“洪炳鹤”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果28个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]包括具有RMG内间隔物的栅极结构的多堆叠半导体器件-CN202310457143.4在审
发明人： 洪炳鹤;曹健浩;尹承灿;白在职 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：提供了一种多堆叠半导体器件，其包括：下场效应晶体管，在下场效应晶体管中下沟道结构由下栅极结构围绕，下栅极结构包括下栅极电介质层、下功函数金属层和下栅极金属图案；以及上场效应晶体管，在上场效应晶体管中上沟道结构由上栅极结构围绕，上栅极结构围绕包括上栅极电介质层、上功函数金属层和上栅极金属图案，其中上沟道结构的沟道宽度小于下沟道结构的沟道宽度，以及其中替代金属栅极(RMG)内间隔物在下沟道结构不与上沟道结构垂直重叠的区域形成在下功函数金属层和上功函数金属层之间。
包括具有 rmg 间隔栅极结构堆叠半导体器件

[发明专利]多堆叠半导体器件及其制造方法-CN202310442722.1在审
发明人：曹健浩;洪炳鹤;白在职;尹承灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种多堆叠半导体器件及其制造方法，该多堆叠半导体器件包括：下纳米片晶体管，包括被栅极结构围绕的多个下沟道层；以及上纳米片晶体管，堆叠在下纳米片晶体管上并包括被栅极结构围绕的多个上沟道层，其中下沟道层具有比上沟道层小的沟道间隔。
堆叠半导体器件及其制造方法

[发明专利]多堆叠半导体器件和制造其的方法-CN202310454111.9在审
发明人：白在职;洪炳鹤;黄寅灿;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种多堆叠半导体器件和制造其的方法。该多堆叠半导体器件包括：衬底；下纳米片晶体管，包括下沟道结构、围绕下沟道结构并包括栅极电介质层的下栅极结构、在下沟道结构两端的下源极/漏极区、以及将下源极/漏极区与下栅极结构隔离的至少一个下内部间隔物；在下纳米片晶体管上的上纳米片晶体管，包括上沟道结构、围绕上沟道结构并包括栅极电介质层的上栅极结构、在上沟道结构两端的上源极/漏极区、以及将上源极/漏极区与上栅极结构隔离的至少一个上内部间隔物；以及在下沟道结构和上沟道结构之间的隔离结构，其中包括与形成下内部间隔物或上内部间隔物的材料相同的材料的间隔物结构形成在隔离结构侧面。
堆叠半导体器件制造方法

[发明专利]多堆叠半导体器件-CN202310449600.5在审
发明人：尹承灿;白在职;曹健浩;洪炳鹤;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：提供了一种多堆叠半导体器件，其包括：衬底；下场效应晶体管，其中下沟道结构被包括下功函数金属层和下栅电极的下栅极结构围绕；以及上场效应晶体管，其中上沟道结构被包括上功函数金属层和上栅电极的上栅极结构围绕，其中下栅电极和上栅电极中的每个包括金属或金属化合物，以及其中下栅电极包括多晶硅(poly‑Si)或包含掺杂剂的多晶硅，上栅电极包括金属或金属化合物。
堆叠半导体器件

[发明专利]半导体芯片架构及其制造方法-CN202310369604.2在审
发明人：咸富铉;洪炳鹤;郑明勋;洪元赫;李昇映;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供一种半导体芯片架构及其制造方法，该半导体芯片架构包括：晶片；在晶片的第一侧上的工艺线前端(FEOL)层，该FEOL层包括在晶片的第一侧上的半导体器件、在晶片中的浅沟槽隔离(STI)结构以及在半导体器件和晶片上的层间电介质(ILD)结构；提供在FEOL层上的工艺线中段(MOL)层，该MOL层包括接触和连接到该接触的通路；绝缘层，在晶片的第一侧上并在水平方向上与通路相邻；以及电源轨，从晶片的与第一侧相对的第二侧穿透晶片，其中通路在垂直方向上延伸穿过ILD结构、STI结构和晶片以接触电源轨。
半导体芯片架构及其制造方法

[发明专利]多堆叠半导体器件-CN202310377089.2在审
发明人：权旭炫;洪炳鹤;朴修永;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种多堆叠半导体器件，该多堆叠半导体器件包括：衬底；下部场效应晶体管，包括下部沟道结构、围绕下部沟道结构的下部栅极结构、以及第一和第二源极/漏极区；以及在下部场效应晶体管上的上部场效应晶体管，包括上部沟道结构、围绕上部沟道结构的上部栅极结构、以及分别垂直位于第一和第二源极/漏极区上方的第三和第四源极/漏极区，其中第一源极/漏极区连接到正电压源和负电压源中的一个，第三源极/漏极区连接到正电压源和负电压源中的另一个，以及其中第二源极/漏极区的顶部和第四源极/漏极区的底部彼此连接。
堆叠半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310179389.X在审
发明人： 洪炳鹤;朴修永;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：在第一层中的至少一个场效应晶体管和在所述至少一个场效应晶体管的横向侧的至少一个PN结器件；以及在第一层下面的第二层中的至少一个背侧供电网络(BSPDN)结构，其中所述至少一个BSPDN结构配置为将所述至少一个场效应晶体管连接到电压源。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202310154810.1在审
发明人： 洪炳鹤;孙吉焕;黄寅灿;任廷爀;徐康一;朴世韩;李昇映;咸富铉;李长根;郑明勋;尹承灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括晶体管、无源器件、在晶体管和无源器件之间延伸的基板、以及电源轨。无源器件可以与基板间隔开。无源器件和电源轨中的每个可以具有面对基板的第一表面，并且无源器件的第一表面比电源轨的第一表面更靠近基板。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]三维堆叠半导体芯片架构和制造其的方法-CN202310099470.7在审
发明人： 洪炳鹤;徐康一;J·马蒂诺 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：提供了一种三维(3D)堆叠半导体芯片架构和制造其的方法。该3D堆叠半导体芯片架构包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片包括第一晶片、提供在第一晶片的第一侧上的第一前段(FEOL)层、提供在第一FEOL层上的第一中段(MOL)层、提供在第一MOL层上的第一后段(BEOL)层、提供在第一晶片的第二侧上的第一电源轨层，第二半导体芯片包括第二晶片、提供在第二晶片的第一侧上的第二FEOL层、提供在第二FEOL层上的第二MOL层、提供在第二MOL层上的第二BEOL层、提供在第二晶片的第二侧上的第二电源轨层，其中第一电源轨层和第二电源轨层彼此接触。
三维堆叠半导体芯片架构制造方法

