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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202310306078.5在审
发明人：李斗铉;申宪宗;金善培;朴珍煐;朴贤镐;刘智旼;张在兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；有源区，在衬底上沿第一水平方向延伸，并且包括在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区、以及在第二水平方向上彼此间隔开的第三有源区和第四有源区；分别在第一至第四有源区上的第一至第四源/漏区；分别连接到第一至第四源/漏区的第一至第四接触插塞；第一隔离绝缘图案，设置在第一接触插塞和第二接触插塞之间；以及第二隔离绝缘图案，设置在第三接触插塞和第四接触插塞之间，其中，在竖直方向上，第一隔离绝缘图案的第一长度小于第二隔离绝缘图案的第二长度。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202310003738.2在审
发明人：李斗铉;申宪宗;金善培;朴珍煐;朴贤镐;刘智旼;张在兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源区，在第一方向上延伸；器件隔离层，在有源区的侧表面上并且限定有源区；栅极结构，在有源区上与有源区相交，并且在第二方向上延伸；源/漏区，在有源区凹陷在其中的区域中，在栅极结构的两侧上；第一保护层，在器件隔离层与栅极结构之间；以及掩埋互连线，在源/漏区下方，并且通过掩埋互连线的上表面连接到源/漏区中的一个。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211664988.2在审
发明人：李斗铉;申宪宗;朴贤镐;金善培;朴珍煐;张在兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个栅结构，在第一方向上间隔开，并包括在第二方向上延伸的栅电极；源/漏凹陷，在相邻的栅结构之间；源/漏图案，在源/漏凹陷中；源/漏接触部，连接到源/漏图案，并包括上部和源/漏图案上的下部；以及接触硅化物膜，沿源/漏接触部的下部设置在源/漏接触部与源/漏图案之间。源/漏图案包括：半导体衬膜，沿源/漏凹陷延伸并包括硅锗；半导体填充膜，在半导体衬膜上并包括硅锗；以及半导体插入膜，沿源/漏接触部的下部的侧壁延伸并包括硅锗。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210664011.4在审
发明人：李斗铉;申宪宗;朴贤镐;郭玟燦;金善培;朴珍煐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一有源区域和第二有源区域，位于基底上；第一有源图案和第二有源图案，位于第一有源区域上和第二有源区域上；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，位于第一有源图案和第二有源图案上；第一硅化物图案和第二硅化物图案，位于第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案上；以及第一有源接触件和第二有源接触件，结合到第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案。第一有源接触件的最下面的部分位于比第二有源接触件的最下面的部分的水平高的水平处。第一硅化物图案的厚度大于第二硅化物图案的厚度。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202210935223.1在审
发明人：李斗铉;申宪宗;郭珉灿;金善培;朴珍煐;朴贤镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：有源区，在衬底上沿第一方向延伸；栅电极，在衬底上与有源区相交，沿第二方向延伸，并包括向上突出的接触区；以及互连线，在栅电极上并与接触区连接，其中，接触区包括：下部区，在第二方向上具有第一宽度；以及上部区，位于下部区上并且在第二方向上具有比第一宽度小的第二宽度，其中接触区在第二方向上的至少一个侧表面具有在下部区和上部区之间的点，在该点处倾斜度或曲率改变。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202210135336.3在审
发明人：李斗铉;申宪宗;金善培;郭玟燦;朴珍煐;朴贤镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：衬底上的有源图案；所述有源图案上的源/漏图案；被连接到所述源/漏图案的沟道图案；所述沟道图案上的栅电极；所述源/漏图案上的有源接触部；所述栅电极上的第一下互连线；以及在所述有源接触部上并且与所述第一下互连线在相同高度上的第二下互连线。栅电极可以包括电极主体部和电极突起部，其中电极突起部从所述电极主体部的顶表面突起并且与其上方的第一下互连线接触。有源接触部可以包括接触主体部和接触突起部，其中接触突起部从所述接触主体部的顶表面突起并且与其上方的第二下互连线接触。
半导体器件

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