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[发明专利]具有缓冲层的载体和器件以及制造器件的方法-CN201880069371.1有效
发明人： P.阿尔蒂里-韦马尔;I.诺伊德克;M.兹茨施佩格;S.格勒奇;H.科赫 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：说明了一种具有缓冲层（3）的载体（9）或一种特别是具有这种载体的器件（100）。所述载体被构造为金属的，其中所述缓冲层的屈服应力至少为10MPa并且至多为300MPa。特别地，所述载体具有基体（90），该基体在其材料组成方面被构造为使得所述基体的屈服应力大于所述缓冲层的屈服应力。所述器件例如具有半导体芯片（10），该半导体芯片具有衬底（1）和布置在所述衬底上的半导体本体（2），其中所述载体的热膨胀系数至少是所述衬底或所述半导体芯片的热膨胀系数的1.5倍。所述半导体芯片借助于连接层（4）固定在所述载体的安装表面（94）上，使得所述连接层布置在所述半导体芯片和所述缓冲层之间。还说明了一种用于制造这种器件的方法。
具有缓冲载体器件以及制造方法

[发明专利]光电子器件的制造-CN201880077776.X有效
发明人：托马斯·施瓦茨;安德烈亚斯·普洛斯尔;约尔格·佐尔格 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法。所述方法包括：提供金属载体，其中载体具有前侧和与前侧相反的后侧；在前侧上移除载体材料，使得载体在前侧的区域中具有突出的载体部段和在其之间设置的凹陷部；构成邻接于载体部段的塑料体；将光电子半导体芯片设置在载体部段上；在凹陷部的区域中在后侧上移除载体材料，使得载体结构化为分离的载体部段；和进行分割。在此，将塑料体在分离的载体部段之间切开并且形成具有至少一个光电子半导体芯片的分割的光电子器件。此外，本发明涉及一种光电子器件。
光电子器件制造

[发明专利]具有梯田状的内部阶梯部的半导体芯片和制造半导体芯片的方法-CN201880040700.X有效
发明人：亚历山大·通基赫 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种半导体芯片(10)，所述半导体芯片具有半导体本体(2)、电流扩展层(3)和接触结构(4)，其中所述半导体本体包括第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和位于其间的有源层(23)，并且所述电流扩展层沿着竖直方向设置在所述接触结构和所述半导体本体之间。所述半导体本体具有多个内部的阶梯部(24)，所述阶梯部梯田状地构成，其中所述接触结构包括多个带状导线(42)，所述带状导线在其横向取向方面关于内部的阶梯部的横向取向设置为，使得沿着所述内部的阶梯部的电流扩展相对于横向于所述内部的阶梯部的电流扩展被促进。此外，提出一种用于制造这种半导体芯片的方法。
具有梯田内部阶梯半导体芯片制造方法

[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法-CN201880046678.X有效
发明人：坦森·瓦尔盖斯;斯特凡·伊莱克 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提出一种光电子器件(1)，其包括：半导体本体(10)，第一传导类型的第一区域(101)、第二传导类型的第二区域(102)和有源区(103)。有源区(103)设置在第一区域(101)和第二区域(102)之间。在半导体本体(10)的第一区域(101)中存在留空部(160)，具有与留空部(160)邻接的接触区域(170)。有源区(103)设计用于发射电磁辐射。半导体本体(10)在第二区域(102)的背离于有源区(103)的主面上具有第一辐射出射面(10A)，和在运行中产生的电磁辐射的一部分穿过所述第一辐射出射面(10A)离开半导体本体(10)。半导体本体(10)具有第一电联接层(121)和第二电联接层(122)，其中第二电联接层(122)至少部分设置在留空部(160)中。在第一辐射出射面(10A)下游设置有辐射可穿透的载体(140)，所述载体借助于辐射可穿透的连接层(132)与半导体本体(10)材料配合地连接。此外提出一种用于制造光电子器件(1)的方法。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]用于制造光电子部件的方法-CN201880050445.7有效
发明人： D.莱森;H.布伦纳;E.迪努;J.埃伯哈德;C.凯特;M.平德尔;T.雷斯温克尔;D.里希特 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：在用于制造光电子部件的方法中，提供具有顶侧的载体。光电子半导体芯片被布置在所述载体的顶侧之上。此外，在所述载体的顶侧之上布置灌封材料，其中所述光电子半导体芯片被嵌入到所述灌封材料中。所述灌封材料形成灌封表面。将颗粒喷射到所述灌封表面上，其中一部分颗粒保留在所述灌封表面上，其中在所述灌封表面处产生形貌。
用于制造光电子部件方法

