[发明专利]包括具有三维形状的源极线的非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201410584845.X | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN104979357B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 全哉垠;吴星来 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件包括具有三维3D盖的形状的源极线。非易失性存储器件包括第一垂直沟道和第二垂直沟道；源极接触，其设置在第一垂直沟道之上；漏极接触，其设置在第二垂直沟道之上；源极线阻挡部，其设置在源极接触和漏极接触之间；以及源极线板，其使源极接触和源极线阻挡部耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 三维 形状 源极线 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：第一垂直沟道膜和第二垂直沟道膜；源极接触，其设置在所述第一垂直沟道膜之上；漏极接触，其设置在所述第二垂直沟道膜之上；以及源极线，其与所述源极接触耦接，其中，所述源极线包括：源极线阻挡部，其设置在所述源极接触和所述漏极接触之间；以及源极线板，其使所述源极接触与所述源极线阻挡部耦接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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