所述电机三设在滑轨上。本实用新型结构简单、操作方便并且避免了不必要的资源浪费。
芯片磨脚器

[实用新型]用于晶圆制造圆片清洗的花篮-CN201620970377.4有效
发明人：刘晴晴;葛宜威;王毅 -专利权人：扬州杰盈汽车芯片有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：用于晶圆制造圆片清洗的花篮。涉及清洗工具，尤其涉及用于晶圆制造圆片清洗的花篮。提供了一种结构简单，提高产能，节约时间的用于晶圆制造圆片清洗的花篮。所述立板一和立板二之间设有一对平行且对称设置的撑杆一，一对撑杆一位于立板一的底部两端，所述撑杆一垂直于立板一，所述撑杆一在轴向上均布设有若干插槽一；所述立板一和立板二之间还设有撑杆二，所述撑杆二位于立板一的中间，所述撑杆二平行于撑杆一，所述撑杆二在轴向上均布设有若干插槽二，所述插槽一和插槽二一一对应。所述撑杆二具有一对，一对撑杆二之间的连线垂直于一对撑杆一之间的连线。本实用新型方便加工，节省了成本。
用于制造清洗花篮

[实用新型]用于电泳制程的提篮-CN201620969307.7有效
发明人：刘洋;葛宜威;王毅 -专利权人：扬州杰盈汽车芯片有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：用于电泳制程的提篮。涉及晶圆加工领域，尤其涉及用于电泳制程的提篮。提供了一种结构简单，便于空气流通，方便干燥的用于电泳制程的提篮。所述立板一和立板二之间的底部设有一对对称设置的不锈钢撑杆一，所述撑杆一的内侧面设有若干锯齿槽一，所述锯齿槽一呈三角形，一对撑杆一上对应的锯齿槽一用与放置晶圆，使得相邻晶圆之间的间距为0.5‑1.5cm；所述撑杆一和水平面之间的夹角为30‑60°。还包括不锈钢撑杆二，所述撑杆二位于立板一和立板二之间的上部，所述撑杆二的内侧设有锯齿槽二，所述锯齿槽一与锯齿二一一对应。本实用新型方便加工，节省了成本。
用于电泳提篮

[发明专利]一种应用于半导体的磁力喷墨测试工艺-CN201610741992.2在审
发明人： 葛宜威;崔亮;王毅 -专利权人：扬州杰盈汽车芯片有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种应用于半导体的磁力喷墨测试工艺。提供了一种操作简单，能够高效快速剔除不合格晶粒的应用于半导体的磁力喷墨测试工艺。包括以下步骤：S1、先激光切割晶片呈半切透状，形成若干待分离的晶粒；S2、测试晶粒，区分不合格晶粒；S3、磁性墨水配制；S4、晶片喷墨，对不合格晶粒进行喷墨；S5、烘干，将喷墨后的晶片放置在烘箱内，烘箱温度为80‑100℃，时间为15‑25min；S6、裂片，将待裂晶片放置在两张防静电麦拉纸之间，再通过硬质胶棒滚碾晶片，使其分裂成若干晶粒；S7、磁铁吸附带墨水的不合格晶粒，完成。本发明降低了生产成本，提高了工作效率，成品率高。
一种应用于半导体磁力喷墨测试工艺

[实用新型]用于半导体晶片的双面对线曝光装置-CN201320398334.X有效
发明人： 葛宜威;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用于半导体晶片的双面对线曝光装置。结构简单，能够方便、快速准确实现晶片双面对线。晶片设在上、下掩膜版之间，上掩膜版贴合晶片的顶面设有上铬涂层，下掩膜版贴合晶片的底面设有下铬涂层；双面对线曝光装置包括基座、负压源一、负压源二和调节机构，基座的侧面分别设有气孔一和气孔二，基座的顶面中心设有用于放置下掩膜版的容置槽，基座的底面中心设有连通容置槽的通槽；容置槽的底面设有气路。本实用新型在工作中，实现上掩膜版与基座之间即实现上、下掩膜版之间的精准对线，同时适用范围广。在上、下掩膜版上添加方形和十字架型坐标标识，进一步提高了上、下掩膜版之间的精确对位。本实用新型操作简便、降低了生产成本、可靠性高。
用于半导体晶片双面曝光装置

[发明专利]一种用于半导体晶片的双面对线曝光装置-CN201310279738.1有效
发明人： 葛宜威;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于半导体晶片的双面对线曝光装置。结构简单，能够方便、快速准确实现晶片双面对线。晶片设在上、下掩膜版之间，上掩膜版贴合晶片的顶面设有上铬涂层，下掩膜版贴合晶片的底面设有下铬涂层；双面对线曝光装置包括基座、负压源一、负压源二和调节机构，基座的侧面分别设有气孔一和气孔二，基座的顶面中心设有用于放置下掩膜版的容置槽，基座的底面中心设有连通容置槽的通槽；容置槽的底面设有气路。本发明在工作中，实现上掩膜版与基座之间即实现上、下掩膜版之间的精准对线，同时适用范围广。在上、下掩膜版上添加方形和十字架型坐标标识，进一步提高了上、下掩膜版之间的精确对位。本发明操作简便、降低了生产成本、可靠性高。
一种用于半导体晶片双面曝光装置

