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[发明专利]有机发光二极管显示器-CN202110702043.4在审
发明人：尹虎镇;金炳箕;李大宇;郑胤谟 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：该OLED显示器包括：有机发光二极管，形成在显示区中；像素限定层，包括设置在显示区中的第一部分和设置在围绕显示区的非显示区中的第二部分；平坦化层，设置在像素限定层下方；绝缘层，设置在平坦化层下方；第一钝化层，至少覆盖像素限定层的第二部分；第二钝化层，设置在非显示区中；填料，覆盖第一钝化层和第二钝化层；以及密封剂，设置在非显示区中，并且在平面图中与绝缘层叠置。第二钝化层接触第一钝化层的一部分，第二钝化层包括接触第一钝化层的第一部分和与填料叠置的第二部分。
有机发光二极管显示器

[实用新型]台面型器件-CN202223389095.X有效
发明人：周继峰;张环;何磊 -专利权人：力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：该器件包括基底硅层、耦接到基底硅层的下部硅层、耦接到基底硅层的上部硅层、多个玻璃钝化层中的被配置为耦接到基底硅层和下部硅层的至少一个玻璃钝化层、以及多个玻璃钝化层中的被配置为耦接到基底硅层和上部硅层的至少另一玻璃钝化层该器件还包括台面层，该台面层被配置为耦接到下部硅层，并且还被配置为向外延伸到至少另一玻璃钝化层。
台面器件

[发明专利]切割方法-CN201510011960.2在审
发明人：刘吉祥;刘煊杰;陈晓军;江卢山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种切割方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括测试区、测试区两侧的隔离区、以及隔离区外侧的核心区，半导体衬底表面形成有器件层、所述器件层表面的互连层和互连层表面的焊垫层，所述焊垫层包括位于测试区、隔离区以及核心区上方的若干焊垫以及覆盖所述焊垫和互连层表面的钝化层；刻蚀所述钝化层，在所述钝化层内形成凹槽，所述凹槽暴露出位于核心区、测试区上方的焊垫表面；依次刻蚀钝化层、互连层和器件层至半导体衬底表面，在隔离区与测试区交界处形成隔离沟槽，将钝化层、互连层、器件层断开；沿测试区进行切割，使测试区两侧的半导体衬底、器件层、互连层和焊垫层相互分离。
切割方法

[发明专利]一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法-CN201910282761.3在审
发明人：张二雄 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法，功率器件表面包括元胞区和终端区，所述元胞区又分为GATE区域和Source区域，位于元胞区内的GATE区域和Source区域刻开区域,其余元胞区和终端区全部覆盖钝化层，所述终端区除钝化层Gate区域和source区域刻开一小块用于封装后引线外，同时在终端区打开一个或多个较小的刻开区，每个刻开区1um~20um宽，总刻开区的面积小于终端区面积的一半；释放终端区钝化层的膜内应力及可动离子，大大减小钝化层对终端区的影响，解决了因可动离子及应力问题导致的器件失效，大大提升器件的功能及可靠性。
终端区钝化层功率器件元胞区可靠性影响可动离子器件失效提升器件应力问题减小元胞封装释放覆盖

[发明专利]光电子器件及其制造方法-CN200980131502.5有效
发明人：安德烈亚斯·魏玛 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种光电子器件包括：支承体(1)；设置在支承体上的金属镜层(2)；设置在金属镜层的区域上的第一钝化层(3)；用于产生电运行中的有源区的半导体层(4)，其设置在第一钝化层上；第二钝化层(5)，其包括两个区域(5a，5b)，其中第一区域(5a)设置在半导体层的上侧上，并且第二区域(5b)设置在没有半导体层的金属镜层上，其中第二钝化层的第一区域和第二区域通过围绕第一钝化层的区域而彼此分离，所述围绕第一钝化层的区域没有第二钝化层
光电子器件及其制造方法

