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[发明专利]紧凑源极镇流器MOSFET及其制备方法-CN201810312715.9在审
发明人：雷燮光;马督儿·博德;潘继 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个第一导电类型的衬底，一个第二导电类型的本体区，一个形成在栅极沟槽中的栅极电极，在本体区和衬底中延伸，一个轻掺杂源极区和一个形成在本体区中的重掺杂源极区，以及一个延伸到本体区的源极接头形成在栅极沟槽附近的源极接触沟槽中。轻掺杂源极区延伸到本体区中比重掺杂源极区更深处。轻掺杂源极区在源极接触沟槽附近。镇流电阻器形成在轻掺杂源极区中，在重掺杂源极区和本体区之间，以及一个肖特基二极管形成在源极接头和轻掺杂源极区之间的接头处。
轻掺杂源极区重掺杂源极源极接触源极接头栅极沟槽衬底延伸镇流器半导体场效应晶体管第一导电类型肖特基二极管掺杂源极区镇流电阻器导电类型沟槽金属栅极电极接头处紧凑源氧化物制备

[发明专利]包括具有三维形状的源极线的非易失性存储器件-CN201410584845.X有效
发明人：全哉垠;吴星来 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括具有三维3D盖的形状的源极线。非易失性存储器件包括第一垂直沟道和第二垂直沟道；源极接触，其设置在第一垂直沟道之上；漏极接触，其设置在第二垂直沟道之上；源极线阻挡部，其设置在源极接触和漏极接触之间；以及源极线板，其使源极接触和源极线阻挡部耦接
包括具有三维形状源极线非易失性存储器

[发明专利]模拟缓存器电路-CN201711141680.9有效
发明人：李钦;魏琦;乔飞;吴赟韬;刘辛军;杨华中 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种模拟缓存器电路，包括：第一源极跟随器M1；以及第二源极跟随器M2，所述第二源极跟随器M2与所述第一源极跟随器M1串联，其中，所述第一源极跟随器M1的栅极以及所述第二源极跟随器M2的栅极并联连接到信号输入端，所述第一源极跟随器M1的源极与所述第二源极跟随器M2的漏极连接，所述第二源极跟随器M2的源极与信号输出端连接。
模拟缓存电路

[发明专利]多堆叠半导体器件-CN202310377089.2在审
发明人：权旭炫;洪炳鹤;朴修永;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种多堆叠半导体器件，该多堆叠半导体器件包括：衬底；下部场效应晶体管，包括下部沟道结构、围绕下部沟道结构的下部栅极结构、以及第一和第二源极/漏极区；以及在下部场效应晶体管上的上部场效应晶体管，包括上部沟道结构、围绕上部沟道结构的上部栅极结构、以及分别垂直位于第一和第二源极/漏极区上方的第三和第四源极/漏极区，其中第一源极/漏极区连接到正电压源和负电压源中的一个，第三源极/漏极区连接到正电压源和负电压源中的另一个，以及其中第二源极/漏极区的顶部和第四源极/漏极区的底部彼此连接。
堆叠半导体器件

[发明专利]分栅式存储器及其形成方法-CN201910210581.4有效
发明人：于涛 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及一种分栅式存储器及其形成方法，所述分栅式存储器包括：衬底，在所述衬底上形成有源极区和漏极区，所述源极区上方形成与所述源极区接触导通的源极线；擦除栅，设置于所述源极线的上方；以及横向相邻地设置于所述源极区和漏极区之间的衬底之上的浮栅和字线，其中，所述浮栅靠近所述源极线，所述字线远离所述源极线；所述源极线、擦除栅、浮栅和字线两两之间均形成有绝缘层。本发明通过设置高于衬底上表面的源极线，使得浮栅与源极区在竖直方向上形成重叠区域，且由于源极线的高度可调，从而实现了在保证二者之间的耦合系数的同时，减小晶圆尺寸的目的。
分栅式存储器及其形成方法

[发明专利]OLED显示面板及制备方法-CN202010568018.7有效
发明人：张伟彬 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供的OLED显示面板包括阵列层，阵列层包括相互触接设置的第一源极和第二源极、以及相互触接设置的第一漏极和第二漏极，源极和漏极通过过孔与有源层触接；通过分布形成相互触接的第一源/漏极和第二源/漏极，降低源漏极区过孔发生异常的几率，同时有利于源漏极区的走线布置。
oled 显示面板制备方法

[发明专利]横向功率半导体器件-CN202211566422.6在审
发明人：斯特凡诺·达尔卡纳莱;亚当·布朗;吉姆·帕金 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向功率半导体器件，包括：源极焊盘区域，其形成在器件的金属层中；漏极焊盘区域，其与源极焊盘间隔开并形成在器件的该金属层中；多个导电指状物，其形成在器件的另一金属层中，并且包括：多个平行的源极指状物，其联接到源极焊盘区域并从源极焊盘区域朝向漏极焊盘区域延伸至漏极焊盘区域下方，以及多个平行的漏极指状物，其与多个源极指状物隔离，并且联接到漏极焊盘区域并从漏极焊盘区域朝向源极焊盘区域延伸至源极焊盘区域下方，漏极指状物叉指式布置在源极指状物之间；漏极焊盘区域包括分别与多个漏极焊盘对应的多个漏极指状物，其中多个漏极焊盘通过与延伸到漏极焊盘区域下方的源极指状物的位置相对应的间隔而彼此隔离。
横向功率半导体器件

