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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示装置-CN202110724507.1在审
  • 崔钟炫;李薰基 - 三星显示有限公司
  • 2021-06-29 - 2022-04-22 - H01L27/32
  • 一种显示装置，包括：第一图案，配置于基板上，并接收驱动电压；第二图案，配置于第一图案上，并接收驱动电压；中间图案，配置于第一图案上，并接收驱动电压；第一源极图案，配置于中间图案上，并与第一图案、第二图案以及中间图案接触；第二源极图案，配置于与第一源极图案相同的层，并与中间图案接触；以及第三源极图案，配置于第二源极图案上，并与第二源极图案接触。
  • 显示装置
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202010419289.6在审
  • 林昌杰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2020-05-18 - 2021-02-02 - H01L29/78
  • 该半导体结构具有一基底、一第一漏极应力源、一第一源极应力源、一埋入式栅极结构、一第二漏极应力源、一第二源极应力源以及一平面栅极结构。该基底具有一图案密集区以及一图案稀疏区。该第一漏极应力源设置在该图案密集区中。该第一源极应力源设置在该图案密集区中。该埋入式栅极结构设置在该图案密集区中，并位在该第一漏极应力源与该第一源极应力源之间。该第二漏极应力源设置在该图案稀疏区中。该第二源极应力源设置在该图案稀疏区中。该平面栅极结构设置在该图案稀疏区中，并位在该第二漏极应力源与该第二源极应力源之间。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202010715381.7在审
  • 李斗铉;申宪宗;郭玟灿;朴贤镐;郑圣宪;郑涌植;池祥源;黄寅灿 - 三星电子株式会社
  • 2020-07-23 - 2021-02-26 - H01L27/088
  • 一种半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区；第一源极/漏极图案，在第一有源区上；第二源极/漏极图案，在第二有源区上；分隔电介质图案，在第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间的衬底上；以及第一接触图案，在第一源极/漏极图案上，其中第一接触图案包括：第一金属图案；第一阻挡图案，在第一金属图案与第一源极/漏极图案之间；以及第二阻挡图案，在第一阻挡图案与第一源极/漏极图案之间，其中第一阻挡图案接触分隔电介质图案并且沿着第一金属图案的与分隔电介质图案相邻的侧壁延伸
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202310147145.3在审
  • 刘庭均;成石铉;韩东佑 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-20 - 2023-09-05 - H01L27/092
  • 所述半导体器件包括：第一有源图案，包括第一下图案和多个第一片状图案；多个第一栅极结构，在第一下图案上；第二有源图案，包括第二下图案和多个第二片状图案；多个第二栅极结构，在第二下图案上；第一源极/漏极凹槽，在邻近的第一栅极结构之间；第二源极/漏极凹槽，在邻近的第二栅极结构之间；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，分别在第一源极/漏极凹槽和第二源极/漏极凹槽中，其中，从第一下图案的上表面到第一源极/漏极图案的最下部的深度小于从第二下图案的上表面到第二源极/漏极图案的最下部的深度，并且第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案包括相同导电类型的杂质。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体装置-CN202010436421.4在审
  • 金成玟;河大元 - 三星电子株式会社
  • 2020-05-21 - 2020-11-24 - H01L27/02
  • 一种半导体装置包括有源图案，其包括沟道区。沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间以及所述第一方向上彼此间隔开的第二源极/漏极图案之间。所述沟道区被构造为将所述第一源极/漏极图案彼此连接以及将所述第二源极/漏极图案彼此连接。栅电极布置在有源图案的底表面上，并且布置在第一源极/漏极图案之间以及第二源极/漏极图案之间。上互连线布置在与有源图案的底表面相对的有源图案的顶表面上，并且连接至第一源极/漏极图案。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202111150121.0在审