[发明专利]半导体管芯、其制造方法、及半导体封装-CN201911394423.5在审
发明人：陈洁;陈宪伟;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：所述半导体管芯包括半导体衬底、内连结构、多个导电接垫、第一钝化层及第二钝化层。内连结构设置在半导体衬底上。导电接垫设置在内连结构之上且电连接到内连结构。第一钝化层及第二钝化层依序堆叠在导电接垫上。第一钝化层及第二钝化层填充所述导电接垫中的两个相邻的导电接垫之间的间隙。第一钝化层包括第一区段及第二区段。第一区段实质上平行于内连结构的顶表面延伸。第二区段面对导电接垫中的一者的侧表面。第一区段的厚度与第二区段的厚度不同。
半导体管芯制造方法封装

[发明专利]红外焦平面阵列-CN201710970347.2有效
发明人：金迎春;高健飞;黄立;刘斌 -专利权人：武汉高德红外股份有限公司
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外焦平面阵列，包括覆盖有钝化膜的外延片，外延片表面设置有多个凹陷的掺杂区，外延片表面外周分布有多个公共电极，钝化膜开设有多个接触孔以及与多个凹陷的掺杂区对应的多个凸点孔；钝化膜在水平方向上由第一钝化区与第二钝化区组成，第二钝化区为与凸点孔同圆心的圆环；第一钝化区表面覆盖有第一导流电极，接触孔内填充有与第一导流电极相连通的第二导流电极；第一导流电极与第二导流电极均由金属导电材料组成。
红外平面阵列

[发明专利]一种玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法-CN201510697978.2在审
发明人：郭承造;陈盟舜 -专利权人：强茂电子（无锡）有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种可减少玻璃钝化硅晶圆制造工序的背面激光切割方法，包含以下步骤：一、正常玻璃钝化硅晶圆制造，不需要制作背面定位切割道；二、使用玻璃沟槽作为定位基准，采用背面激光半切穿方式进行切割；三、分离芯片晶粒；其中，第二步包括a.玻璃钝化硅晶圆放置在双层透明玻璃片上，该双层玻璃上层有小孔，旁有真空接口；b.双层透明玻璃正下方，放置显微放大镜头和摄像机，依据玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽作为切割定位线，对玻璃钝化硅晶圆进行定位；c.晶圆定位完成后，通过对激光的扩束、聚焦后对钝化玻璃硅晶圆背面进行切割，使用半切穿方式形成激光切割槽。
一种玻璃钝化硅晶圆背面激光切割方法

[发明专利]一种辊涂机钝化液液位控制装置及其控制方法-CN202310237532.6在审
发明人：钱鑫;李志庆;李虹云;刘茂林;陈德春;章一樊;谢义康;郑涛 -专利权人：马鞍山钢铁股份有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C22/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种辊涂机钝化液液位控制装置及其控制方法，属于钝化液液位控制技术领域。本发明包括托盘，所述的托盘内盛装钝化液，托盘的表面设置有加液溢流板，加液溢流板将托盘分割为工作区和加液区，加液区的底部连接有钝化液加液管道，钝化液加液管道的输入端设置有加液泵，加液泵的输入端设置有钝化液工作槽；所述的工作区的内部设置有液位检测器，液位检测器的输出端连接有液位控制器，液位控制器的输出端与加液泵连接。本发明通过改变钝化液加液方式，钝化液在托盘内逐步自然消耗，不进行回流，当钝化液消耗至目标高度以下时，自动补液，实现托盘内钝化液高度精准控制，减少了因加液波动导致的钝化类缺陷，提高产品质量。
一种辊涂机钝化液液位控制装置及其方法

[发明专利]一种用于ESD防护的低电容绑线结构-CN202211685681.0在审
发明人：齐钊;魏敬奇;乔明;陈泓全;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种利用钝化层介质的低电容绑线结构，包括：n型衬底；P型阱区；第一N+接触区；第二N+接触区；第一P+区；第二P+区；第一氧化层介质区；第二氧化层介质区；第三氧化层介质区；第一金属电极；第二金属电极；第一钝化层区；第二钝化层区；第三钝化层区；导电胶或焊锡区。本发明通过切除寄生电容上方的金属区域并在剩余的金属两端开口，通过后续打线的焊锡与金属相连，这样一来该器件焊盘金属区域的等效介质层厚度将成为了介质加上被视为介质层的钝化层的总厚度，从而大大降低电容，同时对工艺参数
一种用于 esd 防护电容结构

