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[实用新型]半导体结构-CN202320154181.8有效
发明人：张永杰;李浩南;彭定康;周永昌;三重野文健;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括外延层；第一掺杂区，位于所述外延层中，且所述第一掺杂区呈高低错落分布；阱区，自所述外延层的表面延伸至所述外延层中；源区，分立的自所述阱区的表面延伸至阱区中；第二掺杂区，位于相邻所述源区间，且自所述阱区表面延伸至所述阱区中，或者延伸出所述阱区；第一栅极结构和第二栅极结构，交替分布于所述源极、所述阱区及所述外延层中，且所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均包括栅极，其中所述第一栅极结构还包括位于所述栅极下方的伪栅。本申请技术方案的半导体结构可以降低栅极结构底部的电场，并减少栅漏电荷。
半导体结构

[实用新型]一种半导体结构-CN202320181859.1有效
发明人：彭定康;李浩南 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：半导体基板，所述半导体基板包括若干交替相间的第一区域和第二区域，所述半导体基板表面包括外延层，所述外延层表面包括电流分散层；第一掺杂区，位于所述第一区域的电流分散层中；第二掺杂区，位于所述第一掺杂区中；第三掺杂区，位于所述电流分散层中且横跨所述第一区域和相邻的第二区域，所述第三掺杂区的一端连接至所述第一区域中的第二掺杂区，所述第三掺杂区的另一端延伸至所述第二区域中；电场缓冲区，位于所述第二区域的电流分散层中且位于相邻的第三掺杂区之间。本申请的技术方案可以避免功率MOSFET器件中二级劣化现象的出现，提高器件性能以及器件可靠性。
一种半导体结构

[发明专利]半导体结构及形成方法-CN202310081862.0在审
发明人：张永杰;李浩南;彭定康;周永昌;三重野文健;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括外延层；第一掺杂区，位于所述外延层中，且所述第一掺杂区呈高低错落分布；阱区，自所述外延层的表面延伸至所述外延层中；源区，分立的自所述阱区的表面延伸至阱区中；第二掺杂区，位于相邻所述源区间，且自所述阱区表面延伸至所述阱区中，或者延伸出所述阱区；第一栅极结构和第二栅极结构，交替分布于所述源极、所述阱区及所述外延层中，且所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均包括栅极，其中所述第一栅极结构还包括位于所述栅极下方的伪栅。本申请技术方案的半导体结构及其形成方法可以降低栅极结构底部的电场，并减少栅漏电荷。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN202310097742.X在审
发明人：彭定康;李浩南 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基板，所述半导体基板包括若干交替相间的第一区域和第二区域，所述半导体基板表面包括外延层，所述外延层表面包括电流分散层；第一掺杂区，位于所述第一区域的电流分散层中；第二掺杂区，位于所述第一掺杂区中；第三掺杂区，位于所述电流分散层中且横跨所述第一区域和相邻的第二区域，所述第三掺杂区的一端连接至所述第一区域中的第二掺杂区，所述第三掺杂区的另一端延伸至所述第二区域中；电场缓冲区，位于所述第二区域的电流分散层中且位于相邻的第三掺杂区之间。本申请的技术方案可以避免功率MOSFET器件中二级劣化现象的出现，提高器件性能以及器件可靠性。
一种半导体结构及其形成方法

[实用新型]半导体结构-CN202221455934.0有效
发明人：李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，包括：半导体基板，所述半导体基板上包括外延层，所述外延层中形成有第一掺杂区、自所述外延层的表面延伸至所述第一掺杂区中的第三掺杂区及位于所述第三掺杂区两侧的第一掺杂区上的第二掺杂区；第四掺杂区，位于所述第一掺杂区两侧的外延层中并位于所述半导体基板的表面；电介质层，位于所述第四掺杂区上；沟道层，位于所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及部分所述外延层的侧壁并延伸至所述电介质层上；控制栅极，位于所述电介质层上并覆盖所述沟道层的侧壁，且所述控制栅极的顶面和所述第二掺杂区的表面平齐。本申请的半导体结构可以提高正向电流和反向电压性能。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN202221458705.4有效
发明人：李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，包括：半导体基板，所述半导体基板上包括外延层，所述外延层中形成有第一掺杂区、第三掺杂区及位于所述第三掺杂区两侧的第一掺杂区上的第二掺杂区；电介质层，位于所述第一掺杂区两侧的外延层中，其中所述电介质层、所述第二掺杂区及所述第一掺杂区的侧壁共面，且所述电介质层的顶面低于所述第一掺杂区的底面；沟道层，覆盖所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及部分所述外延层的侧壁并延伸至所述电介质层上；控制栅极，位于所述电介质层上并覆盖所述沟道层的侧壁，且所述控制栅极的顶面和所述第二掺杂区的表面平齐。本申请的半导体结构可以提高正向电流和反向电压性能。
半导体结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210652179.3在审
发明人：李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基板，所述半导体基板上包括外延层，所述外延层中形成有第一掺杂区、自所述外延层的表面延伸至所述第一掺杂区中的第三掺杂区及位于所述第三掺杂区两侧的第一掺杂区上的第二掺杂区；第四掺杂区，位于所述第一掺杂区两侧的外延层中并位于所述半导体基板的表面；电介质层，位于所述第四掺杂区上；沟道层，位于所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及部分所述外延层的侧壁并延伸至所述电介质层上；控制栅极，位于所述电介质层上并覆盖所述沟道层的侧壁，且所述控制栅极的顶面和所述第二掺杂区的表面平齐。本申请的半导体结构可以提高正向电流和反向电压性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210652207.1在审
发明人：李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基板，所述半导体基板上包括外延层，所述外延层中形成有第一掺杂区、第三掺杂区及位于所述第三掺杂区两侧的第一掺杂区上的第二掺杂区；电介质层，位于所述第一掺杂区两侧的外延层中，其中所述电介质层、所述第二掺杂区及所述第一掺杂区的侧壁共面，且所述电介质层的顶面低于所述第一掺杂区的底面；沟道层，覆盖所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及部分所述外延层的侧壁并延伸至所述电介质层上；控制栅极，位于所述电介质层上并覆盖所述沟道层的侧壁，且所述控制栅极的顶面和所述第二掺杂区的表面平齐。本申请的半导体结构可以提高正向电流和反向电压性能。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]半导体结构-CN202123382749.1有效
发明人：李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；阱保护层，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方；阱接触层，与所述阱保护层的掺杂类型相同，并自所述阱保护层的表面向所述阱保护层中延伸且侧壁和底部被所述阱保护层围绕；金属层，位于所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面。本申请的半导体结构能够降低器件的表面电场、增大正向电流，并提高器件的可靠性。
半导体结构