  • 朴俊范;具湘谟;金旻怡;尹锡玄 - 三星电子株式会社
  • 2021-09-29 - 2022-06-24 - H01L27/02
  • 所述半导体装置可以包括设置在基底上的有源图案和在有源图案上的源极/漏极图案。源极/漏极图案可以包括与有源图案的顶表面接触的底表面。半导体装置还可以包括连接到源极/漏极图案的沟道图案、延伸以越过沟道图案的栅电极以及从有源图案的侧表面延伸到源极/漏极图案的下侧表面的围栏绝缘层。一对中间绝缘图案可以在源极/漏极图案的底表面的两侧处且在有源图案与源极/漏极图案之间与围栏绝缘层的内侧表面接触。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202011586628.6在审
  • 李商勳 - 三星电子株式会社
  • 2020-12-29 - 2021-10-29 - H01L27/11582
  • 所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上，栅极结构包括交替地堆叠的绝缘层和栅电极；沟道结构，延伸穿过栅极结构；以及源极导电图案，位于基底与栅极结构之间。源极导电图案包括下源极导电图案和位于下源极导电图案上的上源极导电图案。沟道结构包括延伸穿过源极导电图案的绝缘图案、数据存储图案以及位于绝缘图案与数据存储图案之间的沟道图案。在半导体装置的剖视图中，沟道图案的下表面位于比上源极导电图案的上表面的水平高但比栅电极中的最下栅电极的下表面的水平低的水平处，并且基底提供基准参考水平。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202110972491.6在审
  • 李元赫;朴钟撤;朴商德;申洪湜;李道行 - 三星电子株式会社
  • 2021-08-24 - 2022-04-22 - H01L27/088
  • 所述半导体装置包括：第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，在有源图案上且彼此分隔开；第一源极/漏极接触件，在第一源极/漏极图案上且包括第一源极/漏极阻挡膜和在第一源极/漏极阻挡膜上的第一源极/漏极填充膜；第二源极/漏极接触件，在第二源极/漏极图案上；以及栅极结构，在第一源极/漏极接触件与第二源极/漏极接触件之间在有源图案上且包括栅电极，其中，第一源极/漏极接触件的顶表面比栅极结构的顶表面低，并且从有源图案的顶表面到第一源极/漏极阻挡膜的顶表面的高度比从有源图案的顶表面到第一源极/漏极填充膜的顶表面的高度小。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210429276.6在审
  • 朴星一;朴宰贤;金庚浩;尹喆珍;河大元 - 三星电子株式会社
  • 2022-04-22 - 2023-01-13 - H01L27/088
  • 所述半导体装置包括：下沟道图案和上沟道图案，沿与基底的顶表面垂直的第一方向堆叠在基底上；下源极/漏极图案，在基底上并在下沟道图案的第一侧和第二侧；上源极/漏极图案，堆叠在下源极/漏极图案上并在上沟道图案的第三侧和第四侧；第一阻挡图案，在下源极/漏极图案与上源极/漏极图案之间；以及第二阻挡图案，在第一阻挡图案与上源极/漏极图案之间。第一阻挡图案包括第一材料，并且第二阻挡图案包括第二材料，其中，第一材料和第二材料不同。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211664988.2在审
  • 李斗铉;申宪宗;朴贤镐;金善培;朴珍煐;张在兰 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-23 - 2023-06-30 - H01L29/78
  • 一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个栅结构，在第一方向上间隔开，并包括在第二方向上延伸的栅电极；源/漏凹陷，在相邻的栅结构之间；源/漏图案，在源/漏凹陷中；源/漏接触部，连接到源/漏图案，并包括上部和源/漏图案上的下部；以及接触硅化物膜，沿源/漏接触部的下部设置在源/漏接触部与源/漏图案之间。源/漏图案包括：半导体衬膜，沿源/漏凹陷延伸并包括硅锗；半导体填充膜，在半导体衬膜上并包括硅锗；以及半导体插入膜，沿源/漏接触部的下部的侧壁延伸并包括硅锗。
  • 半导体器件及其制造方法
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