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[发明专利]具有钝化区段的半导体元件及其制造方法-CN201310109196.3无效
发明人：杨国宾;王盟仁 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：该半导体元件包括一晶粒、一第一钝化层、一金属布线层及一第二钝化层。该第一钝化层位于该晶粒上，且具有数个第一区段。该等第一区段的其中之一具有一第一宽度。该金属布线层位于该第一钝化层上，且具有数个第二区段。该等第二区段的其中之一具有一第二宽度。该第二钝化层位于该金属布线层上，且具有数个第三区段。该等第三区段的其中之一具有一第三宽度。
具有钝化区段半导体元件及其制造方法

[发明专利]用于制造CMOS图像传感器的方法-CN200510135161.2无效
发明人：金唇翰 -专利权人：东部亚南半导体株式会社
申请日： 2005-12-27 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：公开了一种用于制造CMOS图像传感器的方法，其中垫钝化膜被厚地形成，并在形成微透镜以前将其去除，从而防止微透镜缺陷的发生并获得白均匀性，由此改善图像传感器的质量和产出。所述方法包括：在具有有源区和垫区的半导体基片的垫区上形成金属垫；在包括所述金属垫的半导体基片的整个表面上形成绝缘膜；通过蚀刻与所述金属垫对应的所述绝缘膜的部分形成开口以暴露该金属垫；在包括所述开口的绝缘膜上形成垫钝化膜；在与所述有源区对应的垫钝化膜的部分上形成滤色器层；去除与所述垫区对应的垫钝化膜的部分；以及在去除与所述垫区对应的垫钝化膜的部分后在所述滤色器层上形成微透镜。
用于制造 cmos 图像传感器方法

[实用新型]一种局部接触背钝化太阳能电池-CN201520891843.5有效
发明人：吴坚;王栩生;邢国强 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L31/049 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种局部接触背钝化太阳能电池，包括硅衬底层、位于硅衬底层底面的背面钝化膜、覆盖于背面钝化膜底面的背面金属层、贯穿于背面钝化膜和背面金属层中且与硅衬底层底面相接触的多个背面银电极、贯穿背面钝化膜的多个接触区；以及位于硅衬底层正面相互平行的副栅电极；所述接触区上表面与硅衬底层底面相接触，所述接触区呈线段形状且排布成相互平行的多行，每行中的接触区相互平行且间隔分布，相邻行内的接触区交错分布；所述接触区的延伸方向与正面副栅电极的延伸方向相平行
一种局部接触钝化太阳能电池

[发明专利]形成用于光伏电池的触头的方法-CN201380043233.3有效
发明人：内德·韦斯顿;斯蒂芬·布雷姆纳 -专利权人：纽索思创新有限公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：所述基板具有第一区域，所述第一区域具有第一掺杂特性并且位于第一表面部分。所述方法还包括在基板的包括第一表面部分的表面上沉积钝化层。此外，所述方法包括在钝化层上沉积导电层，使得钝化层的材料夹在第一区域与导电层之间。此外，所述方法包括以使得局部地诱发被夹的钝化层材料的电介质击穿的方式在第一区域与导电层之间施加电场。第一区域具有掺杂特性，并且实施所述方法使得钝化层在第一区域处的电阻减小并且形成电触头。
形成用于电池方法

[发明专利]一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺-CN201910358370.5在审
发明人：吴念博 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺；步骤为：在硅片衬底上、下表面均形成第一二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除上、下表面第一二氧化硅薄膜层的隔离带区域；对隔离带区域进行硼掺杂形成第一P+区，在上下方向贯通形成隔离墙，在硅片衬底中隔离出四间隔块；形成第二二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第二二氧化硅薄膜层上的四第一掺杂区域；对第一掺杂区域进行磷杂质掺杂形成N+区；形成第三二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第三二氧化硅薄膜层的四第二掺杂区域；对第二掺杂区域进行硼掺杂形成第二P+区；在第二P+区边缘区域开沟槽；形成多晶硅钝化复合薄膜层；在沟槽中形成玻璃钝化层；裸露出N+区及第二P+区；在N+区及第二P+区的表面沉积金属层形成金属电极。
二氧化硅薄膜掺杂区域刻蚀去除二极管集成制造工艺隔离带硼掺杂下表面硅片衬底芯片表面沉积金属玻璃钝化层复合薄膜层边缘区域金属电极上下方向多晶硅隔离墙间隔块开沟槽磷杂质钝化掺杂贯通隔离