[发明专利]具有混合沟道结构的半导体器件-CN202211450497.8在审
发明人：徐康一;朴修永;洪炳鹤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；至少一个混合沟道结构，形成在衬底上并包括至少一个第一沟道结构和第二沟道结构，至少一个第一沟道结构在第一方向和第二方向上平行于衬底的上表面延伸而不直接接触衬底，第二沟道结构在垂直于第一方向或第二方向的第三方向上连接到至少一个第一沟道结构并与至少一个第一沟道结构相交；围绕混合沟道结构的栅极结构；以及源极/漏极区，分别形成在至少一个混合沟道结构的沿第一方向的相反两端。
具有混合沟道结构半导体器件

[发明专利]集成电路器件的电阻器结构及其形成方法-CN202211324392.8在审
发明人： 洪炳鹤;黄寅灿;尹承灿;朴孝恩;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：提供了集成电路器件的电阻器结构及其形成方法。电阻器结构可以包括：基板；上半导体层，可在垂直方向上与基板间隔开；下半导体层，可在基板和上半导体层之间；以及第一电阻器接触和第二电阻器接触，可在水平方向上彼此间隔开。上半导体层、下半导体层和基板的一部分中的至少一个可以接触第一电阻器接触和第二电阻器接触。
集成电路器件电阻器结构及其形成方法

[发明专利]形成多个晶体管堆叠的方法-CN202211337321.1在审
发明人：曹健浩;金基一;洪炳鹤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了形成多个晶体管堆叠的方法。一种形成多个晶体管堆叠的方法包括使用在多个半导体鳍的侧壁上的多个间隔物作为蚀刻掩模蚀刻多个纳米片，以提供多个间隔开的纳米片堆叠，每个纳米片堆叠在其上具有半导体鳍中的至少一个。
形成晶体管堆叠方法

[发明专利]晶体管器件及其制造方法-CN202211159315.1在审
发明人：尹承灿;黄寅灿;曹健浩;任廷爀;洪炳鹤;徐康一;何铭;朴宰贤;M.萨雷米;R.帕克;H.辛卡;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了晶体管器件。一种晶体管器件包括衬底。该晶体管器件包括在衬底上具有下栅极和下沟道区的下晶体管。该晶体管器件包括具有上栅极和上沟道区的上晶体管。下晶体管在上晶体管和衬底之间。晶体管器件包括隔离区，该隔离区将下晶体管的下沟道区与上晶体管的上沟道区分开。此外，下晶体管的下栅极接触上晶体管的上栅极。还提供了形成晶体管器件的相关方法。
晶体管器件及其制造方法

[发明专利]包括二极管结构的集成电路器件及其形成方法-CN202211131804.6在审
发明人： 洪炳鹤;徐康一;尹承灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供了包括二极管结构的集成电路器件及其形成方法。二极管结构可以包括：衬底；上半导体层，在垂直方向上与衬底间隔开；上薄半导体层，从上半导体层的侧表面在第一水平方向上突出；下半导体层，在衬底和上半导体层之间并具有第一导电类型；下薄半导体层，从下半导体层的侧表面在第一水平方向上突出；第一二极管接触，电连接到下半导体层；以及第二二极管接触，电连接到衬底的一部分和上半导体层中的一个。衬底的所述部分和上半导体层中的所述一个可以具有第二导电类型。
包括二极管结构集成电路器件及其形成方法

[发明专利]具有垂直未对准的多堆叠半导体器件及其形成方法-CN202210926084.6在审
发明人：宋昇炫;洪炳鹤;黄寅灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种多堆叠半导体器件，包括：下堆叠晶体管结构，包括下有源区和下栅极结构，下有源区包括下沟道结构，下栅极结构围绕下沟道结构；上堆叠晶体管结构，垂直堆叠在下堆叠晶体管结构之上，并且包括上有源区和上栅极结构，上有源区包括上沟道结构，上栅极结构围绕上沟道结构；至少一个栅极接触插塞，接触下栅极结构的顶表面，其中下栅极结构和上栅极结构在平面图中具有基本相同的尺寸，并且其中下栅极结构在垂直方向上不与上栅极结构完全重叠。
具有垂直对准堆叠半导体器件及其形成方法

1
2
下一页»
尾页
共 28 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top