专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]光伏电池表面钝化封装器及光伏电池表面钝化封装设备-CN202222748013.X有效
  • 蔡敬国;石剑;孙亚楠 - 一道新能源科技(衢州)有限公司
  • 2022-10-18 - 2023-04-28 - H01L31/18
  • 本申请公开了一种光伏电池表面钝化封装器及光伏电池表面钝化封装设备,包括传输机构和至少两个钝化机构;钝化机构设置于传输机构的上方,至少两个钝化机构沿传输机构的传输方向间隔分布,传输机构用于传输光伏电池;钝化机构包括涡轮喷砂机和加热组件,涡轮喷砂机包括喷砂本体和喷嘴,喷嘴与喷砂本体连接,且喷嘴连接有加热组件;其中,加热组件具有进口和出口,进口与喷嘴连接,出口朝向传输机构,加热组件用于在喷砂本体中的玻璃砂通过喷嘴传输至加热组件中时,对玻璃砂加热,且使玻璃砂被传输至传输机构上的光伏电池,对光伏电池进行钝化。通过至少两个钝化机构对光伏电池表面进行钝化,提高了钝化封装效率。
  • 电池表面钝化封装设备
  • [发明专利]MOM电容的形成方法-CN202110313014.9在审
  • 韩国庆;吴慧慧;吴姗姗 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2021-03-24 - 2021-07-30 - H01L23/522
  • 本发明提供了一种MOM电容的形成方法中,包括:提供半导体基底,包括相邻的第一和第二,在半导体基底上分别形成顶层金属层和钝化层;部分刻蚀位于第一钝化层露出顶层金属层的表面,以形成呈叉指形状的图案化的钝化层;以图案化的钝化层为掩膜刻蚀位于第一的顶层金属层和部分半导体基底,以形成呈叉指状的图案化的顶层金属层和图案化的半导体基底;在图案化的钝化层表面和图案化的半导体基底的表面形成介质层,介质层覆盖图案化的钝化层、图案化的顶层金属层和图案化的半导体基底的侧壁;刻蚀位于第二的介质层和图案化的钝化层露出顶层金属层的表面,以形成焊垫。
  • mom电容形成方法
  • [发明专利]一种太阳能电池硼硅玻璃钝化方法-CN202110828340.3在审
  • 张双玉;张满满;乐雄英;陆祥 - 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
  • 2021-07-22 - 2021-11-12 - H01L31/18
  • 本发明公开一种太阳能电池硼硅玻璃钝化方法,S1、对太阳能电池片进行表面处理,形成有效的绒面结构;S2、通过热扩散工艺,在形成绒面结构的所述太阳能电池片上生成一层厚度为80‑120nm的硼硅玻璃层;S3、使用低浓度的氢氟酸腐蚀掉部分所述的硼硅玻璃层,保留厚度为10‑25nm的硼硅玻璃层,即完成钝化。本发明的钝化方法保留了厚度为10‑25nm的硼硅玻璃介质层,这层介质层会有类似于氧化硅的钝化作用,能够很好地提高电池片的效率;常规N型电池在完全去除硼硅玻璃层后,通常采用热氧或湿氧方式,在正面生成一层氧化硅钝化层,本发明的钝化方法取消了这一步骤,直接用扩散形成的硼硅玻璃层进行钝化,在减少工艺步骤的同时,确保电池品的效率,也降低的电池制作成本。
  • 一种太阳能电池玻璃钝化方法
  • [实用新型]耐高压钝化保护二极管芯片-CN201120386728.4有效
  • 汪良恩;裘立强;喻慧丹 - 扬州杰利半导体有限公司
  • 2011-10-12 - 2012-07-11 - H01L23/00
  • 耐高压钝化保护二极管芯片。涉及一种具有钝化保护结构的二极管芯片。提供一种在确保封装温度下能可靠地保护芯片,解决封装隐患,且制作工艺更简单的耐高压钝化保护二极管芯片。本实用新型相对于现有工艺在掩膜时,固化沟槽内的所有填充料(现有技术中为防止裂片时钝化保护层碎裂,必须将沟槽中间的玻璃去除);然后,采用热压模压制、加热固化成型;制得产品能保留底部的玻璃材料,在裂片后,确保整个弧面覆盖有钝化保护层,且与现有技术相比,玻璃层厚度更大,因此钝化保护层的强度相应也更大,从而无需在钝化保护层(玻璃层)外再设置缓冲保护层。由于模压口沟槽最低部的玻璃最薄,在裂片时,能形成理想的断裂面(与芯片的轴线平行)。
  • 高压钝化保护二极管芯片