[发明专利]PERC太阳能电池及其制备方法-CN201610038035.3有效
发明人：张为国;刘超;刘成法;张松;陈寒;夏世伟;季海晨 -专利权人：上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：上述PERC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤对硅片依次进行双面抛光、制绒、扩散、刻蚀和去杂质玻璃、高锰酸氧化；背面沉积钝化层以及保护层；正面沉积减反射层；背面局部开口、印刷正背面金属浆料以及烧结，得到与传统的PERC太阳能电池的制备方法相比，本发明的PERC太阳能电池的制备方法，在硅片制绒之前先进行双面抛光，便于后续制绒；同时，在背面沉积钝化层以及保护层之前对去杂质玻璃之后的硅片进行氧化，起到钝化作用均能降低结区复合，提高开路电压，能够提高产品良率。同时，本发明基于常规工艺，产品良率高。此外，上述PERC太阳能电池根据上述PERC太阳能电池的制备方法制备而成。
perc 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]大台面电力半导体器件的玻璃钝化方法-CN95110389.X无效
发明人：庄惠照;薛成山;王显明 -专利权人：山东师范大学
申请日： 1995-03-17 - 公布日： 1999-12-01 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及大台面电力半导体器件的玻璃钝化方法。在已有技术中，用硅橡胶钝化法生产的大台面晶闸管的漏电流大、耐压特性差。本发明采用双重屏蔽，采用三种不同配比的腐蚀液一次连续成型制得类台面，反复熔烧玻璃粉制备玻璃钝化膜。本发明可广泛的用于大台面器件的系列产品钝化，性能可靠、高温特性好，耐压在１４００—２８００Ｖ，便于大批量生产。
台面电力半导体器件玻璃钝化方法

[发明专利]一种高一致性工作偏置电压的碲镉汞器件及其制备方法-CN202011157834.5在审
发明人：严冰;张冰洁;张传杰;杨朝臣;凡陈玲 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于碲镉汞器件技术领域，具体涉及一种高一致性工作偏置电压的碲镉汞器件及其制备方法：碲镉汞吸收区上形成有PN结区，碲镉汞吸收区及PN结区上覆盖有第一钝化层；第一钝化层上对应PN结区位置处的四周设有与公共电极孔，公共电极孔通过公共电极网格与环绕阵列四周的边缘公共电极连接，PN结区位于公共电极网格的空格下方；第一钝化层和公共电极网格上覆盖有第二钝化层；PN结区正上方的第二钝化层上设有PN结区电极，且PN结区电极延伸至PN结区；PN结区电极上设有铟柱。
一种一致性工作偏置电压碲镉汞器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710616952.X在审
发明人：宋春 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括单元区，所述单元区包括器件区、保护区和隔离区，所述保护区包围所述器件区，所述隔离区包围所述保护区和器件区；位于所述衬底器件区的器件结构；位于所述保护区衬底上的保护环结构；位于所述隔离区衬底上的隔离结构；位于所述保护环结构、器件结构和隔离结构上的钝化层，所述隔离区钝化层中具有沟槽。所述沟槽能够防止所述钝化层暴露出所述保护环结构，从而能够减小外界空气腐蚀保护环结构，进而改善半导体结构的性能。
半导体结构保护区隔离区环结构衬底钝化层器件区隔离结构器件结构单元区包围衬底器件腐蚀保护外界空气减小暴露

[实用新型]一种单面消影导电玻璃-CN201620778358.1有效
发明人：严爱平;余松霖 -专利权人：东莞汇海光电科技实业有限公司
申请日： 2016-07-24 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： B32B17/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单面消影导电玻璃，包括有玻璃基板、锡面、干涉层、透明钝化层及ITO膜，玻璃基板上下表面设置有锡面，玻璃基板上表面的锡面上方设置有干涉层，干涉层上方设置有透明钝化层，透明钝化层上方设置有ITO模，玻璃基板下表面的锡面下方设置有ITO膜。
一种单面导电玻璃

