“尹锡玄”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]集成电路器件-CN202111268067.X在审
发明人： 尹锡玄;朴俊荣;申宇哲;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括：绝缘体上半导体(SOI)基板层，包括基底基板层、绝缘基板层和覆盖基板层；半导体基板层；多个第一鳍型有源区与多个第二鳍型有源区，所述多个第一鳍型有源区与所述多个第二鳍型有源区由多个沟槽限定，并分别在所述SOI基板层和所述半导体基板层上方在第一水平方向上延伸；多个纳米片堆叠结构，包括彼此平行延伸且与多个第一鳍型有源区和多个第二鳍型有源区的上表面间隔开的多个纳米片；多个第一源/漏区，延伸到SOI基板层中；以及多个第二源/漏区，延伸到半导体基板层中。第一源/漏区和第二源/漏区的下表面可以彼此不共面。
集成电路器件

[发明专利]半导体装置-CN202111150121.0在审
发明人：朴俊范;具湘谟;金旻怡;尹锡玄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了半导体装置。所述半导体装置可以包括设置在基底上的有源图案和在有源图案上的源极/漏极图案。源极/漏极图案可以包括与有源图案的顶表面接触的底表面。半导体装置还可以包括连接到源极/漏极图案的沟道图案、延伸以越过沟道图案的栅电极以及从有源图案的侧表面延伸到源极/漏极图案的下侧表面的围栏绝缘层。一对中间绝缘图案可以在源极/漏极图案的底表面的两侧处且在有源图案与源极/漏极图案之间与围栏绝缘层的内侧表面接触。
半导体装置