[发明专利]半导体器件、用于制造半导体器件的方法及温度传感系统-CN202011471839.5在审
发明人：陈伟钿;孙倩;李浩南 -专利权人： 创能动力科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：器件单元，该器件单元包括配置成接收栅极控制信号的栅极组件；以及与器件单元相邻的温度传感组件。温度传感组件和栅极组件中的每个组件均包括多晶硅。
半导体器件用于制造方法温度传感系统

[实用新型]半导体结构-CN202123367933.9有效
发明人：李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；深阱保护柱，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方，且所述深阱保护柱和所述衬底之间的第一外延层的厚度为6μm～12μm；阱接触层，与所述深阱保护柱的掺杂类型相同，并自所述深阱保护柱的表面向所述深阱保护柱中延伸且侧壁和底部被所述深阱保护柱围绕；金属层，位于所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面。本申请的半导体结构能够降低器件的表面电场、增大正向电流，并提高器件的可靠性。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN202122747597.4有效
发明人：张永杰;李浩南;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括第一外延层；掺杂柱，分立的位于所述第一外延层中；第一JFET区，位于部分所述掺杂柱上；第二JFET区，位于相邻所述掺杂柱之间的部分所述第一外延层上；阱区，位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上；源区，自所述阱区表面延伸至所述阱区中；掺杂区，位于相邻所述源区之间且延伸至所述掺杂柱的表面；栅极结构，位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间，且所述栅极结构的整个或部分底部与所述掺杂柱邻接。本申请技术方案可以降低栅极结构底部的电场，减少栅漏电荷以及降低衬底电阻。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN202122354873.0有效
发明人：张永杰;李浩南;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括外延层；第一掺杂区，分立的位于所述外延层中；第一JFET区，位于所述第一掺杂区的部分表面；第二JFET区，位于相邻所述第一掺杂区之间的部分外延层表面；阱区，位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上；源区，自所述阱区表面延伸至所述阱区中；第二掺杂区，位于相邻所述源区之间的第一掺杂区表面，且所述第二掺杂区与所述源区的表面共面；栅极结构，位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间，且所述栅极结构的整个或部分底部与所述第一掺杂区邻接。本申请技术方案可以降低栅极结构底部的电场，减少栅漏电荷。
半导体结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111641795.0在审
发明人：李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；阱保护层，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方；阱接触层，与所述阱保护层的掺杂类型相同，并自所述阱保护层的表面向所述阱保护层中延伸且侧壁和底部被所述阱保护层围绕；金属层，位于所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面。本申请的半导体结构及其形成方法，能够降低器件的表面电场、增大正向电流，并提高器件的可靠性。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]半导体结构-CN202122051938.4有效
发明人：李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构，所述半导体结构位于器件区外侧的边缘区，包括：半导体衬底及位于所述半导体衬底上的外延层；绝缘层，自所述外延层的部分表面延伸至所述外延层中；保护层，位于所述绝缘层与所述外延层之间，且与所述外延层的掺杂类型不同；过渡层，自所述绝缘层一侧的外延层表面延伸至所述外延层中，且所述过渡层与所述保护层的掺杂类型相同；场氧化层，位于所述绝缘层以及所述绝缘层另一侧的保护层和外延层的表面；金属场板，位于所述过渡层和部分所述场氧化层上，且所述金属场板连接所述器件区的器件结构。本申请技术方案的半导体结构能够大幅度提高边缘区终端结构的击穿电压。
半导体结构

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