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN201910744669.4在审
发明人：许祖钊 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请提出了一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括衬底、位于该衬底上的第一绝缘层、位于该第一绝缘层上的源漏极层图案及柔性层图案；该源漏极层图案包括源极、漏极；该柔性层图案包括至少一开口，该显示面板中的该源极、漏极位于该开口内；该开口与至少一该源极及至少一该漏极对应。本申请通过对层间介质层上的柔性层图案化处理，去除源极及漏极所对应的柔性材料，使得源极/漏极位于该开口内，减小源极及漏极与有源层之间的间距，避免在形成源/漏极时出现断线的风险，提高产品的良率。
漏极源极显示面板柔性层开口图案绝缘层源漏极衬底图案化处理源极/漏极柔性材料源/漏极介质层断线对层减小良率去除源层申请制作

[发明专利]半导体器件-CN201210025734.6有效
发明人：新田恭也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述半导体器件包括LDMOS、与所述LDMOS的源极区域电耦合的源极插头、设置在所述源极插头上的源极配线、与所述LDMOS的漏极区域电耦合的漏极插头以及设置在所述漏极插头上的漏极配线。本发明设计了所述半导体器件的源极插头结构。所述半导体器件被构造成将所述漏极插头线性设置成沿Y方向延伸，所述源极插头包括多个以预定间隔沿所述Y方向排列的分离的源极插头。这样，所述源极插头的分离减少了所述源极插头与所述漏极插头之间的相对面积，由此可减少它们之间的寄生电容。
半导体器件

[发明专利]多栅器件及其形成方法-CN202110602005.1在审
发明人：乔治奥斯·韦理安尼堤斯;布兰丁·迪里耶 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种示例性器件包括布置在衬底上方的沟道层、第一外延源极/漏极部件和第二外延源极/漏极部件。该沟道层布置在第一外延源极/漏极部件与第二外延源极/漏极部件之间。金属栅极布置在第一外延源极/漏极部件与第二外延源极/漏极部件之间。该金属栅极布置在沟道层的至少两个侧上方并与其物理接触。源极/漏极接触件布置在第一外延源极/漏极部件上方。掺杂晶体半导体层，例如镓掺杂晶体锗层，布置在第一外延源极/漏极部件与源极/漏极接触件之间。该掺杂晶体半导体层布置在第一外延源极/漏极部件的至少两个侧上方并与其物理接触。
器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化-CN202110019008.2在审
发明人：黄玉莲;傅劲逢;林焕哲;李富生;何彩蓉;谢博全;陈冠亘;王冠人 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化。一种方法可以包括在提供在第一源极/漏极和第二源极/漏极上的第一电介质层的顶部上提供掩模层，以及在掩模层和第一电介质层中创建暴露第一源极/漏极和第二源极/漏极的部分的开口。该方法可以包括用覆盖第一源极/漏极和第二源极/漏极的暴露部分的金属层填充开口，以及在金属层中形成间隙以创建第一金属接触件和第二金属接触件。第一金属接触件可以电耦合至第一源极/漏极，并且第二金属接触件可以电耦合至第二源极/漏极。间隙可以使第一金属接触件与第二金属接触件分开小于十九纳米。
半导体器件中的金属至源极漏极插塞间隙图案

[发明专利]半导体装置结构-CN202110856161.0在审
发明人：陈仕承;林志昌;张荣宏;张罗衡;姚茜甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体装置结构包括多个半导体层的堆叠，且半导体层彼此分开且对准；第一源极/漏极外延结构，接触半导体层的堆叠的一或多个第一半导体层；以及第二源极/漏极外延结构，位于第一源极/漏极外延结构上。第二源极/漏极外延结构接触半导体层的堆叠的一或多个第二半导体层。半导体装置结构还包括第一介电材料，位于第一源极/漏极外延结构与第二源极/漏极外延结构之间；以及第一衬垫层，位于第一源极/漏极外延结构与第二源极/漏极外延结构之间。第一衬垫层接触第一源极/漏极外延结构与第一介电材料。
半导体装置结构

[发明专利]晶体管结构及其形成方法-CN202210669320.0在审
发明人：李资良;郑柏贤;施伯铮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：该晶体管结构包括位于半导体区上方的栅极堆叠件、位于栅极堆叠件一侧的源极/漏极区、位于源极/漏极区的部分上方的接触蚀刻停止层、位于接触蚀刻停止层上方的层间电介质、位于源极/漏极区上方的硅化物区、位于硅化物区上方并且接触硅化物区的源极/漏极接触插塞、以及环绕源极/漏极接触插塞的隔离层。在源极/漏极接触插塞的俯视图中，源极/漏极接触插塞是细长的，隔离层包括位于所述第一源极/漏极接触插塞的端处的端部和位于所述第一源极/漏极接触插塞的相对端之间的中间部分。
晶体管结构及其形成方法

[发明专利]反向调节自对准接触件-CN201410184599.9有效
发明人：傅劲逢;严佑展;李佳颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的一些实施例涉及一种形成晶体管或其他半导体器件的源极/漏极自对准接触件的方法。该方法包括在衬底上方形成一对栅极结构，以及在该对栅极结构之间形成源极/漏极区。该方法还包括形成布置在源极/漏极区上方并且横向布置在该对栅极结构的邻近的侧壁之间的牺牲源极/漏极接触件。该方法还包括形成延伸在牺牲源极/漏极接触件和该对栅极结构上方的介电层。该介电层不同于牺牲源极/漏极接触件。该方法还包括去除该介电层中位于牺牲源极/漏极接触件上方的部分并且随后去除牺牲源极/漏极接触件以形成凹槽，以及用导电材料填充凹槽以形成源极/漏极接触件。
反向调节对准接触

[发明专利]薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器-CN200610079397.3有效
发明人：安泽;徐旼彻;具在本 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极
薄膜晶体管包括平板显示器