“李南宰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果106个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储器设备-CN202211434724.8在审
发明人：朴楢珍;李南宰;崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：本公开内容提供了一种半导体存储器设备。该半导体存储器设备包括：外围电路结构，在半导体衬底上；导电线，连接到外围电路结构；外围电路侧键合导电图案，连接到导电线；外围电路侧辅助键合导电图案，与外围电路侧键合导电图案间隔开；单元阵列侧键合导电图案，与外围电路侧键合导电图案接触；单元阵列侧辅助键合导电图案，与外围电路侧辅助键合导电图案接触；以及存储器单元阵列，连接到单元阵列侧键合导电图案。
半导体存储器设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710924295.5有效
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：接触栓塞；配线，其与上述接触栓塞电连接；连接图案，其位于上述配线的上部；气隙，其位于相邻的接触栓塞之间，并向相邻的配线之间扩张；及覆盖膜，其位于上述配线及上述连接图案上，以规定上述气隙。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910429018.6有效
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：层间绝缘层，沿着第一方向层叠且彼此分隔开；字线，形成在所述层间绝缘层之间；牺牲绝缘层，形成在所述层间绝缘层之间使得所述牺牲绝缘层布置在形成有字线的层。所述半导体器件还可以包括单元接触插塞，所述单元接触插塞中的每个包括沿着所述第一方向穿通所述层间绝缘层和所述牺牲绝缘层中的至少一个的第一柱部，和从所述第一柱部的侧壁突出且接触所述字线中的一个的侧壁的第一突出部，其中，所述单元接触插塞具有不同深度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810365419.5有效
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：下绝缘层；栅极堆叠件，所述栅极堆叠件被设置在所述下绝缘层上方；多个支承件，所述多个支承件从所述下绝缘层朝向所述栅极堆叠件延伸；源层，所述源层被设置在所述下绝缘层与所述栅极堆叠件之间；以及沟道图案，所述沟道图案包括设置在所述源层与所述栅极堆叠件之间的连接部。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN201911059396.6有效
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：半导体存储器装置及其制造方法。一种形成3D存储器装置的工艺包括形成具有多个层叠的层的层叠结构，蚀刻层叠结构以形成各自包括多个阶梯的阶梯沟槽，在阶梯沟槽上方形成具有多个开口的硬掩模层，在硬掩模层上方形成光致抗蚀剂层，并且使用硬掩模层和光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模通过多个开口进行蚀刻以将阶梯沟槽的底部延伸至更低的深度。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910392781.6有效
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。提供了一种半导体装置以及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括包围第一沟道结构并且彼此间隔开的多个第一层叠结构。在各个第一层叠结构中，多个第一沟道结构彼此间隔开第一距离，并且多个第一层叠结构彼此间隔开第二距离。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910444132.6有效
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成穿过围绕沟道结构的层叠结构的多个孔；以及通过所述孔替换层叠结构的一些材料。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810324131.3有效
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：半导体器件及其制造方法。可以提供半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括形成在基板上方的源线。所述半导体器件可以包括沟道图案，所述沟道图案包括设置在所述源线上方的连接部和沿着第一方向从所述连接部突出的柱部。所述半导体器件可以包括阱结构，所述阱结构沿着所述第一方向从所述连接部突出并且与所述源线分隔开。所述半导体器件可以包括源接触结构，所述源接触结构沿着所述第一方向从所述源线突出并且穿过所述连接部。所述半导体器件可以包括栅极堆叠物，所述栅极堆叠物设置在所述源接触结构和所述阱结构之间并且包围所述连接部上方的所述柱部。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括混合布线接合结构的层叠封装件-CN201910971817.6有效
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：包括混合布线接合结构的层叠封装件。一种层叠封装件包括层叠在封装基板上的第一子芯片层叠物和第二子芯片层叠物以及接合布线。第一子芯片层叠物包括第一子芯片和第二子芯片。第一子芯片具有其上设置有第一公共焊盘的第一表面。第二子芯片具有其上设置有第二公共焊盘的第三表面。第三表面接合至第一表面，以使得第二公共焊盘接合至第一公共焊盘。第二子芯片包括与第二公共焊盘相对的第四表面以及从第四表面延伸以使第二公共焊盘露出的通孔。接合布线经由通孔连接至第二公共焊盘并且将第一公共焊盘和第二公共焊盘二者电连接至封装基板。
包括混合布线接合结构层叠封装

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910393363.9有效
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。本公开涉及一种具有改进的结构稳定性的半导体装置以及制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括第一层叠结构和第二层叠结构。该半导体装置还包括第一支撑件，所述第一支撑件包括穿过所述第二层叠结构的第一上柱并且包括从所述第一上柱延伸并穿过所述第一层叠结构的至少两个第一下柱。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202111676107.4在审
发明人： 李南宰;曹明宽 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器装置及其制造方法。本文可以提供一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：具有互补金属氧化物半导体(CMOS)电路的基板；栅极层叠体，其具有在垂直方向上交替地层叠在基板上的层间绝缘层和导电图案；多个沟道结构，其穿过栅极层叠体，每个沟道结构具有突出到栅极层叠体上方的第一端部；以及多个导电层，其设置在栅极层叠体上方。多个导电层中的每一个与所述沟道结构中的至少一个的第一端部接触。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN201810053471.7有效
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：提供了存储装置及其操作方法。存储装置可以包括联接至存储块的多条源极线。该存储装置可以包括联接至每条源极线的多个串。该存储装置可以包括行解码器，该行解码器被配置成选择性地将电压传输至与所述源极线当中的所选源极线对应的局部线。
存储装置及其操作方法

[发明专利]半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法-CN202110879329.X在审
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：字线；第一选择线，该第一选择线位于所述字线上；第二选择线，该第二选择线位于所述第一选择线上；第一上接触部，该第一上接触部延伸为与所述第一选择线的第一表面接触；以及第二上接触部，该第二上接触部延伸穿过所述第二选择线，以与所述第一选择线的第二表面接触，其中，所述第一选择线的第一表面和第二表面位于相对两侧。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202110835730.3在审
发明人：吴在永;李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。提供了一种半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：导电图案；在导电图案上的蚀刻停止层；导电结合图案，其包括连接到导电图案的接触部分以及从接触部分延伸的焊盘部分；第一介电层，其设置在蚀刻停止层上并且与导电结合图案间隔开；以及第二介电层，其包括第一部分和第二部分，第一部分围绕导电结合图案的焊盘部分与蚀刻停止层之间的、导电结合图案的接触部分的侧壁，第二部分从第一部分延伸以覆盖第一介电层的上表面。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法-CN202110843071.8在审
发明人： 李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：外围电路结构，其具有页缓冲器组；网状的第一源极图案，其设置在外围电路结构上，该网状的第一源极图案具有多个开口；存储器单元阵列，其设置在网状的第一源极图案上；第二源极图案，其设置于网状的第一源极图案与存储器单元阵列之间；以及单元阵列侧焊盘图案，其设置在网状的第一源极图案与第二源极图案之间，从第二源极图案朝向网状的第一源极图案延伸，该单元阵列侧焊盘图案直接接合至网状的第一源极图案。
半导体存储器装置制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
下一页»
尾页
共 106 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top