[发明专利]一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法-CN201410385273.2有效
发明人：张盛东;肖祥;邵阳;邓伟;王国英;宋振;贺鑫 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于：采用本发明的制备方法制备的背沟道刻蚀型薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有源区、源区、漏区、钝化层、源区接触电极和漏区接触电极；栅电极设置在衬底上，栅介质层覆盖在衬底和栅电极上，有源区设置在栅介质层上，源区和漏区均位于有源区及栅介质层上，并分别设置在有源区两侧，钝化层覆盖在衬底、栅介质层、有源区、源区和漏区上，源区接触电极的一端连接源区，源区接触电极的另一端位于钝化层上，漏区接触电极的一端连接漏区，漏区接触电极的另一端位于钝化层上。
一种沟道刻蚀薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]光伏电池及其制备方法-CN202011612170.7在审
发明人：陈曦;吴坚;蒋方丹 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池及其制备方法，所涉及光伏电池的制备方法包括：扩散制结步骤，激光划线步骤，刻槽步骤，去杂质玻璃步骤，正、背面钝化步骤，电极形成步骤，以及裂片步骤，本发明中基于激光划线步骤与刻槽步骤的设置，在获取分片电池时，其裂片位置处与pn结相对应的边缘结区会被第一钝化层覆盖而不会直接暴露于外界环境中，如此能够有效抑制分片电池的边缘复合，进而提高分片电池的FF、VOC、JSC及效率。
电池及其制备方法

[实用新型]一种新型太阳能电池组件-CN201620170194.4有效
发明人：王德明;刘舍予;周仁;韩丹丹;吴静;仇定毅 -专利权人：江苏中科国能光伏科技有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：一种新型太阳能电池组件，包括铝框、钢化玻璃、填充材料区、N极区、接口、P极区、接线盒、电源线、端子、引线、背垫和密封材。本实用新型的有益效果是：该种太阳能组件结构简单，制造过程容易、省电、节约硅材料，对材质要求也较低，晶界及杂质影响可通过电池加工工艺进行改善，电池工艺主要采用吸杂、钝化、背场等技术，高效太阳电池上常采用表面氧钝化的技术来提高太阳电他的效率
一种新型太阳能电池组件

[发明专利]制作隧穿场效应晶体管的方法-CN201780022954.4在审
发明人：蔡皓程;赵静;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种制作隧穿场效应晶体管的方法，包括：在衬底(201)上制作主轴(202)；在主轴(202)的侧壁表面上覆盖第一钝化保护层(203)；在未被第一钝化保护层(203)与主轴(202)覆盖的区域形成具有第一种掺杂类型的掺杂区(204)；在第一钝化保护层(203)上覆盖第二钝化保护层(205)；在掺杂区(204)未被第二钝化保护层(205)覆盖的区域形成具有第二种掺杂类型的源区(206)，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；去除主轴(202)，并在去除主轴(202)的区域上形成具有第一种掺杂类型的漏区(209)；去除第一钝化保护层(203)与第二钝化保护层(205)，并在去除第一钝化保护层(203)与第二钝化保护层(205)的区域上制作金属栅极
钝化保护层掺杂类型去除隧穿场效应晶体管区域形成覆盖掺杂区制作半导体工艺侧壁表面光刻工艺金属栅极传统的衬底漏区源区掺杂兼容灵活

[实用新型]包含光学感应芯片的晶圆级封装结构及移动终端-CN202023275584.3有效
发明人：蒋海洋;李永智;苏航;吕军;金科;赖芳奇 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种包含光学感应芯片的晶圆级封装结构，包括：玻璃、围堰、晶圆、遮光层、钝化层、种子层、金属线路、阻焊层和锡球；所述围堰设置在所述玻璃上；所述晶圆和带有围堰的所述玻璃压合，其中，所述晶圆设有信号焊垫和感光区；在所述晶圆上设置沟槽，在所述沟槽上方设有硅通孔；所述晶圆表面设置所述遮光层和所述钝化层；在所述信号焊垫上形成激光孔；在所述晶圆表面以及所述硅通孔内壁沉积所述种子层，设置所述金属线路。
包含光学感应芯片晶圆级封装结构移动终端