[发明专利]用于制造光电子器件的方法及光电子器件-CN201880047804.3有效
发明人： H.耶格;D.莱森;J.埃伯哈德;I.滕格林 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：用于制造光电子器件（100）的方法包括步骤A），其中提供临时载体（1）。在步骤B）中将功能薄膜（3）施加在所述临时载体（1）上，其中所述功能薄膜（3）具有多个开口（30）。在步骤C）中在所述开口（30）内布置分别具有安装侧（21）的光电子部件，使得所述安装侧（21）面向所述临时载体（1）。所述光电子部件比所述功能薄膜（3）厚，使得所述部件在远离所述临时载体（1）的方向上超过所述功能薄膜（3）。在步骤D）中施加灌注料，使得所述灌注料横向地使所述部件变形，并在横向地位于所述部件旁边的区域中覆盖所述功能薄膜（3）。在步骤E）中将所述灌注料固化为灌封件，其中选择所述功能性薄膜（3），使得其形成用于所述灌封件的加强件。在步骤F）中在所述开口（30）之间的区域中切断所述功能薄膜（3），从而产生各个光电子器件（100），每个光电子器件都具有光电子部件，所述光电子部件横向地被所述灌封件和由所述功能薄膜（3）的一部分制成的功能层二者包围。
用于制造光电子器件方法

[发明专利]发光器件和用于制造发光器件的方法-CN201880057330.0有效
发明人：卢卡·海贝尔格;萨姆·周 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：发光器件和用于制造发光器件的方法。提出一种发光器件(100)，所述发光器件具有：发光半导体芯片(1)，所述发光半导体芯片具有光耦合输出面(10)，所述光耦合输出面侧向地由第一反射材料(2)形状配合地包围；在光输出耦合面(10)上的薄膜元件(3)；和在薄膜元件(3)上的光学元件(4)，所述光学元件侧向地由第二反射材料(5)形状配合地包围，其中至少在子区域中在薄膜元件(3)和光学元件(4)之间存在气体填充的缝隙(6)。此外，提出一种用于制造发光器件(100)的方法。
发光器件用于制造方法

[发明专利]半导体本体和用于制造半导体本体的方法-CN201880042056.X有效
发明人：因格里德·科斯洛夫;马西莫·德拉戈;约阿希姆·赫特功;亚历山大·弗里 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体本体(1)，所述半导体本体包括III‑V族化合物半导体材料，所述半导体本体具有掺杂有p型掺杂材料的p型传导区域(10)，其中p型传导区域(10)包括至少一个第一部段(101)、第二部段(102)和第三部段(103)，第二部段(102)设置在第一部段(101)和第三部段(103)之间，第二部段(102)直接邻接于第一部段(101)和第三部段(103)，并且部段中的至少一个部段(101，102，103)的铟浓度(I)与其他两个部段(101，102，103)的铟浓度(I)不同。
半导体本体用于制造方法

[发明专利]具有透明电流扩展层的半导体芯片-CN201880044111.9有效
发明人：坦森·瓦尔盖斯 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提出一种半导体芯片(10)，所述半导体芯片具有辐射可穿透的载体(1)、半导体本体(2)以及透明电流扩展层(3)，其中半导体本体具有n侧半导体层(21)、p侧半导体层(22)以及处于其之间的光学有源区(23)。半导体本体借助于辐射可穿透的连接层(5)与载体固定。电流扩展层基于硒化锌并且邻接于n侧半导体层。此外，提出一种用于制造这种半导体芯片的方法。
具有透明电流扩展半导体芯片