[发明专利]一种太阳能电池的选择性钝化接触结构和双面太阳能电池-CN202111389703.4有效
发明人：林文杰;邱开富;许文理;王永谦;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池的选择性钝化接触结构和双面太阳能电池。太阳能电池的选择性钝化接触结构包括交替设置的第一钝化接触区和第二钝化接触区；第一钝化接触区包括依次层叠设置在硅衬底上的第一掺杂层、第一钝化层和第二掺杂层；第二钝化接触区包括依次层叠设置在硅衬底上的第二钝化层、第三掺杂层和第三钝化层；第二掺杂层的厚度大于第三掺杂层的厚度，第二掺杂层和第三掺杂层的掺杂极性相同。如此，由于第三掺杂层的厚度较小，故可以降低第二钝化接触区的寄生吸收，提高短路电流。同时，由于第二掺杂层的厚度较大，故可以防止导电层烧穿第二掺杂层，提高开路电压。这样，可最大化太阳能电池的光电转换效率。
一种太阳能电池选择性钝化接触结构双面

[发明专利]一种芯片边缘结构及制作方法-CN201810935804.9在审
发明人：陈伟钿;周永昌;张永杰;李浩南 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：其中，芯片边缘结构包括边缘主体结构层、钝化层及有机膜层，钝化层沿预设方向设置在边缘主体结构层的表面，并且钝化层具有至少一个凹陷区；有机膜层沿预设方向设置在钝化层的表面，并且填充每个凹陷区。由于有机膜层填充钝化层的凹陷区，有机膜层能够牢固地与钝化层固化，因此，钝化层在工艺期间不容易发生削皮或脱落现象。
一种芯片边缘结构制作方法

[实用新型]一种芯片边缘结构-CN201821326171.3有效
发明人：陈伟钿;周永昌;张永杰;李浩南 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：其中，芯片边缘结构包括边缘主体结构层、钝化层及有机膜层，钝化层沿预设方向设置在边缘主体结构层的表面，并且钝化层具有至少一个凹陷区；有机膜层沿预设方向设置在钝化层的表面，并且填充每个凹陷区。由于有机膜层填充钝化层的凹陷区，有机膜层能够牢固地与钝化层固化，因此，钝化层在工艺期间不容易发生削皮或脱落现象。
钝化层有机膜层芯片边缘凹陷区主体结构层方向设置预设填充半导体器件技术本实用新型固化削皮

[发明专利]背面选择性接触的Topcon电池制备方法及电池结构-CN202310198118.9在审
发明人：张双玉;李蕊怡;安萍;张楠楠;杨阳;陈如龙 -专利权人：江苏润阳世纪光伏科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种背面选择性接触的Topcon电池制备方法及电池结构，在钝化区形成20‑50nm的poly钝化层，在接触区形成100‑150nm的poly接触层，在保证poly钝化效果达到最优的同时金属化也不会烧穿，钝化区和接触区的厚度差异最终实现背面poly的选择性接触，提升电池的转换效率。
背面选择性接触 topcon 电池制备方法结构

[发明专利]一种高温下不易损坏的大功率二极管-CN201610451394.1在审
发明人：孙岩林 -专利权人：滨州德润电子有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温下不易损坏的大功率二极管，包括玻璃钝化芯片、上平头引线和下平头引线；所述玻璃钝化芯片下表面的面积大于上表面的面积，玻璃钝化芯片的上表面作为P面，玻璃钝化芯片的下表面作为N面，上平头引线一端设置有上平头，上平头引线通过上平头焊接连接玻璃钝化芯片的P面，下平头引线一端设置有下平头，下平头引线通过下平头焊接连接玻璃钝化芯片的N面，上平头的横截面积小于下平头的横截面积，玻璃钝化芯片外封装有环氧树脂护套，且环氧树脂护套将上平头和下平头均包裹在内
一种高温不易损坏大功率二极管