[发明专利]一种耐高温平面结构型超高压二极管芯片-CN201210437350.5有效
发明人：裘立强;汪良恩;谢盛达;葛宜威 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种耐高温平面结构型超高压二极管芯片。提供了一种耐温性能高，正反向浪涌能力有较大提升的耐高温平面结构型超高压二极管芯片。所述芯片本体呈薄片状，芯片本体上部设有主结和顶面电极，芯片本体下部设有衬底和底面电极，在所述主结外圈还设有3-5圈场限环；在最外圈场限环的外部还设有一圈截止环；所述至少两圈场限环的顶面高度与所述主结顶面高度一致，所述至少两圈场限环的深度与所述主结的深度一致；所述截止环的顶面高度与所述主结的顶面高度一致；各所述场限环的宽度不等。本发明大大提升了产品的高温性能，达到Tj=175℃不失效，正反向浪涌能力有较大提升。
一种耐高温平面结构超高压二极管芯片

[实用新型]二极管芯片的双灯测试装置-CN201120386841.2有效
发明人：汪良恩;裘立强;葛宜威 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：二极管芯片的双灯测试装置。涉及大批量生产二极管芯片时的产品质量检测装置。提供了一种能简易测量和分辨故障芯片的二极管芯片的双灯测试装置。包括检测用交流电源、检测电路、滤波电容C1、滤波电容C2、测试笔一和检测笔二。本实用新型针对TVS（瞬变电压抑制二极管）等产品，需要P面和N面相配合组装后之芯片，在生产制造时，常出现P/N面不同蚀刻面混料之现象，利用该装置快速区分混料材料。它利用正常二极管的单向导通性，对被测产品进行单面测试。可区分P面蚀刻晶粒和N面蚀刻晶粒解决生产线不同蚀刻面相同晶粒尺寸混料的异常；二是判定O/J晶片扩散时边缘是否存在反型层现象，并在按照晶粒尺寸进行划片后进行分选出电性不良品。
二极管芯片测试装置

[实用新型]平面结构型超高压二极管芯片-CN201120398926.2有效
发明人：汪良恩;裘立强;谢盛达;葛宜威 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：平面结构型超高压二极管芯片。涉及平面结构超高压二极管芯片。耐温性能高，正反向浪涌能力有较大提升。本体呈薄片状，本体上部设有主结和顶面电极，本体下部设有衬底和底面电极，在主结外圈还设有至少两圈场限环；在最外圈场限环外部还设有一圈截止环；至少两圈场限环的顶面高度与主结顶面高度一致，至少两圈场限环的深度与主结的深度一致；截止环的顶面高度与主结的顶面高度一致。本实用新型在芯片本体顶部最外圈设置截止环后，能够有效防止电荷扩展到顶部边角，避免发生短路。本实用新型既实现了产品的增压，又能避免电场扩展。大大提升产品高温性能，达到Tj=175℃不失效，正反向浪涌能力有较大提升。通常被封装在三相、单项整流桥和各种混合模型中。
平面结构超高压二极管芯片

[发明专利]一种平面结构型超高压二极管芯片-CN201110318248.9有效
发明人：汪良恩;裘立强;谢盛达;葛宜威 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种平面结构型超高压二极管芯片。涉及平面结构超高压二极管芯片。耐温性能高，正反向浪涌能力有较大提升。本体呈薄片状，本体上部设有主结和顶面电极，本体下部设有衬底和底面电极，在主结外圈还设有至少两圈场限环；在最外圈场限环外部还设有一圈截止环；至少两圈场限环的顶面高度与主结顶面高度一致，至少两圈场限环的深度与主结的深度一致；截止环的顶面高度与主结的顶面高度一致。本发明在芯片本体顶部最外圈设置截止环后，能够有效防止电荷扩展到顶部边角，避免发生短路。本发明既实现了产品的增压，又能避免电场扩展。大大提升产品高温性能，达到Tj=175℃不失效，正反向浪涌能力有较大提升。通常被封装在三相、单项整流桥和各种混合模型中。
一种平面结构超高压二极管芯片

[实用新型]半导体晶片的裂片工具-CN201020536542.8无效
发明人： 葛宜威;裘立强 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：半导体晶片的裂片工具。涉及半导体晶片加工中将晶片进行裂解的工具。避免晶粒出现水平位移。包括一弹性的晶片承托板，以及滚碾晶片使晶片分裂为若干晶粒的硬质胶棒，所述晶片承托板上设有容纳晶片的凹槽，所述凹槽的深度小于晶片厚度。本实用新型在晶片承托板上设置了一个浅凹槽，相当于给晶片整体的边缘设置了一个定位阻拦台阶。这样，无论从那个方向对晶片进行碾压，也不会造成晶粒的串动、错位。在晶片承托板下部设置底板，是为便于操作者转动晶片承托板，按90°角度转动，适应纵横交错的沟槽，也更符合操作者用力习惯。
半导体晶片裂片工具

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