[发明专利]用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件-CN201880069141.5有效
发明人：延斯·穆勒 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造光电子半导体组件(1)的方法，其具有如下步骤：A)使用于产生辐射的半导体层序列(3)生长在生长衬底(2)上，B)将半导体层序列(3)结构化为发射支路(11)，使得相邻的发射支路(11)之间的空隙(12)中的半导体层序列(3)被移除，C)施加钝化层(4)，其中半导体层序列(3)在背离生长衬底(2)的波导触点(51)处至少部分地保持露出并且空隙(12)至少部分地保持露出，D)产生至少一个金属层(50)，所述至少一个金属层从波导触点(51)延伸进入空隙(12)中，E)通过载体(6)代替生长衬底(2)，F)在载体(6)中创建通孔(53)，使得金属层(50)和半导体层序列(3)的朝向载体(6)的下侧触点(52)电接触，以及移除在发射支路(11)的至少一些之间和在沿着发射支路(11)彼此相随的发射单元(13)之间的载体(6)，并且G)折断在发射单元(13)之间的半导体层序列(3)，使得形成棱面(31)。
用于制造光电子半导体组件方法

[发明专利]发光材料、用于制造发光材料的方法和转换型LED-CN201880064895.1有效
发明人：阿列克谢·马尔丘克;多米尼克·鲍曼 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：提出一种发光材料，所述发光材料具有通式(AB)1+2yAl11‑x‑y(AC)xLiyO17:E，其中‑0x+y11，‑x0，‑AC＝B、Ga和/或In，‑AB＝Na、K、Rb和/或Cs并且‑E＝Eu、Ce、Yb和/或Mn。此外，本发明涉及一种用于制造发光材料的方法和一种转换型LED。
发光材料用于制造方法转换 led

[发明专利]发光材料组合物，转换元件，光电子设备-CN201880072867.4有效
发明人：赖纳·布滕戴奇;菲利普·普斯特;大卫·欧布里安;约恩·斯托;马库斯·亚当 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：提出一种发光材料组合物(10)，所述发光材料组合物包括第一发光材料(1)和第二发光材料(2)，其中第二发光材料是发红光的量子点发光材料。此外，提出一种转换元件(20)和一种光电子设备(30)，其分别包括发光材料组合物(10)。
发光材料组合转换元件光电子设备

[发明专利]发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法-CN201880039087.X有效
发明人：延斯·埃贝克 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提出一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括：‑外延的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区在运行中产生电磁辐射(S)；以及‑钝化层(3)，所述钝化层包括氧化镁和氮化镁，其中钝化层(3)施加在半导体层序列(1)的侧面(1c)上并且钝化层(3)至少覆盖有源区(2)。
发光二极管芯片用于制造方法

[发明专利]头灯和运行方法-CN202210150849.1在审
发明人：斯蒂芬·格勒特施;约阿希姆·雷伊尔 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： F21S41/141 文献下载
摘要：例如用于机动车的头灯(1)，所述头灯具有用于光学远场的像素精细照明的像素化结构。所述头灯包括用于产生光的第一半导体芯片(31)以及第二半导体芯片(32)。第一和第二半导体芯片(31、32)各包括多个像素(33)。第一光学器件(41)布置用于将第一半导体芯片(31)的光以第一成像比例引导到基础区域(B)中。经由第二光学器件(42)将第二半导体芯片(32)的光以第二成像比例引导到亮区域(P)中。第二成像比例为第一成像比例的0.3倍至0.7倍，其中包括边界值，使得亮区域(P)小于基础区域(B)。亮区域(P)位于基础区域(B)之内。
头灯运行方法

[发明专利]头灯和运行方法-CN201880068072.6有效
发明人：斯蒂芬·格勒特施;约阿希姆·雷伊尔 -专利权人： 欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： F21S41/153 文献下载
摘要：例如用于机动车的头灯(1)，所述头灯具有用于光学远场的像素精细照明的像素化结构。所述头灯包括用于产生光的第一半导体芯片(31)以及第二半导体芯片(32)。第一和第二半导体芯片(31、32)各包括多个像素(33)。第一光学器件(41)布置用于将第一半导体芯片(31)的光以第一成像比例引导到基础区域(B)中。经由第二光学器件(42)将第二半导体芯片(32)的光以第二成像比例引导到亮区域(P)中。第二成像比例为第一成像比例的0.3倍至0.7倍，其中包括边界值，使得亮区域(P)小于基础区域(B)。亮区域(P)位于基础区域(B)之内。
头灯运行方法

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