  • [实用新型]具有加强结构的边缘终端装置-CN201921125041.8有效
  • 何乐平;孙倩 - 创能动力科技有限公司
  • 2019-07-17 - 2020-04-14 - H01L29/06
  • 该边缘终端装置包括器件和边缘。器件设置有半导体器件,边缘设置成围绕器件。加强结构设置在边缘,加强结构包括钝化层和设置在钝化层上的有机层。有机层包括有机材料,钝化层具有凹陷部,有机材料的至少一部分填充凹陷部,凹陷部的顶平面视图呈波浪形并且形成围绕器件的闭环。根据本实用新型的边缘终端装置能加强有机层与钝化层的结合强度,避免有机层的脱落,具有更好的机械稳定性和可靠性。
  • 具有加强结构边缘终端装置
  • [实用新型]一种太阳能电池-CN202220681963.2有效
  • 吕强 - 江苏润阳光伏科技有限公司
  • 2022-03-24 - 2022-07-19 - H01L31/0224
  • 本实用新型提供一种太阳能电池,包括硅基体,所述硅基体背面设有钝化层,所述钝化层上设有主栅和电极,所述钝化层上除主栅和电极以外的区域设有多个间隔设置的激光槽,所述激光槽贯穿所述钝化层,所述主栅设有主栅线,所述电极设有背银电极,所述激光槽内设有细栅线,所述细栅线与主栅线垂直。本实用新型提供的一种太阳能电池,采用主栅不激光开槽,保护背场主栅下的氮化硅膜,增加背面膜的面积,最终达到提效的目的。
  • 一种太阳能电池
  • [发明专利]一种正极片及锂离子电池-CN202310209322.6在审
  • 张健;彭冲 - 珠海冠宇电池股份有限公司
  • 2023-03-07 - 2023-05-02 - H01M4/131
  • 本发明提供的正极片包括第一域和第二域,所述第一域包括正极集流体和设置于所述正极集流体表面的正极活性物质层,所述第二域包括钝化后的正极集流体,所述钝化后的正极集流体包括正极集流体与设置于所述正极集流体表面的钝化层,所述第一域的正极集流体的导电性优于所述第二域的钝化后的正极集流体。本发明提供的正极片通过对第二域的集流体表面进行钝化,使该区域的集流体导电性降低,进而降低电池的短路风险,提升电池的安全性能。
  • 一种正极锂离子电池
  • [发明专利]一种采用钝化液的玻璃深孔加工方法-CN202210934168.4在审
  • 钟朝彬;罗波;杨冠南;崔成强;张昱 - 广东工业大学
  • 2022-08-04 - 2022-09-27 - C03C15/00
  • 本发明涉及玻璃加工技术领域,公开了一种采用钝化液的玻璃深孔加工方法,包括以下步骤:S1)将待加工玻璃浸没于钝化液中,在待加工玻璃的外表面形成钝化膜并包覆其外表面;S2)将待加工玻璃浸没于含有金属离子的活性催化溶液中,并用激光束照射于待开孔区域的钝化膜的表面,待开孔区域的活性催化液中的金属离子经激光束照射还原并形成金属粒子,吸附于对应区域的表面;S3)将吸附有金属粒子的待加工玻璃转移并浸没于蚀刻液中,再使用激光束照射待加工玻璃的所述对应区域,在所述对应区域的表面形成蚀孔,直至蚀孔贯穿待加工玻璃为止;可利用钝化膜的保护,使蚀刻液冷却玻璃,保障激光束的蚀刻效率,利用蚀刻液溶解杂质,避免蚀孔不平整。
  • 一种采用钝化玻璃加工方法
  • [发明专利]一种SiC肖特基功率二极管及其制备方法-CN202111005103.3在审
  • 李鑫 - 瑶芯微电子科技(上海)有限公司
  • 2021-08-30 - 2021-12-21 - H01L29/872
  • 本发明公开了一种SiC肖特基功率二极管,包括N型4H‑SiC衬底、P型4H‑SiC隔离层以及厚度为4~6μm的N型4H‑SiC外延层;该外延层中部刻有倒梯形阳极凹槽和隔离槽,两端顶部向内避让形成隔离;隔离和隔离槽填满绝缘介质形成电流疏导结构;外延层具有N+注入和P+注入保护;还包括:阴极欧姆接触金属层覆盖在N+注入上;第一钝化层在P+注入保护上;第二钝化层在阳极凹槽底部;阳极肖特基接触金属层覆盖第一钝化层部分表面、阳极凹槽的表面以及第二钝化层的表面;第三钝化层覆盖第一钝化层的剩余表面,并向两侧金属层延伸。
  • 一种sic肖特基功率二极管及其制备方法

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